• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.278-279
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• 2003

광도의 기본 단위인 칸델라(Candela) 눈금은 물론 복사조도(irradiance), 조명도(illuminance)와 같은 유도 단위를 실현하기 위해서는 검출기의 시야를 한정하는 개구면적의 정밀한 측정이 필요하다. 여기에서는 가장자리의 광학적 검출방법에 의한 개구면적의 산출방식을 소개하고, 가우시안광에 의한 면적 측정법의 측정값과도 비교하여 그 결과를 보여준다. 기존의 개구 면적 측정방식으로 한가지 방법은 탐촉자를 물리적으로 접촉시켜서 개구의 가장자리를 결정하고, 개구의 기하학적 모양을 원으로 가정하여 면적을 산출하는 방식이 있는데, 이 방법을 사용하면 기계적인 접촉에 의하여 칼날과 같았던 개구의 가장자리가 손상을 입게 되기 때문에 측정이 잘못되는 것은 물론이고, 이렇게 측정된 개구를 사용하게되면 손상된 부위에 의한 면적의 변화와 이로 인한 산란이 증가하게 된다. (중략)

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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• v.46 no.1
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• pp.58.3-58.3
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• 2021

극한환경에서 작동 가능한 고분해능, 고정밀 대형 광학계 관측 플랫폼 시제품 (Super Eye Bridge) 인 태양 망원경 개발을 위한 광학 및 광기계 설계를 수행하였다. 차폐가 없으며 고속 팁-틸트 기능을 부여하여 이미지를 보정하고, 태양열로 인한 열적 성능저하를 방지하는 가능을 구현할 수 있도록 광학설계를 진행하였다. 광기계 설계는 극한 환경에 적용이 가능한 반사경의 경량화 및 지지 구조의 최적화를 진행하였으며 제작성을 고려한 SiC 신소재를 사용하고, 정렬을 위한 부반사경 조절부를 채용하였다. 본 연구에서는 SEB 태양망원경의 광학 및 광기계 설계 결과를 발표할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.363-364
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• 2012

기존 양자점에 대한 연구는 레이저 다이오드와 광증폭기등과 같은 광소자의 활성층에 사용되던 양자우물을 대체하기 위하여 고밀도, 고균일 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되었지만, 최근에는 양자점을 이용한 Single-photon source의 관심이 높아짐에 따라 저밀도 양자점 성장에 관한 연구가 주목 받고 있다. 본 연구에서는 수직형 저압 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 InP 기판 위에 저밀도 InAs 양자점을 성장하였다. 저밀도의 양자점을 성장하기 위하여 양자점과 덮개 층($1.1 {\mu}m$ InGaAsP)사이에 V족 원료 가스인 As만 공급하는 성장 중단 시간 (GI:Growth interruption)을 삽입하였다. 시료의 구조는 InP (100)기판위에 50 nm InGaAsP barrier, 1.5ML GaAs를 성장 후 InAs 1.9 ML를 성장하였다. 그 후 0, 1, 2, 5 분의 GI을 삽입한 후 InGaAsP 와 InP 덮개층을 성장하였다. 양자점의 밀도와 형상을 측정하기 위하여 Atomic force microscopy (AFM)을, 광학적 특성 분석을 위하여 저온 Micro Photoluminescence (${\mu}$-PL)을 측정하였다. 성장 중단 시간의 증가에 따라 InAs/InP 양자점의 높이와 넓이는 증가하고 밀도는 감소하였다. 성장 중단 시간 3분 이후에는 밀도 감소가 둔화 되었으며, 5분일 때 $3.2{\times}10^7/cm^2$의 극저밀도 InAs/InP 양자점이 성장되었다. 또한 저밀도 양자점 시료의 저온 ${\mu}$-PL을 측정하여 단일 양자점의 exciton과 bi-exciton peak가 측정되었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.34 no.3
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• pp.117-123
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• 2023

The size of an optical surface can significantly affect the performance of an optical system, and high spatial frequency errors have a greater impact. Therefore, it is crucial to measure the surface figure error with high frequency. To address this, a new method called rotational prism stitching interferometer (RPSI) is proposed in this study. The RPSI is a type of stitching interferometer that enhances spatial resolution, but it differs from conventional stitching interferometers in that it does not require the movement of either the mirror tested or the interferometer itself to obtain sub-aperture interferograms. Instead, the RPSI uses a beam expander and a rotating Dove prism to select particular sub-apertures from the entire aperture. These sub-apertures are then stitched together to obtain a full-aperture result proportional to the square of the beam expander's magnification. The RPSI's effectiveness was demonstrated by measuring a 40 mm diameter spherical mirror using a three-magnification beam expander and comparing the results with those obtained from a commercial interferometer. The RPSI achieved surface testing results with nine times higher sampling density than the interferometer alone, with a small difference of approximately 1 nm RMS.

• Progress in Medical Physics
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• v.25 no.4
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• pp.233-241
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• 2014

The aim of this study is to develop a new software tool for 3D dose verification using $PRESAGE^{REU}$ Gel dosimeter. The tool included following functions: importing 3D doses from treatment planning systems (TPS), importing 3D optical density (OD), converting ODs to doses, 3D registration between two volumetric data by translational and rotational transformations, and evaluation with 3D gamma index. To acquire correlation between ODs and doses, CT images of a $PRESAGE^{REU}$ Gel with cylindrical shape was acquired, and a volumetric modulated arc therapy (VMAT) plan was designed to give radiation doses from 1 Gy to 6 Gy to six disk-shaped virtual targets along z-axis. After the VMAT plan was delivered to the targets, 3D OD data were reconstructed from 512 projection data from $Vista^{TM}$ optical CT scanner (Modus Medical Devices Inc, Canada) per every 2 hours after irradiation. A curve for converting ODs to doses was derived by comparing TPS dose profile to OD profile along z-axis, and the 3D OD data were converted to the absorbed doses using the curve. Supra-linearity was observed between doses and ODs, and the ODs were decayed about 60% per 24 hours depending on their magnitudes. Measured doses from the $PRESAGE^{REU}$ Gel were well agreed with the TPS doses at central region, but large under-doses were observed at peripheral region at the cylindrical geometry. Gamma passing rate for 3D doses was 70.36% under the gamma criteria of 3% of dose difference and 3 mm of distance to agreement. The low passing rate was resulted from the mismatching of the refractive index between the PRESAGE gel and oil bath in the optical CT scanner. In conclusion, the developed software was useful for 3D dose verification from PRESAGE gel dosimetry, but further improvement of the Gel dosimetry system were required.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.5
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• pp.483-490
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• 2003

We have analyzed theoretically optical pulse propagation in a coherent atomic medium for amplification without inversion (AWI), which is achieved by adding incoherent optical pumping to a typical EIT system. In order to explain experimental results [Kim et al., J. Phys. B, 36, 2671(2003)] to control the group velocity of the optical pulse by changing pumping power, we established a 5-level atomic system and applied density matrix equations. This AWI model system is different from previous AWI systems from the viewpoint of using two levels for incoherent optical pumping isolated optically from the EIT (electromagentically induced transparency) system so that more atoms can participate in pulse speed control. We have found that population transfer by collisions between ground states plays a decisive role for efficient AWI, and more atoms are effective for slowing the pulse. Our numerical results are in good agreement qualitatively with experimental results.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.30 no.2
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• pp.189-195
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• 2003

The objective of this study is to improve the optical sensitivity of laser fluorescence for detection of incipient enamel caries. An incipient carious lesion was formed in various stages by placing an enamel specimen of a bovine tooth in STPP demineralization solution. After measuring the optical density of the lesion surface by laser fluorescence induced by argon laser and various alter of yellow(500-520nm), amber(520-540nm), orange(540-560nm), and red(560-580nm), the specimen was cut vertically to measure the depth of the lesion using a polarizing microscope. SAS statistical program was used to analyze the relationship between the optical density of the lesion suface and the depth of the lesion. The results were as follows: 1. The optical density of early carious lesion, measured by laser fluorescence with amber and orange filter, and lesion depth observed by polarizing microscope, were increased as demineralization time increased. 2. The correlation coefficient between optical density of the lesion surface and the histological depth of the lesion was the highest in orange filter(r=0.49), followed by amber(r=0.32), yellow(r=0.13) and red(0.01). 3. Regression analysis showed that the most linear relationship between the optical density and the lesion depth was existed in orange filter group. In regard above results, laser fluorescence could be considered to be reliable for optical diagnosis of dental caries.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.154-155
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• 2010

최근 Stranski-Krastanov (SK) 성장법을 이용한 자발형성 (Self-assembled) InAs/GaAs 양자점 (Quantum Dot) 연구가 기초 물리학뿐만 아니라 응용에 있어 활발하게 진행되고 있다. 그러나 기존 보고에 따르면 SK 성장법을 통한 InAs/GaAs 양자점은 크기, 균일도, 및 밀도 등의 성장거동 제어에 한계가 있다. 예로, 성장속도 및 증착양이 감소하더라도 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터 (Cluster)를 형성하여 크기분포의 불균일 및 결함을 야기하여 결과적으로 전기/광학적 특성을 저해하는 요인이 된다. 이를 개선하기 위한 방안으로 SK 성장법을 변형한 다양한 수정자발형성법이 제안되어 연구되고 있다. 본 논문에서는 기존 SK 성장법과 Arsenic-interruption Technique(AIT), In Pre-deposition (IPD)법을 각각 접목한 수정자발형성법을 이용하여 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 양자점 또는 클러스터 형성을 감소시켜 공간적 크기 균일도 및 밀도를 제어한 결과를 보고한다. 성장된 InAs/GaAs 양자점 시료의 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경 (Artomic Force Microscopy, AFM)과 Photoluminescence (PL) 분광법을 이용하여 분석하였다. 기존 SK 성장법을 이용하여 형성한 기준시료의 AFM 이미지에서 InAs/GaAs 양자점과 클러스터의 공간밀도는 각각 6.4*1010/cm2와 1.4*109/cm2로 관찰되었다. 그러나, AIT를 이용한 양자점 시료의 경우 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터는 관찰되어지지 않았고, 양자점 밀도는 8.4*1010/cm2로 SK 양자점에 비하여 30% 정도 개선되었다. 또한, InAs/GaAs 클러스터를 제외한 공간 균일도는 SK-InAs/GaAs 양자점의 15.6%에 비하여 8%로 크게 개선된 결과를 얻었다. AIT 성장법을 이용한 InAs/GaAs 양자점에서 원자의 이동거리 (Migration Length)의 제어로 양자점의 형성특성이 개선된 것으로 설명할 수 있으며, Arsenic 차단 시간이 임계점 이상으로 길어지면 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. InAs/GaAs 양자점과 클러스터 형성 특성이 초기 표면 조건에 어떻게 영향을 받는지 분석하기 위해, InAs 양자점 성장 이전에 V족 물질 공급 없이 Indium의 공급시간을 1초(IPDT1S 시료), 2초 (IPDT2S 시료), 3초 (IPDT1S 시료)로 변화시키면서 증착하고 기존 SK 성장법으로 양자점을 성장하였다 (IPD성장법). 그 결과 IDP1S 양자점 시료의 공간밀도가 10*1010/cm2로 SK InAs/GaAs 양자점 시료에 비해 약 60% 정도 증가하였고, 클러스터도 관찰 할 수 없었다. 그러나 IPD 시간이 증가할수록 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 InAs/GaAs 양자점 성장초기에 InAs 핵생성 사이트 (Nucleation site)의 크기 및 상태를 제어하는 것이 양자점의 밀도 및 균일도를 제어하는 중요한 요소임을 알 수 있다.

• New Physics: Sae Mulli
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• v.68 no.11
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• pp.1183-1191
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• 2018

The plasmon behaviors in a superlattice of $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the superlattice axis by using a previously published theoretical framework. From the density-density correlation functions by considering the intrasubband and the inter-subband transitions under the random phase approximation, we calculate the dispersion energies of the surface and the bulk states as functions of the composition of the multiple quantum well structure and of the magnetic field strength and the average electric field strength over the quantum well. The Raman intensities for various magnetic field strengths and average electric field strengths over the quantum well are also obtained as a function of the energy of the incoming light for these states.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.289-290
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• 2007