본 논문에서는 새로운 스위치 회로망을 사용하는 광대역 위상 천이기 구조를 제안하였다. 새로운 기준 회로 망은 결합 선로 및 45$^{\circ}$단락 및 개방 스터브들로 각각 구성되며, 지연 회로망은 표준 전송 선로로만 구성된다. 결합 선로의 우모드 및 기모드 임피던스 비 R에 따른 위상 산란 특성과 주 전송 선로의 특성 임피던스 Zm 및 단락 및 개방 스터브들의 특성 임피던스로 Zm에 의한 보다 강한 위상 산란 특성을 함께 사용하므로 광대역 180$^{\circ}$위상 천이기 설계가 가능하다. 제안된 위상 천이기에 대한 이론적인 산란 매개변수들을 얻기 위하여, 구조의 대칭성을 고려하여 우모드 및 기모드 해석 방법을 사용하였으며, 또한, 유도된 수식들을 바탕으로 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 최적의 180$^{\circ}$광대역 위상 천이기 설계를 위한 설계 그라프들을 제시하였다. 설계 그라프들은 Zm과 Zs의 특성 임피던스 값들과 입출력 정합 및 위상 대역폭 값들을 제공한다. 본 논문에서 제안하는 광대역 위상천이기의 전기적인 성능들을 검증하기 위하여, 설계 그래프를 이용하여 3종의 180$^{\circ}$위상 천이기들과 성능 비교를 위해 표준 쉬프만 구조의 180$^{\circ}$위상 천이기를 설계 및 제작하고 실험을 수행하였다. 입출력 임피던스 정합(VSWR=1.15:1) 및 최대 위상 오차$({\varepsilon}_{{\Delta}{\phi}}={\pm}2^{\circ})$설계 조건들을 동시에 만족하는 각 위상 천이기의 실험 결과들은 시뮬레이션 결과들과 잘 일치하였으며, 또한 광대역 특성들을 보여주었다.
본 논문에서는 초광대역의 저지대역과 우수한 cutoff 특성을 가지는 새로운 저역통과 필터를 제안하였다. 우수한 cutoff특성을 얻기 위해 여러단을 배열하는 기존이 저역통과 필터의 단점을 극복하기 위해 두 개방 스터브 사이의 커플링 효과를 이용하였고, 접지면에 슬롯을 형성하여 고주파 부분에서의 저지대역 특성을 개선하였다. 제작한 저역통과 필터는 19.2 ㎜ × 14.9 ㎜ 의 크기로 통과대역에서의 삽입손실은 -0.15 dB 이하이며 1.1 ㎓에서 -3 dB의 차단주파수를 가진다. 저지대역폭은 삽입손실 -20 dB를 기준으로 1.5 ㎓에서 30 ㎓ 이상의 광대역을 이루어 기존 저역통과 필터의 저지대역폭을 획기적으로 증가시켰다.
본 논문에서는 동일 편파 특성과 높은 격리도 특성을 갖는 이중 대역 소형 평면 패치 안테나를 제안하였다. 안테나의 크기를 줄이기 위해 고유전율의 유전체를 사용하였으며, 대역폭 확장을 위해 급전부에 개방스터브를 부착하였다. 크기가 4 mm${\times}$3 mm${\times}$5 mm 인 최적화된 안테나는 VSWR$\leq$ 2를 기준으로 5.6 GHz 대 역과 5.8 GHz 대역에서 각각 3.0 %와 2.8 %의 대역폭을 가졌고, 격리도 특성은 두 대역에서 평균적으로 -26 dB 이하를 얻었다.
본 논문에서는 벨리미터파대 linear tapered slot (LTS) 안테나와 linear constant tapered slot(LCTS) 안테나를 시간영역 유한차분법(FDTD)을 이용하여 최적화한 후. 제작하고 측정하였다. 급전구조로 $\lambda$/4 개방 스터브의 폭을 확장시킨 microstrip-to-slot transition을 사용하여 대역폭이 16.5 GHz(VSWR~2)의 광대역 특성을 갖도록 제안하였다 제작된 안테나의 해석값과 측정값을 비교한 결과 LTS 안테나의 대역폭이 각각 8.3 GHz (26.47%)와 7.1792 GHz(22.44 %) 였고. LCTS 안테나의 대역폭은 각각 8.1 GHz(26.47 %)와 6.3243 GHz(20.43 %)의 우수한 대역폭을 얻을 수 있었다.
본 논문은 이중대역 Pseudo-combline 협대역 대역통과 여파기를 제안한다. 제안한 이중대역 대역통과 여파기의 특징은 개방형 공진 스터브를 사용하고 있으며 ITS와 X-밴드 위성 시스템에 적용이 가능하다. 이중대역 대역통과 여파기는 첫번째 운용 주파수 대역의 중심 주파수 5.8 GHz 그리고 대역폭 3.6 %에서 삽입 및 반사 손실이 각각 1.72 dB 및 15.5 dB 이다. 또한 두 번째 운용 주파수 대역의 중심 주파수 8.5 GHz 그리고 대역폭 3%에서 삽입 및 반사 손실은 각각 1.92 dB 및 16.3 dB 이다.
슬롯 결한 마이크로스트립라인-도파관 천이기에 대해 간략하지만 정확한 등가 회로 모델을 추출하기 위한 해석 방법을 제안한다. 이 등가회로는 이상적 변압기, 마이크로스트립 개방 스터브, 그리고 슬롯 중심에서 도파관 쪽과 급전선 쪽 반평면으로 바라보는 각각의 어드미턴스들로 구성된다. 관련된 회로 변수 값들은 가역 정리 (Reciprocity theorem), 푸리에 변환과 푸리에 급수(Fourier transform and series), 복소 전력 개념(Complex power concept), 파스발 정리(Parceval's theorem), 그리고 스펙트럼 영역 이미턴스 접근법(Spectral-domain immittance approach)에 의해 계산된다. 계산된 산란계수 값을 측정된 값과 비교하였으며 이들 사이의 상당한 일치도는 제안된 등가회로 모델의 간편성과 정확성을 뒷받침한다.
마이크로스트?에 의하여 매직티를 평면상에 구성할 수 있는 방법을 제시한다. H-아암은 병렬회로로 구성되므로 직접 병렬구성을 하였으며, E-아암의 직각결합은 이 마이크로스트릴 회로 마운트에 공간을 형성하고 이 회로의 접지면에 겝을 이용하여 등지적으로 직렬결합이 되게 한다. 특히 E-아암의 겝에서 최대의 결합이 이루어지도록 개방 및 단락 스터브를 마이크로스트립으로 만들어 주었으며, 이때 E와 H-아암에 2:1이 되는 입퍼던스 정합기를 Chewshev 이계변환기로한 결과 S-Band에서는 각 아암에서 1.25보다 작은 VSWR을 얻었으며 분잡도는 -40dB 이하로써 이론치와 잘 일치하는 결과를 얻었다.
종래에서는 혼합기제작에 수동소자인 다이오드를 이용하였으나 다이오드는 수동소자이므로 변환손실을 가저 IF증폭기를 설치하여야 하는 단점이 있으며 잡음이 커서 DBS 수신기의 전단부에 사용하기에는 적합치 못하다. GaAs MESFET 혼합기는 다이오드 혼합기보다 우수한 잡음지수와 혼변조 level을 얻을 수 있다. 특히 위성에서 직접 수신되는 신호는 아주 미약하기 때문에 수신부 전체의 감도를 향상시키기 위해 저잡음 특성을 갖는 소자가 요구된다. HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 진자의 이동도가 매우 빠르므로 GaAs MESFET보다 transconductance가 커서 큰 변환이득과 우수한 잡음특성을 가지며, millimeter-wave주파수 영역에서도 좋은 잡음특성을 나타내고 있다. 본 연구에서는 18 GHz대역까지 사용가능한 저잡음 증폭기용으로 설계된 OKI사의 HEMT소자인 KGF 1860을 이용하여 혼합기를 제작하였고, LO 주파수를 10.6GHz, RF중심주파수를 11.9GHz로하여 설계하여 RF를 11.4 GHz에서 12.2 GHz까지 변화시키면서 측정한 결과 1~l.4 GHz의 IF대역에서 변환이 득을 얻었으며 RF power -20.5.3 dBm, LO power 0.01 dBm에서 최대 변환이 득 3.7 dB를 얻었다. 또한 출력단의 A/4 개방스터브를 제거하였을 경우 RF를 11.1GHz에서 12.7GHz까지 변화시키면서 측정 한 결과 930MHz ~ 1.8GHz 대역에서 최대 변환이 득 1.35dB를 얻었다.
기판 집적 도파관(SIW: Substrate Integrated Waveguide)는 양면 도체 기판과 도체 비아를 사용하여 매우 얇은 구형 도파관을 형성하는 것으로 사용되는 도체 모두가 직류적으로 하나로 연결되어 있어서 직류 전원 공급이 불가능하다. 본 논문에서는 직류 전원 공급이 가능한 folded corrugated substrate integrated waveguide(FCSIW)를 제안한다. 제안된 FCSIW는 SIW에 사용되는 전도성 비아를 구부러진 형태의 개방형 스터브로 대체하여 직류 전원 공급이 가능하다. 이 FCSIW는 기존의 직류 전원 공급이 가능한 corrugated substrate integrated waveguide (CSIW)에서 나타나는 누설파 발생이 없어서 광대역 전송 특성이 우수하고, CSIW에 비하여 전송선의 단면 폭을 30 % 줄일 수 있다. 9~15 GHz 대역에서 측정된 154 mm 길이의 FCSIW의 평균 삽입 손실(1.49 dB)이 CSIW의 값(3.08 dB)에 비하여 매우 우수함을 확인하였으며, 상호 간섭 측정으로부터 누설파가 발생되지 않음을 확인하였다.
고다층 배선 기판에 형성된 개방 스터브(open stub)를 제거한 후면드릴가공홀(Back-Drilled-Hole, BDH)과 일반적인 구조인 관통홀(Plated-Through-Hole, PTH) 구조의 전기적 특성에 대한 분석을 하였으며, 고속 선호를 부품 실장면으로부터 내층의 스트립라인으로 전송하기 위해 비아홀의 급전 길이가 가장 긴 전송층을 선택하였다. 10 GHz의 광대역 주파수 내에서 실험계획법(DOE, design of experiment)을 적용하여 비아홀 구조 내에 외층과 급전층 사이의 비아홀의 길이, 접지층에 형성된 천공(anti-pad)의 크기와 급전층에 형성된 패드 (pad)의 크기가 최대 반사 손실 반전력 주파수와 삽입 손실에 미치는 영향을 분석하였다. 이로 부터 거시적 모델(macro model)을 위한 회귀 실험식을 추출하여 실험 결과와 비교 평가하였고, 실험 영역 외에서도 측정 결과와 5% 이내의 오차를 보이고 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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