• 전기의세계
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• v.39 no.3
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• pp.15-20
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• 1990

GIS에서의 유한요소법을 이용한 전계계산의 적용례를 기술하면 GIS의 절연성능향상 및 고신뢰성을 위해서는 정도높은 전계계산 수단이 필요하며 GIS와 같은 고전압 전력기기의 절연설계시에는 정전계계산기술을 적극적으로 활용, 고신뢰성의 중전기를 생산공급하여, 양질의 전력공급 및 계통의 안정화에 더욱 공헌하고자 한다.

• 전기의세계
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• v.42 no.5
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• pp.10-16
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• 1993

765KV 송전전압 격상사업이 국내 기술의 주도로 성공적으로 완료되면 고전압 분야의 기술 수준을 한단계 높이는 계기가 될것으로 믿어 의심치 않으며 또한 국내 중전기 기기 제작분야의 기술 능력이 고도화 되므로 국제간의 경쟁력이 크게 향상될 것으로 기대한다. 이러한 국제 경쟁력 향상은 전력수요의 성장이 크게 예상되는 주변의 북방 국가 또는 개발 도상국의 전력 산업계에서 한국의 역활이 증대되는데 기여하게 될 것이라 확신한다.

• Proceedings of the SCSK Conference
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• 1994.07a
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• pp.54-66
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• 1994

외부 환경에 대한 장벽으로서 피부기능의 고전적인 개념은 중요한 신진대사와 면역학적 작용이 일어나는 것을 인식함으로써 확장 되었다. 피부의 면역학적 역할은 면역적 상해의 단순한 표적 이라는 것에서 피부와 연관된 피부와 면역반응의 개시와 조절에서 활발한 역할을 수행하는 것으로 확대되었다. 본 총설은 면역계의 토대가 되는 중요한 기작을 알아보고자 한다. 또한 Langerhans cells와 keratinocytes 뿐만아니라 항산화제, 자와선, 지방산 등이 피부 노화에 미치는 영향에 대해 알아보고자 한다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.19 no.1
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• pp.1-8
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• 2016

Capacity of layered lithium nickel-cobalt-manganese oxide ($LiNi_{1-x-y}Co_xMn_yO_2$) cathode material can increase by raising the charge cut-off voltage above 4.3 V vs. $Li/Li^+$, but it is limited due to anodic instability of conventional electrolyte. We have been screening and evaluating various sulfone-based compounds of dimethyl sulfone (DMS), diethyl sulfone (DES), ethyl methyl sulfone (EMS) as electrolyte additives for high-voltage applications. Here we report improved cycling performance of $LiNi_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode by the use of dimethyl sulfone (DMS) additive under an aggressive charge condition of 4.6 V, compared to that in conventional electrolyte, and cathode-electrolyte interfacial reaction behavior. The cathode with DMS delivered discharge capacities of $198-173mAhg^{-1}$ over 50 cycles and capacity retention of 84%. Surface analysis results indicate that DMS induces to form a surface protective film at the cathode and inhibit metal-dissolution, which is correlated to improved high-voltage cycling performance.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 1992.10a
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• pp.130-135
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• 1992

복잡한 구조물의 동특성 해석은 수치 해석적인 방법과 실험적 방법 모두 단 순 구조물의 동특성 해석에 비해 정확도가 떨어지는 반면 계산시간과 노력 은 크게 증가하게 된다. 이 경우 구조물 전체를 여러개의 간단한 부분 구조 계로 부할하고, 각 부분 구조계에 대해서 해석후 그 결과들을 적절한 결합 조건하에서 다시 조합하여 전체 구조계에 대해 동특성 해석을 수행하거나, 고감쇠 처리된 구조물과 같이 고전적 이론 해석기법의 적용이 어려운 경우 실험적인 해석방법과 이론적인 해서방법을 혼합 사용할 수 있는 부분 구조 합성법(Substructural Synthesis Method)을 사용하는 것이 효과적이다. 부분 구조합성법은 1) 응답특성을 이용한 방법 2) 모우드 특성을 이용한 방법 3) 특성행렬을 이용한 방법 등이 있으며 본 연구에서는 부분 구조계 응답함수 로부터 직접 특성행렬을 산출하는 방법을 이용하여 전체 구조계의 동특성을 해석할 수 있는 부분 구조 합성법을 제시하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.2
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• pp.116-121
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• 2003

We have observed a nonclassical effect in a fourth-order interference experiment with the photon pairs produced by parametric down-conversion and the Hong-Ou-Handel interferometer. For interfering classical fields with orthogonal polarizations, the visibility can be no larger than 50%, and it depends on the ratio of the two beam intensities. It is found that not only is our observed visibility of 85％ well above 50％, but it is also independent of the two beam intensities in coincidence measurements made in a two-photon polarization correlation experiment.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.158-158
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• 2009

기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환하는 에너지 변환소자인 압전 세라믹스는 액추에이터, 변압기, 초음파모터 및 각종 센서로 응용되고 있으며, 그 응용분야는 크게 증가하고 있다. 최근에는 이러한 압전 소자를 앞으로 도래하는 ubiquitous, 무선 모바일 시대의 휴대용 전자제품, robotics 등의 분야에 적용하기 위하여 소형화 및 경량화를 구현하고자 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 압전 특성이 우수한 PNN-PMN-PZT 삼원계 세라믹을 이용하여 압전 트랜스포머를 제작하고 전기적 특성을 평가하였다. 압전트랜스포머는 전왜-압전효과를 이용한 소전력용 고전압발생소자로서 종래의 권선형 트랜스포머에 비교해서 소형, 경량이면서 승압비가 높고 구조가 간단하므로 직류 고전압전원에 응용되고 있다. 압전트랜스의 이론적인 고찰은 Rosen 이후로 많은 연구자들에 의해서 보고되었다. 그런데 압전세라믹트랜스는 공진 시 강력한 에너지변환을 하기 때문에 재료의 물리적 특성이 매우 중요함에도 불구하고, 이러한 물리적 특성에 관한 연구는 거의 없었다. 따라서 본 연구에서는 물리적 특성과 전기적 특성의 상호 연관성을 고찰하고자 하였다. 압전트랜스용 재료는 전기기계결합계수($k_p$)와 기계적품질계수(Qm)가 높아야 한다. 전기기계결합계수를 높이기 위해서는 상경계 조성의 Pb(Zr,Ti)$O_3$[PZT]계 세라믹스가 가장 우수하다. 본 연구에서는 기계적 품질계수를 향상시키기 위해서 $Pb(Nn_{1/3}Nb_{2/3})_{0.06+x}(Mn_{1/3}Nb_{2/3})_{0.065-x}(Zr_{0.48}Ti_{0.52})_{0.875}0_3$계의 조성을 설계하여 압전특성을 평가하고 미세구조를 분석하였다. 또한 압전트랜스를 제작하여 입출력의 승압비 및 주파수 특성 등도 평가하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.15 no.3
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• pp.51-56
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• 2001

In this paper, the effect of magnetic field on corona discharge phenomena was experimentally investigated in the needle-plate electrode geometry. Needle-plate geometry discharge system with magnetic field at a right angle to the electric field was made. The corona discharge characteristics with magnetic field were investigated and compared with the corona characteristics without magnetic field in atmospheric pressure. As a result, in case of positive DC corona discharge with magnetic field, corona discharge zone was significantly wider, corona current was lower, and breakdown voltage was higher than those without magnetic field. However, in case of negative DC corona discharge with magnetic field, corona current was slightly higher and breakdown voltage was lower than those without magnetic field. It is thought that this result is due to cyclotron motion of charged particles such as electron and ion by magnetic field.

• Annual Conference on Human and Language Technology
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• 1993.10a
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• pp.427-436
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• 1993

국제 표준화 기구 (ISO) 에서는 1992년에 국제 표준 글자 부호계 ISO 10646을 확정하였는데, 거기에 들어 있는 국제 표준 한글 부호계는 새로운 조합형과 완성형 두 가지로 이루어져 있으며, 새로운 조합형은 옛한글까지 완벽하게 지원할 수 있다. 그러나 아직까지 이 새로운 조합형의 실용성에 대한 실증적인 연구가 없었다. 본 논문에서는, 새로운 조합형 한글 부호계를 지원하는 옛 한글 문서 편집기 개발 과정을 살펴보고, 또한 편집기 개발을 통하여 확인한 다음 두 가지 점에 대해서도 살펴보겠다. 첫째, 새로운 조합형을 써서 한글 정보 처리를 하는 데 아무 문제가 없으며, 둘째, 새로운 조합형으로 옛 한글을 지원할 수 있다는 사실을 확인할 수 있었다. 옛 한글 문서 편집기의 성공적인 개발로, 이 때까지 어려움을 겪었던 옛 한글 자료의 전산화가 가능하게 되어, 우리의 고전에 대한 연구가 활발해질 것으로 예상한다.

• Clean Technology
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• v.28 no.3
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• pp.227-231
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• 2022

The demand for high-voltage power devices is rising in various industries, but especially in the transportation industry due to autonomous driving and electric vehicles. IGBT module parts of 3.3 kV or more are used in the power propulsion control device of electric vehicles, and the procurement of these parts for new construction and maintenance is increasing every year. In addition, research to optimize high-voltage IGBT parts is urgently required to overcome their very high technology entry barrier. For the development of high-voltage IGBT devices over 3.3 kV, the resistivity range setting of the wafer and the optimal conditions for major unit processes are important variables. Among the manufacturing processes to secure the optimal junction depth, the optimization of the diffusion process, which is one step of the unit process, was examined. In the diffusion process, the type of gas injected, the injection time, and the injection temperature are the main variables. In this study, the range of wafer resistance (Ω cm) was set for the development of high voltage IGBT devices through unit process simulation. Additionally, the well drive in (WDR) condition optimization of the diffusion process according to temperature was studied. The junction depth was 7.4 to7.5 ㎛ for a ring pattern width of 23.5 to25.87 ㎛, which can be optimized for supporting 3.3 kV high voltage power devices.