현재 국내 건설산업에서의 공정계획은 합리적인 사전계획 없이 현장기술자의 경험과 능력에 따라 계약공기에 맞추는 방식으로 추진되고 있다. 또한 공정계획의 핵심인 광기산정은 업체마다 서로 차이를 보이고 있어 객관적인 공기산정이라고 할 수 없는 실정이다. 이러한 공정계획의 부실은 공정계획 현장 적응 시 공기 및 작업순서의 차이를 발생시켜 효과적인 공정관리가 이루어지지 못하는 원인이 되고 있으며, 다양한 공기지연 사유가 발생하고 있다. 본 연구에서는 현재 제조업에서 적용중인 제약이론 기반의 CCPM(Critical Chain Project Management)의 확률적 공기산정과 공정버퍼의 개념을 건설 프로젝트에 적용하여 합리적인 공정계획 수립 방안을 제시하였다.
루프버퍼는 루프의 부하를 줄이기 위해 일반적으로 사용되고 있는 구조이다. 본 논문은 EISC 내장형 프로세서의 에너지 소모를 줄이기 위하여 변형된 루프버퍼를 제안한다. 제안하는 루프버퍼는 EISC 프로세서가 갖는 특수 명령어의 수행 횟수를 감소시켜, 주요 에너지 소모원인 메모리 접근을 추가로 감소시킨다. 시뮬레이션 결과, 제안하는 루프버퍼는 설계한 프로세서의 수행시간을 $5%{\sim}13.6%$ 감소시키며, 메모리 접근횟수를 $14.9{\sim}37.8%$ 감소시키는 것을 관찰하였다. 변형된 루프버퍼는 $0.18{\mu}m$, 1.8V 공정 표준 셀 라이브러리를 사용하여 악 2792 개의 등가 게이트에 해당하는 면적에서 구현할 수 있다.
본 연구에서는 RF/DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 co-sputtering 방법으로 TiO2와 ZnO를 이용하여 인버티드 유기태양전지용 버퍼층을 제작하고 TiO2와 ZnO의 함량에 따른 인버티드 유기 태양전지 특성을 비교하였다. Ti-Zn-O 버퍼층은 기존의 버퍼층 제작에 사용되던 용액 공정 대신 스퍼터링 시스템을 이용하여 제작하였다. ITO 전극 상부에 곧바로 Ti-Zn-O를 성막하여 Anode와 버퍼층이 일체화된 투명 전극을 제작하고 ZnO와 TiO2 함량이 유기 태양전지의 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 버퍼층의 TiO2와 ZnO 함량에 따른 광학적, 구조적특성을 UV/Vis spectrometry와 X-ray diffraction (XRD), TEM 등으로 분석하였으며, Ti-Zn-O 박막의 실제 버퍼 층으로서의 적용 가능성을 알아보기 위해 인버티드 유기태양전지로 제작하여 그 특성을 평가하였다. 기존의 인버티드 유기태양전지의 특성이 fill factor of 55.58%, short circuit current of 8.33 mA/cm2, open circuit voltage of 0.66 V, efficiency 3.06%인데 반해 최적 조건의 Ti-Zn-O 버퍼층을 적용했을 경우 fill factor of 52.05%, short circuit current of 8.81 mA/cm2, open circuit voltage of 0.66 V, efficiency 3.03%인 우수한 유기태양전지의 특성을 보임으로써 스퍼터링 공법으로 제작된 Ti-Zn-O 박막의 인버티드 유기태양전지용 버퍼 층으로서의 적용 가능성을 확인하였다.
유한 버퍼를 갖는 라인 생산시스템은 오랜 기간 동안 연구되어왔지만, 몇몇 특별한 경우 외에는 대기시간(체류시간), 차단 확률과 같은 시스템 성능 값에 대한 분석 결과는 많지 않다. 최근에, max-plus 대수를 활용하여 상수 공정시간을 갖고 버퍼 완전 공유 정책을 따르는 시스템에서 대기시간의 고차평균과 꼬리확률에 대한 분석 결과가 소개되었다. 이와 같은 max-plus 대수를 활용한 분석이 이론적으론 일반 공정시간 모형에도 응용 가능하지만, 도출된 표현식에 대한 적절한 계산방법을 제공하지 못한다. 이러한 이유로, 본 연구에서는 max-plus 대수로 도출된 표현식과 @RISK 소프트웨어를 활용하여 스프레드시트 시뮬레이션 모형을 개발하고, 두 가지 차단정책(통신차단과 제조차단) 하에서 시스템 특성값인 대기시간(또는 체류시간)과 차단확률을 비교 분석하였다. 또한 차단확률에 대한 제약을 만족하는 공유 버퍼의 크기를 결정하는 최적화 문제도 분석하였다.
본 연구에서는 인버티드 유기 태양전지에 적용하기 위한 버퍼 하이브리드 투명 캐소드를 RF/DC magnetron 스퍼터를 이용하여 제작하고 그에 대한 특성평가와 적용 가능성에 대해 연구하였다. 버퍼-캐소드 하이브리드 투명 전극은 ZnO, Ag, ITO를 이용하였고, Ag와 ITO의 두께는 고정한 상태에서 버퍼 역할을 하는 ZnO의 두께를 변수(25 nm ~ 45 nm)로 하여 ZnO두께에 따른 광학적, 전기적, 구조적, 표면 특성을 분석하였다. ZnO/Ag/ITO 하이브리드 투명전극의 최적의 조건에서 92%의 높은 투과도와 7.6 Ohm/square의 낮은 면저항을 갖는 버퍼-캐소드 하이브리드 투명전극을 구현하였다. 제작한 ZnO/Ag/ITO 버퍼 하이브리드 투명전극을 인버티드 유기 태양전지에 적용한 결과 버퍼 ZnO층을 스핀 코팅으로 제작한 인버티트 유기 태양전지에 비해 현저하게 낮은 효율을 나타내는 것을 확인 하였다. 이러한 이유를 규명하기 위해 스핀 코팅한 ZnO박막과 스퍼터 한 ZnO박막의 구조적, 표면적 특성을 비교 분석 하였고, UPS 분석 결과 스핀 코팅한 ZnO 박막의 일함수(3.3 eV)에 비해 스퍼터 한 ZnO박막의 일함수(4.4 eV)가 더 큰 것을 확인 할 수 있었다. 이를 통해 인버티드 유기 태양전지 소자의 효율을 높이기 위해서는 광학적 전기적 특성뿐 아니라 적절한 일함수와 공정방법의 중요성을 확인 하였다.
본 논문에서는 각 유니캐스트 셀이 세 번의 연속된 셀 읽기 싸이클마다 공유 버퍼에서 셀을 읽을 수 있고 멀티캐스트 셀은 마지막 읽기 싸이클에서 유니캐스트 셀을 읽기 위해 공유 버퍼가 사용되지 않을 경우에만 읽히도록 하는 공유 다중버퍼형 ATM 교환기를 제안한다. 유니캐스트 셀에 대한 HOL효과는 멀티캐스트 셀에 의해 영향을 받지 않으며, 유니캐스트 셀 뿐 아니라 멀티캐스트 셀도 각 출력 포트에서 읽힐 수 있는 기회가 생기므로 출력 포트의 이용율이 증가한다. 고정된 멀티캐스트 셀 비율에서, 제안된 방법은 제공부하가 1일 경우에도 98.9%의 수율을 보인다. 제안된 공유 다중 버퍼형 ATM교환기는 0.6㎛ single-poly triple metal CMOS 공정을 사용하여 설계되었다. 설계된 교환기는 8×8의 포트 크기를 가지며 STM-1의 대역폭 155.52Mbps를 각 포트에서 지원할 수 있도록 20MHz에서 동작한다.
유한버퍼를 갖는 시스템에 대한 분석은 광범위하게 연구되어 왔다. 하지만, 상수 공정시간을 갖는 시스템에 대해서도 안정 대기시간에 대한 고차평균과 꼬리확률에 대한 간결한 표현식은 소개된 적이 없다. 유한버퍼로 인한 차단현상으로 유발되는 복잡성 때문에 일반적인 대기행렬이론은 이를 적절히 다루지 못한다. 본 연구에서는 max-plus 대수를 활용한 기존 연구결과로 부터 상수 공정시간과 DBR (Drum-Buffer-Rope) 재고규칙을 따르는 라인생산시스템에서의 대기시간에 대한 간결한 표현식을 도출하였다.
재현성 있는 H:LiNbO\sub 3\ 광변조기의 제작을 위해 기존 광변조기에서 사용되는 Au/Cr/SiO\sub 2\ 전극구조 대신 상온에서 버퍼층 및 전극공정이 가능하고, 광대역 설계에도 유리하도록 새로운 Cu/parylene 전극구조를 사용한 광변조기의 설계 및 제작을 수행하였다. 이를 위해 유한요소법을 이용한 광변조기의 해석 및 설계, 소자제작을 위한 저손실 1550m H:LiNbO\sub 3\ 광도파로 공정, parylene 박막증착 및 CPW 전극형성 등의 단위 공정들을 확립하였다. 이러한 소자설계 기술 및 단위공정들의 결합을 통해 parylene 버퍼층구조 H:LiNbO\sub 3\ 광변조기 내부칩을 제작하였고, 저주파 구동특성 측정시스템을 통해 변조특성을 확인하였다. 특히 Cu/parylene 전극공정 전·후의 광도파로 특성이 일정하게 유지됨으로서 재현성 있는 소자제작이 가능함을 알 수 있었다.
본 논문에서는 ATM 기반 MPLS 망에서 효율적으로 IP 서비스를 전송하기 위한 동적 버퍼관리 방식의 Dynamic GSMP V3(General Switching Management Protocol Version 3)의 VLSI 구현을 위한 하드웨어 구조를 제안하고 설계하였다. 또한 현재 표준화중인 GSMP와 동적 버퍼관리 방식을 수용한 GSMP를 셀 손실률 측면에서 비교 분석하였다. ATM 스위치 상에 연결 제어의 성능 향상을 위해 스위치 상에 연결 제어의 성능 향상을 위해 스위치에서 연결설정 및 제어를 수행하는 Dynamic GSMP V3의 Slave 블록을 삼성 SoG 0.5$\mu\textrm{m}$ 공정으로 설계하였다. 기존의 방식과 제안한 방식의 성능 평가를 위해 확률 랜덤 변수에 의해 발생된 셀과 최소 버퍼 알고리즘을 이용하여 모의 실험을 하였으며, 이때 셀 손실률이 향상되었음을 알 수 있었다.
p-형 반도체인 Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) 광 흡수 층은 이보다 에너지 밴드 간격이 큰 n-형 반도체와 이종 접합을 형성한다. 흡수층과 윈도우층 사이의 결정구조 차이와 밴드갭 에너지 차이를 완화시키기 위해 버퍼층이 필요하다. 버퍼층을 형성하는 물질로 화학적 용액 성장법(Chemical Bath deposition)을 사용한 CdS가 많이 적용되어 왔으나 Cd의 유해성 및 습식 공정으로 인한 연속공정에 대한 어려움이 있다. 따라서 버퍼층을 Cd을 포함하지 않는 ZnS, $In_2S_3$, (Zn, Mg)O 등과 같은 물질로 대체하여 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 펄스레이져증착법(Pulsed Laser Deposition), 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 건식으로 성장시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 $ZnO_{1-x}S_x$ ($0.2{\leq}x{\leq}0.4$)를 반응성 스퍼터링으로 증착하여 큰 밴드갭 에너지와 높은 광투과율를 갖는 버퍼층을 제작하였다. CIGS 박막의 손상을 줄여주기 위하여 RF 파워는 240, 200, 150, 100 W로 변화시켰다. CIGS 태양전지의 I-V 측정 결과, RF 파워가 150 W일 때 10.7%의 가장 높은 변환 효율을 보였고, 150 W 이상에서는 파워가 증가할 때 단락전류는 감소하였으며 개방전압은 다소 증가하였다. 반면 100 W에서 단락전류는 다소 증가하는 것에 반해 개방 전압이 급격히 낮아졌다. 이것은 파워에 따라 결합되는 산소의 양이 다르기 때문으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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