An Improvement of the Gas Discharge Structure of the AMD Gate PDP

This research has improved the problem of discharge AND gate PDP proposed before. The polarity of the DC discharge which composes AND gate is reversely designed and the cross talk problem to the adjacent scanning electrode has been improved. The AND gate proposed before operated by using non-linearity of the discharge by the space charge. In this research, new discharge NOT logic in which it was used that an applied voltage changed with the discharge circuit was added to AND gate. AND gate came to operate more stably. A selective address was able to be discharged with four horizontal scanning electrodes from the experiment result. The operation margin of the AND gate discharge obtained 34V and of the address discharge obtained 70V.

AND Gate PDP의 기체방전구조 개선

본 연구는 기존에 제안한 방전 AND gate PDP의 문제점을 개선한 연구결과로서 AND gate를 구성하는 DC 방전의 극성을 반대로 설계하여 인접 주사전극에 대한 cross talk 문제를 개선하였다. 또한 기존의 AND gate의 동작이 공간전하에 의한 방전의 비선형성에 의존한 것과는 달리 본 연구에서 제안한 AND gate는 방전 회로에 따라 인가전압이 변화하는 것을 이용한 NOT 논리를 AND gate에 부가하여 동작이 한층 안정해 졌다. 실험 결과4개의 수평 주사전극에 대해 선택적인 어드레스 방전이 가능하였으며 각각 34V와 70V의 AND 방전 및 Data 방전의 동작마진을 얻을 수가 있었다.