Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1997.10a
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pp.105-109
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1997
요소결정성장에 용매와 불순물이 주는 영향을 Monte Carlo법과 분자동역학법을 통해 분석하였으며 이를 통해 불순물인 Biuret이 결정의 Morphology에 대한 영향뿐만 아니라 내부격자에 용매인 물을 흡착시킨다는 것을 확인하였다. 또한 계면의 용매, 용질 그리고 격자층의 확산계수를 분석한 결과 용매인 물이 "Roughening Transition" 메커니즘으로 결정성장에 영향을 준다는 것을 밝혔다.다는 것을 밝혔다.
(주) A유통은 IMF시대의 경제불황에도 불구하고 PC 판매액을 전략적 마케팅활동을 통해서 5개월만에 200% 성장을 이루었고 '99년에는 250% 성장을 계획하고있다. (주) A유통의 컴퓨터 사업부는 '98년 8월 마케팅부서를 개편하면서 전략적 마케팅계획을 수립하였다. 마케팅계획의 핵심은 고객의 입장에서 (주) A유통의 영업활동을 평가하고 판매자 입장에서 제공하는 편익이 아니라 고객의 입장에서 고객이 원하는 편익을 제공하는 것이었다. '98년 IMF 상황만큼 국내경기 여건이 어려웠기 때문에 기업의 모든 경영지표가 역(-)성장을 기록하는 상황이었으나 막대한 경영자원의 투자 없이 전략적 마케팅 활동만으로 PC 판매액을 두배 이상 성장시키는 결과를 가져왔다.
Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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2017.05a
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pp.221-222
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2017
본 연구는 호텔직원의 성장욕구와 직업존중감이 고객지향성에 미치는 영향과 심리적 주인의식이 직원의 고객지향성의 관계에 미치는 매개효과에 대해 연구하였으며 서울지역에 소재한 특급호텔 직원을 대상으로 실증분석을 시행하였다. 그 결과, 직원의 성장욕구와 직업존중감이 고객지향성에 유의한 영향력이 있고 심리적 주인의식이 직원의 성장욕구와 직업존중감과 고객지향성의 관계에 완전한 매개효과를 미치는 것을 확인하였다. 이러한 연구결과를 바탕으로 호텔 인사담당자를 위한 직원관리에 대한 이론적 의미와 시사점 그리고 향후연구방향을 제시하였다.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2004.05a
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pp.147-153
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2004
본 연구에서는 MOCVD 반응기의 온도분포가 필름 성장률에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 온도해석에는 반응기 벽면의 전도열전달과 기체의 대류열전달이 포함되었다. 또 서셉터와 실험에 사용된 그래파이트 평판 사이의 웨이퍼 미세 간극을 해석에 포함하여 반응기 내부의 온도를 예측하였다. 정밀한 온도해석을 통해 얻은 반응기의 온도 분포를 이용하여 GaAs와 InP의 필름성장률을 해석하였으며 그 결과 미세 틈새가 GaAs의 필름 성장률에 영향을 미치는 것을 확인하였다.
국내 패키징 산업의 규모와 현황을 분석, 추정하기 위하여 산업통상자원부와 생산기술연구원(패키징기술센터)이 '2012년 패키징 산업 통계조사'를 실시하였으며, 조사 결과 국내 패키징 산업 시장 규모는 지속적인 성장세를 보이고 있는 것으로 나타났다. 2011년도 패키징 산업 매출액 규모는 총33조 4,227억원으로 추정되었고 2010년(31조 2,932억원) 대비 68% 증가하였으며, 이는 세계 패키징 시장(약 6,700억 달라 2016년까지 8,200억 달러 3% 성장률) 성장률의 2배로 빠르게 증가하는 것으로 조사되었다. 이와 관련하여 '2012년도 패키징산업 통계조사 결과'를 요약한 내용 전문을 한국생산기술연구원 패키징기술센터로부터 입수 받아 본 잡지에 게재하오니 독자 여러분의 많은 활용 바랍니다.
Among total 176 strains with antialgal effects isolated from So-ok stream in Korea, Pseudomonas aeruginosa AJ1 showed the highest removal efficiency for an algal species Microcystis aeruginosa (clear zone of diameter 50.0 mm on algal lawn after 20 days). The algal growth was suppressed even when the supernatant of AJ1 culture was applied, suggesting that extracellular substances are responsible for its antialgal activity. The removal activity of AJ1 was optimal under the following condition: pH 8, $30^{\circ}C$, and mannitol as a carbon source. The antialgal activity of AJ1 appeared to be dependent of the growth phase of M. aeruginosa, i.e., the highest at the early phase, but not its own phase. As expected, the algicidal effect was improved as the amount of the treated supernatant was increased; the highest removal efficiency (80.3%) was achieved when 40 ml/L of the supernatant was used. Interestingly, however, the removal rate was opposite. The highest removal rate ($8.2{\mu}g$ chl-a/ml supernatant/day) was achieved when low concentration (10 ml/L) was applied. These results suggest that P. aeruginosa AJ1 is a promising biological agent to control the problematic algal bloom.
Current software reliability growth models based on Gompertz growth curve are all logarithmic type. Software reliability growth models based on logarithmic type Gompertz growth curve has difficulties in parameter estimation. Therefore this paper proposes a software reliability growth model based on the logistic type Gompertz growth curie. Its usefulness is empirically verified by analyzing the failure data sets obtained from 13 different software projects. The parameters of model are estimated by linear regression through variable transformation or Virene's method. The proposed model is compared with respect to the average relative prediction error criterion. Experimental results show that the pro-posed model performs better the models based on the logarithmic type Gompertz growth curve.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.113-113
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1999
최근의 고품질 III-N 화합물 반도체 박막성장과 더불어 청색계열의 LED 및 LD의 성공적인 실현은 본 연구분야에 대한 새롭고 헌신적인 상업적, 학문적/ 기술적 투자환경을 유도해 나가고 있다. 특히, c-축 배향 단결정 사파이어를 기판재료로 사용하고 얇은 GaN buffer의 사용은 고온에서 그 위에 성장되는 성장박막의 특성을 크게 향상시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 절연체를 기판으로 사용함에 따른 소자구조 및 제작공정의 복잡성과 기판과 GaN 박막사이의 큰 격자 부정합에 따른 결함센터 등은 소자의 전기, 광학적, 구조적 특성에 부정적인 영향을 미치고 있다. 이러한 문제점을 해결하고 양질의 박막을 성장하기 위한 GaN 혹은 그 대체 기판의 개발에 많은 연구투자가 이루어지고 있는 현실 속에서 Si을 기판으로 이용한 GaN 성장의 가능성이 조심스럽게 점쳐지고 있다. 현재까지의 연구결과를 참조할 때 대체로 복잡한 interlayer를 사용하여 박막성장이 일부 이루어졌으나 그 재현성이나 성장의 중요인자에 대한 해석은 아직 분명하게 밝혀져 있지 않다. 본 연구에서는 원자적 관점에서 Si의 표면에 일부 변화를 유도하고, MOCVD 방법으로 그 위에 성장되는 GaN 박막의 광학적 및 표면 morphology 등에 미치는 영향을 분석하여 핵심적인 성장인자를 추출하고자 시도하였다. 성장된 GaN/Si 박막의 물성은 SEM(AFM), PL, XRD, Auger depth profile 장비등을 이용하여 조사하였으며 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 박막의 특성들과 비교 검토하였다.
Lee, Song Hee;Kim, Sungtae;Oh, Byoung Jin;Cho, Yongrae;Baek, Sungsun;Yook, Youngjin
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.6
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pp.246-251
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2014
Recent studies have shown methods of improving solar cell efficiency. Especially on single crystalline silicon wafer which is high-efficiency solar cell material that has been widely studied. Interstitial oxygen (Oi) is the main impurity in the Czochralski (Cz) growing method, and excess of this can form precipitates during cell fabrication. We have demonstrated the effect of Oi impurity and oxygen precipitation concentration of the wafer on Cz-silicon solar cell efficiency. The result showed a decrease in cell efficiency as Oi and oxygen precipitation increase. Moreover, we have found that the critical point of [Oi] to bring higher cell efficiency is at 14.5 ppma in non-existent Bulk Micro Defect (BMD).
Park, Dong-U;Ha, Jae-Du;Kim, Yeong-Heon;O, Hye-Min;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su;Jeong, Mun-Seok;No, Sam-Gyu;Lee, Sang-Jun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.291-291
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2011
1차원 반도체인 nanowires (NWs)는 전기적, 광학적으로 일반 bulk구조와 다른 특성을 가지고 있어서 현재 많은 연구가 되고 있다. 일반적으로 NWs는 Au 등의 금속 촉매를 이용하여 성장을 하게 되는데 이때 촉매가 오염물로 작용을 해서 결함을 만들어서 bandgap내에 defect level을 형성하게 된다. 본 연구는 Si(111) 기판 위에 Ga-droplet을 촉매로 사용을 하여 molecular beam epitaxy로 성장을 하였다. 성장온도는 600$^{\circ}C$로 고정을 하였고 growth rate은 GaAs(100) substrate에서 2.5 A/s로 Ga의 양을 고정하고 V/III ratio를 1부터 8까지 변화를 시켰다. As의 양에 따라서 생성되는 NWs의 개수가 증가하고 growth rate이 빨라지는 것을 확인할 수 있었다. Transmission Electron Microscopy 분석 결과 낮은 V/III ratio에서는 zincblende, wurtzite 그리고 stacking faults 가 혼재 되어 있는 것을 확인 할 수 있었다. 이러한 결함은 소자를 만드는데 한계가 있기 때문에 pure zincblende나 pure wurtzite를 가져야 하는데 V/III ratio : 8 에서 pure zincblende구조가 되었다. Gibbs-Thomson effect에 따르면 구조적 변화는 Ga droplet과 NWs의 접면에서 크기가 중요한 역할을 한다[1]. 연구 결과 V/III ratio : 8일 때 Ga droplet의 크기가 zincblende성장에 알맞다는 것을 예상할 수 있었다. laser confocal photoluminescence 결과 상온에서 1.43 eV의 bandgap을 가지는 bulk구조와는 다른 와 1.49eV의 bandgap을 가지는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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