• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.315-316
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• 2009

본 논문에서는 1W 급 이상의 고출력 LED 용 패키지로서 세라믹 LTCC 적층 패키지의 방열 특성을 평가하고 열해석 결과와의 차이에 대해 고찰하였다. 특히, 세라믹 패키지의 방열 특성을 향상시키기 위해 Thermal Via와 Heat slug를 LED Chip 하단부에 위치시켰을 때 방열 특성을 평가하기 위해 Transient Thermal Test를 이용하여 각각의 경우에 대한 열저항을 평가하여 방열 특성의 항상 정도를 확인하였으며, 열해석 시뮬레이션을 통해 얻은 결과와 비교하였다. 평가 결과 Heat slug를 배치한 패키지가 열저항이 $8^{\circ}C/W$로서 가장 우수한 특성을 보여주었으며, 열해석 결과와의 차이에 대해서는 광출력으로 방출된 전력을 계산하여 보정함으로써 $1^{\circ}C$ 이하의 편차를 보여주는 결과를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.9 no.3
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• pp.649-657
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• 2008

This paper describes the optimized output performances such as output power and the third order intermodulation in GaN high power transistor packages which consist of chip die, chip capacitors, and wire bonding. The optimized output power according to wire bonding techniques, and third order intermodulation performances according to wire bonding and bias conditions are discussed. In addition, it is shown through the nonlinear simulation that how the output performances are sensitive to the inductance values which are realized by wire bonding for matching network in the limited package area.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.17 no.4
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• pp.19-26
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• 2010

We found that saturated water vapor pressure is the most dominant stress factor for the degradation phenomenon in the package for high-power phosphor-converted white light emitting diode (high power LED). Also, we proved that saturated water vapor pressure is effective acceleration stress of LED package degradation from an acceleration life test. Test conditions were $121^{\circ}C$, 100% R.H., and max. 168 h storage with and without 350 mA. The accelerating tests in both conditions cause optical power loss, reduction of spectrum intensity, device leakage current, and thermal resistance in the package. Also, dark brown color and pore induced by hygro-mechanical stress partially contribute to the degradation of LED package. From these results, we have known that the saturated water vapor pressure stress is adequate as the acceleration stress for shortening life test time of LED packages.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.23 no.4
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• pp.35-41
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• 2016

Ceramic-metal based high power LED array package was developed via thick film LTCC technology using a glass-ceramic insulation layer and a silver conductor patterns directly printed on the aluminum heat sink substrate. The thermal resistance measurement using thermal transient tester revealed that ceramic-metal base LED package exhibited a superior heat dissipation property to compare with the previously known packaging method such as FR-4 based MCPCB. A prototype LED package sub-module with 50 watts power rating was fabricated using a ceramic-metal base chip-on-a board technology with minimized camber deformation during heat treatment by using partially covered glass-ceramic insulation layer design onto the aluminum heat spread substrate. This modified circuit design resulted in a camber-free packaging substrate and an enhanced heat transfer property compared with conventional MCPCB package. In addition, the partially covered design provided a material cost reduction compared with the fully covered one.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2012.05b
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• pp.690-692
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• 2012

전도도가 우수한 알루미늄 및 알루미나 소재를 사용하여 LED 패키지를 제작하였다. 선택적 양극산화 공정을 적용하여 알루미늄 기판 상에 알루미나를 형성하고 이를 유전체로 사용하였다. 패키지 기판에 따른 열저항 및 광량 분석을 위해 알루미늄 기판과 알루미나 기판을 제작하여 성능 비교분석을 진행하였다. 알루미늄 기판이 알루미나 기판보다 우수한 열저항 및 발광효율 특성을 보여주었으며, 이러한 결과는 선택적 양극산화 공정을 사용한 알루미늄 기판이 고출력 LED 패키지용 기판으로 활용할 수 있음을 보여준다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.29 no.6
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• pp.1-13
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• 2014

GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.30 no.1
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• pp.39-47
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• 2016

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.297-298
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• 2009

대부분의 반도체 소자의 고장 원인은 85%정도가 열로 인한 것이며, 고출력 LED는 인가된 에너지의 20%정도의 광으로 출력되며 나머지 80%가 열로 전환된다. 본 논문에서는 PMS-50과 KEITHLEY 2430을 이용하여 PCB 구조와 Via hole 구성에 따른 LED 패키지의 열적 광학적 특성을 분석하였다. 0.6mm의 Via hole을 가진 FR4 PCB의 열특성이 가장 우수하였으며, Via hole 0.6mm FR4 PCB의 경우 McPCB에 상응하는 광출력 특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.05a
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• pp.214-217
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• 2009

본 논문에서는 고출력 LED 투광등의 방열 기술 동향을 살펴본다. 이를 위해 LED 방열에 사용되는 대표적 기술로서 LED 패키지 방열 기술, 공랭식 방열 기술, 수냉식 방열 기술, 열전 소자 방열 기술에 대한 기술적 특징을 분석하고 각각의 국내외 관련 기술 개발 현황을 제시한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2010.05b
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• pp.693-695
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• 2010

3~5W의 출력을 내는 MR16 LED 조명기구는 저 전력, 긴 수명으로 인해 에너지 문제를 해결하기 위한 중요한 요소로 작용한다. 반면에 정션 온도 상승으로 인해 수명이 급격히 단축하는 문제점이 발생하므로 방열 문제를 해결하는 것이 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 단일 고출력 LED 패키지를 이용한 MR16 조명등의 개발을 위해 1차원 열저항 해석 및 3차원 CFD 해석을 수행하였다.