• 전자공학회논문지A
• /
• 제31A권12호
• /
• pp.31-37
• /
• 1994

Aluminum films were deposited by the pyrolysis of triisobutylaluminum(TIBA) in a cold wall LPCVD system for the metallization of high level IC. the selectivity on Si/SiO2 substrate and the contact resistance on submicron contacts were investigated. The carbon free aluminum film could be obtained when the aluminum film was deposited at low substrate temperature. Contact resistances of CVD Al/n+ Si contacts whose contact size was 0.5 .mu.m werre as low as 20~40.OMEGA./ea, which is 30~50% of contact resistance obtained by sputtering technique.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
• /
• pp.38-39
• /
• 2001

반도체에서 소자의 크기를 작게 하고 집적도를 높임으로서 성능과 효율을 증가시키는 노력이 계속되듯이 광소자의 경우에도 고효율을 갖는 아주 작은 크기의 발광소자를 만들어서 광 정보처리에 이용하려는 노력이 진행중이다. 특히 마이크론 크기의 공진기와 이득물질간의 광결합 효율이 높으면 레이저 발진 문턱이 낮아진다는 원리를 이용한 마이크로 레이저 연구가 활발하다. 이러한 마이크로 레이저의 연구는 크게 두 가지 방향으로 진행된다. (중략)

• 한국광학회지
• /
• 제32권4호
• /
• pp.180-186
• /
• 2021

불화폴리이미드는 우수한 광투과율과 광학적 굴절률이 높은 특징을 가지며 이를 이용하여 제작된 폴리머 광도파로 위상변조기는 광손실이 작고 저전력으로 안정적인 위상제어가 가능하게 된다. 본 논문에서는 고굴절률 불화폴리이미드를 이용하여 광도파로 위상변조기를 설계하고 제작하여 특성을 분석하였다. 광도파로를 제작하여 손실을 측정하기에 효율적인 새로운 방법을 제시하였고, 제작된 폴리이미드 광도파로의 전파손실은 0.9 dB/cm로 확인되었다. 위상변조기는 π 위상변화를 위해 9.1 mW의 전력을 필요로 하였으며, 기존 폴리머 위상변조기 대비 응답속도가 10배 정도 향상된 290 μs 정도의 응답시간을 가지는 것을 확인하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제14권4호
• /
• pp.207-214
• /
• 2005

본 연구에서는 스위치, 위상변위기, 감쇄기등 전파제어회로를 설계 및 제작할 수 있는 pHEMT스위치 소자에 적합한 에피구조를 설계하였다. 고성능의 스위치 소자를 위한 pHEMT 채널층 구조는 이중 면도핑층을 가지며 사용 중 게이트 전극의 전계강도가 약한 깊은 쪽 채널층의 Si 면농도가 상층부보다 약 1/4정도 낮을 경우 격리도등 우수한 특성을 보였다. 설계된 에피구조와 ETRI의 $0.5\mu$m pHEMT MMIC 공정을 이용하여 2.4GHz 및 5GHz 대역 표준 무선랜 단말기에 활용 가능한 SPDT Tx/Rx MMIC 스위치를 설계 및 제작하였다. 제작된 SPDT형 스위치는 주파수 6.0 GHz, 동작전압 0/-3V에서 삽입손실 0.849 dB, 격리도 32.638 dB, 그리고 반사손실 11.006 dB의 특성을 보였으며, 전력전송능력인 $P\_{1dB}$는 약 25dBm, 그리고 선형성의 척도인 IIP3는 42 dBm 이상으로 평가되었다. 이와 같은 칩의 성능은 본 연구에서 개발된 SPDT 단일고주파집적회로 스위치가 2.4GHz뿐만 아니라 SGHB 대역 무선랜 단말기에 활용이 충분히 가능함을 말해준다.

• 전력전자학회논문지
• /
• 제6권6호
• /
• pp.564-571
• /
• 2001

본 논문은 휴대용 기기를 위한 고효율의 저전압용 DC/DC 컨버터의 고집적회로에 관한 연구이다. 컨버터의 모든 능동 소자들은 0.65$\mu\textrm{m}$표준 CMOS 공정을 사용하여 단일 칩으로 구현하였다 수종 소자들의 크기를 줄이기 위해서 1MHz의 주파수에서 동작하며 높은 주파수에서 의스위칭 손실을 최소화하기 위하여 ZVS 방식으로 설계하였다. 시뮬레이션 결과 출력 전압이 2V일때 1W의 출력을 가지며 full 부하에서 95%의 효율을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제10권10호
• /
• pp.1804-1809
• /
• 2006

본 고에서는 디지털 회로의 저 전력소모의 설계와 구현에 관련된 디지털 전대역 회로 설계를 통해서 전반적인 전력 소모의 방법론과 이의 특성을 고찰하고자 한다. 디지털 집적회로의 설계는 광대하고 복잡한 영역이기에 우리는 이를 저전력 소모의 전반적인 회로 설계에 한정할 필요가 있다. 여기에는 로직회로의 합성과, 디지털 전대역 회로설계에 포함되어 있는 입력 clock 버퍼, 레치, 전압 Regulator, 그리고 케페시턴스와 전압기가 0.12 마이크론의 기술로 0.9V의 전압과 함께 쓰여져서 동적 그리고 정적 에너지 소모와 압력, 가속, Junction temperature 등을 모니터 할 수 있게 되어 있다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제12권8호
• /
• pp.18-23
• /
• 1999

InP 소자 기술은 밀리미터파 회로 제작에 지금까지 개발된 기술 중 가장 경쟁력 있는 기술로 InP HEMT와 HBT를 이용하여 100㎓ 이상의 회로가 만들어지고 있다. GaAs 소자 기술에 비해 InP 소자기술은 주파수 특성과 잡음특성, 집적도에 있어서 우수하나 반면에 V-band 이하의 주파수에서 전력특성이 나쁘며, 가격이 비싼 단점이 있다. V-band 이상의 고주파 대역에서 InP 소자기술은 대부분의 면에서 GaAs 소자기술을 능가하여 극초고주파에서 적용가능한 유일한 소자기술이 된다. 본 논문에서는 InP 소자 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다.

• 한국광학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.224-228
• /
• 2008

본 논문에서는 폴리머 마이크로링 공진기 기반의 고감도 집적광학형 온도센서를 제안하고 구현하였다. 이 센서는 열광학효과로 인한 공진기 소자의 공진파장의 이동으로부터 주변 온도 변화를 측정한다. 열팽창계수가 작은 실리콘 기판 위에 열광학계수가 큰 폴리머를 도입하여 공진기 센서를 제작함으로써 센서의 감도를 향상시켰다. 상온 부근 $20^{\circ}C{\sim}30^{\circ}C$의 범위에서 얻어진 온도센서의 감도는 약 -165 ${\pm}/^{\circ}C$였고, 온도분해능은 $0.1^{\circ}C$이하였다. 그리고 제작된 온도센서의 동작 특성은 표면에 놓여진 분석대상물의 굴절률 변화에 거의 영향을 받지 않음을 확인하였다. 따라서 제작된 센서는 다른 광센서에 집적되어 주변 온도 변화로 인하여 유발되는 오차를 효과적으로 보정할 수 있을 것으로 기대된다.

• 센서학회지
• /
• 제3권1호
• /
• pp.46-53
• /
• 1994

본 논문에서는 FA용 센서 중의 하나인 고주파 발진형 근접 센서 시스템을 CMOS를 이용하여 설계하였다. 금속 물체의 원근에 따라 발생되는 크기가 다른 두 정현파를 전파정류부와 평활회로부를 통하여 DC 전압으로 전환하여 정전류회로의 출력단에 전류를 흐르게 한다. 슈미트 트리거를 사용하여 전압 레벨의 노이즈를 제거한다. 이를 통하여 고주파 발진형 근접 센서 시스템이 소형, 경량화, 저 소비 전력의 이점을 갖도록 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.459-466
• /
• 2000

For the applications in the ultra-large-scale-integration (ULSI) metallization processing copper thin films have been prepared by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technology on TiN/Si substrates. The films have been deposited with varying the experimental conditions of substrate temperatures and copper source vapor pressures. The films were then annealed in a vacuum condition after the deposition and the annealing effect to the electrical conductivity of the films was measured. The grain size and the crystallinity of the films were observed to be increased by the post annealing and the electrical conductivity was also increased. The best electrical property of the copper film was obtained by in-situ annealing treatment at above 40$0^{\circ}C$ for the sample prepared at 18$0^{\circ}C$ of the substrate temperature.