• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.42-47
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• 2004

본 연구는 기존에 제안한 방전 AND gate PDP의 문제점을 개선한 연구결과로서 AND gate를 구성하는 DC 방전의 극성을 반대로 설계하여 인접 주사전극에 대한 cross talk 문제를 개선하였다. 또한 기존의 AND gate의 동작이 공간전하에 의한 방전의 비선형성에 의존한 것과는 달리 본 연구에서 제안한 AND gate는 방전 회로에 따라 인가전압이 변화하는 것을 이용한 NOT 논리를 AND gate에 부가하여 동작이 한층 안정해 졌다. 실험 결과4개의 수평 주사전극에 대해 선택적인 어드레스 방전이 가능하였으며 각각 34V와 70V의 AND 방전 및 Data 방전의 동작마진을 얻을 수가 있었다.

• 한국광학회지
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• 제12권3호
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• pp.230-234
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• 2001

반전대칭이 없는 광굴절결정에 있어 위상접합이 만족되지 않은 상태에서 발생된 제2고조파의 세기가 외부전기장에 의존한다는 사실을 이용하여 광굴적결정의 광굴절율 변형현상에 관한 중요상수를 측정할 수 있는 방법을 개발하였다. 마커무늬의 전기장의존도에 관한 근사식을 구하였고 이를 이용하여 제2고조파의 세기변화로부터 공간전하장의 크기를 측정할 수있었다. 실험적으로 congruent $LiNbO_3$에 빛을 두가지 다른 세기로 비추어 유도되는 공간저하장의 시간의존성을 조사하였고 측정결과를 근사식과 비교분석하여 $LiNbO_3$의 광기전력상수, 암전도상수 및 광전도상수를 결정할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1441-1443
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• 1998

In this work, the effects of space charge was analyzed in removal efficiency of pollutant using dielectric barrier discharges. In order to investigate effects of space charge, two dielectrics(XLPE and TR-XLPE) was chosen which are different in space charge distribution. The simultaneously measurement of space charge and discharge current was carried out in XLPE and TR-XLPE with air gap by Pulsed-Electro-Acoustic Method in ac. Also, the removal efficiency is measured by classical ozone generator(von Siemens 1875). From the experimental results, we knew that the space charge distribution affects the discharge patterns. The more space charge is in surface, the quickly discharge initiates and the magnitude of discharge is increased when polarity changes. And these affect the removal efficiency of pollutant.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.34-39
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• 2004

본 연구에서는 새로 고안된 AND gate PDP의 AND gate를 구성하는 4개의 DC 방전셀에 대한 상호간의 영향을 방전특성 측면에서 규명하였다. 이 4개의 방전셀들의 방전개시 전압은 인접한 방전셀의 방전에서 발생하는 공간전하와 깊은 관련이 있다는 것을 알았다. 실험 결과 각 방전셀의 최적화된 방전 전압을 결정할 수 있었으며 PDP의 address 방전에 이용되는 floating 방전을 도와주는 priming 방전의 동작마진을 얻기가 어렵다는 것을 정석적으로 알 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제3권1호
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• pp.43-49
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• 1992

Marx generator와 진공 다이오드, Bifilar helical wiggler, 인도자장 솔레노이드 등을 이용하여 마이크로파 영역의 자유전자 레이저를 설계 제작하였다. Bifilar helical wiggler의 자장분포를 분석하였고 공간전하의 수직성분 효ㅗ가를 고려하여 계산한 전자궤적 모의실험을 통하여 Wiggler자장이 전자빔 입사에 적합함을 확인하였다. Wiggler자장 300G, 인도자장 4.4kG, 전자빔 에너지 170keV일때 분산방정식에 의하여 계산된 출력 주파수는 약 11GHz였고 실험 결과 나타난 출력 주파수의 점위는 9.78GHz-11.7GHz로 추정되었다. 전자 속도의 축방향 퍼짐을 고려하여 이론적으로 이득을 계산하였다.

• 한국진공학회지
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• 제11권2호
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• pp.127-134
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• 2002

본 논문은 AC PDP에서 사용하는 가스의 혼합비, 압력, 페닝 효과를 고려한 가스 조합의 최적화를 통해 낮은 방전전압으로 휘도의 증가를 얻을 수 있는 고휘도, 고효율 PDP 페닝 기체 혼합비를 찾고자 하였다. He(70%)-Ne(27%)-Xe(3%)의 3원 혼합기체와 Ne(96%)Xe(4%)의 2원 혼합기체에 페닝 효과를 극대화하기 위한 소량의 Ar, Kr을 첨가하여 각각의 첨가비에 따른 방전 개시전압, 방전 유지전압, 휘도, 발광효율 등을 측정하였다. 또한 페닝효과에 의한 방전 공간상의 전자수 증가를 확인하기 위해 셀 내의 전극 위에 쌓이는 벽전하 양을 측정하였다. 소량의 Ar(0.01%-0.03%) 또는 Kr(0.01%-0.03%)을 HE-Ne-Xe과 Ne-Xe 혼합가스에 첨가했을 때 페닝효과에 기인하여 휘도 및 발광효율이 각각 최고 10%-20% 증가하였다. 또한 페닝효과를 확인하기 위한 벽전하의 양은 10%-25% 증가를 보였다. 방전개시전압 및 최소방전유지전압은 대략 2V-3V정도 감소하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.9-18
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• 1987

DPCM의 선형예측기를 비감광성 원소(dummy pixel)를 가지고 있는 선형 감광성 전하결합소자(CCD)를 광전자 시스템으로 구현하는 방법을 제시하였다. 종래의 시스템과 마찬가지로 이 시스템은 입력광원, 공간여파기(마스크), 선형감광성 CCD의 3부분으로 구성되었다. 비감광성 원소에 의한 시간지연을 고려하여 종래의 마스크를 변형하여 각 예측계수를 하나 이상의 마스크 원소에 분산시킨, 새로운 방식의 분산형 마스크를 제시하고 이 마스크를 사용할 때의 특성을 이론적으로 분석하였으며 실험으로 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.60-65
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• 1984

본 논문은 광통신용 광원의 가장 중요한 설계변수인 주파수응답의 최적화를 위하여 대칭 CaAs/(Ca, Al)As DH-LED를 모델로 채택하여 다이오드의 설계변수들인 활성층의 불순물농도, 활성층폭, 소수캐리어수명, 금지대폭, 굴절률, 공간전하용량, 주입전류밀도 등의 물리적 제인자들의 백호관계를 체계적으로 정립하여 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 최적설계변수치들을 설정하는데 그 목적이 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.328.1-328.1
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• 2016

높은 집적도를 가진 소자에 대한 요구가 커지면서 낸드 플래시 메모리에 대한 연구가 많이 이루어 지고 있다. 그러나 소자의 크기가 작아지면서 게이트 누설 전류, 셀간 간섭, 단 채널 효과 등과 같은 문제들이 발생한다. 이에 따라 제한된 공간에서의 coupling ratio값을 증가시켜야 하는 문제가 주목 받으면서 얇은 절연층에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 절연층 구조를 비대칭으로 사용한 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성을 멀티 오리엔테이션 모델을 포함한 3차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다. 메모리 소자가 각 셀 간의 절연층을 가질 때 낮은 셀 간 간섭과 높은 coupling ratio 값을 가진다. 절연층 구조의 높이와 방향의 두께가 증가할수록 게이트 누설 전류의 값이 감소하였다. 또한 비대칭 절연층 구조의 플래시 메모리에서 플로팅 게이트의 on-current 레벨과 전위 값이 기존의 플래시 메모리에 비해 크게 나타나는 시뮬레이션 결과값을 관찰하였다. 비대칭 절연층 구조를 가지는 플래시 메모리는 게이트 누설 전류에 영향을 미치는 절연층 주위의 전기장의 값이 기존 구조에 비해 약 30 % 감소하였고 같은 프로그램 동작 전압에서 플로팅 게이트에 주입되는 전하의 양 또한 증가하였다. 이 연구 결과는 낸드 플래시 메모리 소자에서 게이트 누설 전류 문제를 감소시키고 프로그램 특성을 증진시키는데 도움이 된다.

• 한국재료학회지
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• 제7권10호
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• pp.891-897
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• 1997

본 논문은 용액법으로 성장시킨 저밀도 폴리에틸렌 박막의 냉각 조건에 따른 결정화도의 관계와 냉각 조건에 따른 전기전도현상, 유전특성 및 절연파괴에 관하 연구로서 박막은 140[$^{\circ}C$]에서 2시간 유지후 냉각 조건을 달리하여 제작하였다. 결정화도는 XRD를 이용하여 측정하였으며 냉각 속도가 빠를수록 결정화도가 감소함을 볼 수 있었다. 전기전도현상은 냉각 조건에 무관하게 저전계에서는 이온전도특성이 나타나고 고전계에서는 공간전하제한전류이론이 지배적이다. 절연파괴전계는 냉각속도가 증가할수록 증가하고 self-healing절연파괴 방법에서는 시험회수가 증가할수록 증가하였다.