• 공업화학
• /
• 제29권4호
• /
• pp.484-487
• /
• 2018

본 논문에서는 유기전자소자에서 사용되는 수분 차단막의 투습도 분석을 위하여 ytterbium의 광학적 전기적 특성을 연구하였다. Ytterbium 박막은 다양한 성막 두께(20-100 nm)에 따라 넓은 범위의 광투과도(70-10%)와 비저항($6.0-0.16m{\Omega}{\cdot}cm$) 값을 나타내었다. 25 nm의 ytterbium 박막은 수분과 반응하여 산화되며 투과도와 저항이 실시간으로 변화하였고 이를 통해 parylene 고분자와 aluminum nitride 적층형 박막 봉지 필름을 분석한 결과 $4.3{\times}10^{-3}g/m^2{\cdot}day$의 투습도를 측정할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제10권3호
• /
• pp.473-478
• /
• 2006

DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 ITO 박막을 형성하였다. 박막 형성 시 스퍼터 전압을 변화시켜 음이온에 의한 손상을 최소화하였으며, 또한 기판온도와 산소유입량을 변화시켜 비저항 $1.6\times10^{-4}{\Omega}cm$, 광투과도 90% 이상의 값을 갖는 양질의 박막을 형성 할 수 있었다. 박막 형성 시 $O_2$ 가스의 유량이 4sccm 이상으로 산소공급이 과다할 경우는 ITO 박막의 비저항이 증가하고, 광 투과도가 포화됨을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.204-204
• /
• 2010

본 연구에서는 Glass 기판 위에 우수한 광 투과도를 갖는 ZnO 기반의 Thin Film Transistor (TFT)를 제작하였으며, 이에 대한 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 소자 구조의 제작은 Maskless Aligner를 이용한 Optical lithograph법을 이용하였다. 채널층은 ZnO로 하였고 Source/Drain 영역은 GaZnO로 하여 전체구조가 ZnO 기반의 homogeneity를 유지하게 하였다. 이때 Gate 절연막은 Bi1.5Zn1Nb1.5O7와 SiO2 두가지 종류로 하여 각각의 특성을 비교하였다. 본연구에서 TFT구조의 각 층은 모두 r. f. 마그네트론 스퍼터법으로 증착하였다. 제작된 TFT들은 채널층 및 절연막 형성 등에 관여된 세부적 실험변수의 변화에 관계없이 약 75% 이상의 우수한 광투과도 특성을 보였다. 전기적 특성 평가에서, 제작된 TFT들은 전반적으로 비교적 낮은 문턱전압과 높은 이동도를 보였다. 하지만, 트랜지스터의 전기적 전송 특성의 주요 인자들인 채널-이동도, 스위칭, 누설 및 이력 등은 ZnO 채널층 혹은 Bi1.5Zn1Nb1.5O7 절연막 형성 시 주입되는 O2 가스의 분압에 의존하는 것이 관측되었다. 이를 통하여 트랜지스터의 각 세부 영역의 구조 및 형성 조건이 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향과 상관관계에 대하여 논의한다.

• 폴리머
• /
• 제36권5호
• /
• pp.662-667
• /
• 2012

평판 디스플레이에 사용되는 PET 필름의 광학적 특성을 알아보기 위하여 필름 표면 굴절률, 필름 표면조도 및 필름 내부입자가 광투과율에 미치는 영향을 알아 보았다. 필름표면에 굴절률이 낮은 코팅층을 형성함에 따라 필름의 광투과율이 향상되었고, 최대의 광투과율을 가지는 코팅두께가 있음을 확인하였다. 표면 거칠기의 영향에 대해서는 표면조도를 나타내는 Ra를 입사 파장의 1/4 이하로 조절한 경우 광손실이 발생되지 않았다. 필름 내 무기입자는 입사된 광의 흡수 및 산란을 발생시켜 광손실을 증가시켰다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
• /
• pp.1678-1681
• /
• 2004

The light-transmission technique has been applied to a slit rheometer for measuring red blood cell aggregation as well as blood viscosity over a range of shear rates. For measurement of blood viscosity and aggregation, instantaneous pressure and transmit-light intensity are measured with time. Using a precision pressure measurement, one can determine the shear stress and shear rate. In addition, a transmitted light through a blood sample indicates degree of RBC aggregation. With abruptly flowing with high shear rate, RBCs rapidly disaggregate and the intensity of the transmitted light becomes low. When continuously flowing with decreasing shear rate, RBCs tend to re-aggregate and the corresponding transmit-intensity gradually increases with time. The light intensity as a degree of RBC aggregation is plotted against shear rate and compared with blood viscosity. The advantages of this design are dual measurement at a time, simplicity, i.e., ease of operation and no moving parts, low cost, short operating time, and the disposable kit which is contacted with blood sample.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.420-421
• /
• 2007

본 연구에서는 유기물 발광 다이오드(OLED)의 효율을 향상시키기 위하여 버퍼층 역할을 하는 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : poly styrene sulfonate)의 공정조건을 확립하고 두께에 따른 전기적 광학적 특성을 조사하였다. PEDOT:PSS는 spin coating 방법으로 증착을 하였으며, 흘효과측정을 통하여 ITO기판과 유기버퍼층이 코팅된 기판의 전하운반체의 이동도와 전류-전압 특성을 조사하였다. 그리고 UV-vis spectrometer를 이용하여 광투과도, 굴절률, 밴드갭을 측정하였고 SEM을 이용하여 시료의 표면도 관찰하였다. 유기물 버퍼층(PEDOT:PSS)의 두께가 얇을수록 정공의 이동도가 향상됨을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.386-387
• /
• 2007

ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 플라즈마 처리에 따른 Al이 도핑된 ZnO(AZO) 박막의 표면 부착력과 굴절율, 표면거칠기에 관한 연구를 하였다. 플라즈마 처리는 인가전압, 시간을 변수로 하였고 반응 가스는 Ar을 사용하였다. 표면조성은 AFM, 광학적 특성은 UV-Vis 분광계를 이용한 광투과도 측정으로부터 굴절률과 밴드갭을 조사하였고 표면 부착력은 접촉각 분석기(제조사:Kruss)를 사용하여 조사하였다. 플라즈마 처리 시간이 길어짐에 따라 박막 표면의 거칠기가 커지고 부착력은 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제20권4호
• /
• pp.367-373
• /
• 2007

[ $In_2O_3-ZnO(IZO)$ ] and $In_2O_3-ZnO-SnO_2(IZTO)$ thin films were prepared on EAGLE 2000 glass webs in a Ar gas by RF-Magnetron sputtering. Electrical resistivity and optical transmittance of the films were investigated. IZO, IZTO film showed excellent optical transmittance of 85 % at the visible $400{\sim}$780 nm wavelength. Electrical properties of IZO film have $6.50{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ (95 $In_2O_3$ : 5 ZnO wt.%) and $5.20{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ (90 : 10 wt.%), IZTO film have $8.00{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ (90 $In_2O_3$ : 3 ZnO : 7 $SnO_2$ wt.%) and $6.50{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ (90 : 7 : 3 wt.%). Substitution of SnO to ZnO in ITO films showed slightly lower electrical conductivity than ITO film but showed similar optical transmittance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.183-183
• /
• 2010

본 연구에서는 기존의 투명전도박막(ITO) 재료인 Sn 성분을 Zn로 치환하여, Zn의 성분함량 변 화에 따른 투명전도박막의 특성을 조사하기 위하여, Zn이 100% 치환된 $In_2O_{3(90wt%)}-ZnO_(10wt%)$ (IZO) 그리고 Zn이 3 %와 7 % 치환된 $In_2O_{3(90wt%)}-ZnO_{(3wt%)}-SnO_{2(7wt%)}$, $In_2O_{3(90wt%)}-ZnO_{(7wt%)}-SnO_{2(3wt%)}$ (IZTO) 등의 타겟을 제작하여 RF-magnetron sputtering 법으로 투명전도박막을 성장하였다. 각각의 박막에 대해서 전기적 특성조사와 가시광선영역에서의 광투과도 특성, 성막 특성, 그리고 구조적 특성을 조사하였다. Sn이 100% Zn으로 치환된 IZO 박막의 경우 조성 성분비가 90 : 10 wt.%에서 비저항 값이 $5.2{\times}10^{-4}\;{\Omega}cm$ 정도로 전기전도성이 매우 우수한 것으로 나타났으며, 또한 X-ray 회절패턴 분석결과 성분비에 관계없이 비정질구조임을 확인 하였다. Sn이 일부 Zn으로 치환된 IZTO 박막의 경우 성분비가 90(In) : 7(Zn) : 3(Sn) wt%의 경우 비저항 값은 $6.5{\times}10^{-4}\;{\Omega}cm$ 정도로 우수한 것으로 나타났으며, X-ray 회절패턴 분석결과 비정질 구조임을 확인하였다. 광학적 특성으로는 가시광선영역(400~780nm)에서 IZO, IZTO 박막은 85% 이상의 매우 우수한 투과율을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.201-201
• /
• 2010

본 연구에서는 RF magnetron co-sputtering을 이용하여 Zn-O-Ga 구성비에 따른 광투과도 및 전기적 특성을 연구하였다. 타겟으로 ZnO 및 $Ga_2O_3$ 소결체를 이용하였으며, 두 개의 RF magnetron sputter의 RF power를 동시에 조절하여 타겟의 구성비를 조절하였으며, 기판과 타겟의 거리를 25 mm~75 mm 범위 내에 조절하여 거리에 따른 Zn-O-Ga 박막의 광투과 특성 및 전기적 특성을 관찰하였다. $Ga_2O_3$ 소결체의 magnetron sputter의 RF power를 30 watt에서 100 watt로 증가함에 따라 박막내의 Ga 성분은 0.5%에서 7.4%로 증가하였으며 Zn 성분은 46.3%에서 40.9%로 O성분은 53.2%에서 51.6%로 각각 줄어들었다. 이에 따라 ZnO의 우선방위 (002) 결정각($2{\theta}$)은 34.24에서 33.87로 줄어들었으며, 이동도 $5.5\;cm^2/Vs$ 에서 $1.99\;cm^2/Vs$ 정도로 감소하는 경향을 보였다. 광투과도는 가시광선 영역에서 85% 이상 보였으며, carrier 밀도는 $0.5\;{\sim}\;4.0^*10^{20}/cm^3$로 증가함에 따라 이동도는 $1.5{\sim}5.5\;cm^2/Vs$로 투명전도막의 특성을 보였다.