• Title/Summary/Keyword: 강유전 특성

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Ferroelectric Properties and DPT in the Perovskite PMT-PT System (Perovskite PMT-PT계의 강유전 특성 및 확산상전이)

  • Kim, Y.J.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.17 no.2
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    • pp.122-129
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    • 2008
  • Ferroelectric properties of the PMT-PT were also studied from the temperature dependence of hysteresis loops using a method slightly modified from Sawyer-Tower's. Dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of the ceramics in the system PMT-PT were investigated. The resulted densities of the PMT-PT ceramics system were greater than 97 % of the theoretical value. As observed SEM micrograph of the fracture surfaces of the PMT-PT ceramics system, the average grain sizes were increased about 3-5 ${\mu}m$ to 6-8 ${\mu}m$ with increasing sintering temperature. The specimens with PT<0.30 for PMT-PT solid solution system exhibited the dielectric and pyroelectric properties of a typical relaxor ferroelectrics. The composition with the maximum dielectric constant exhibits relatively superior pyroelectric and piezoelectric properties.

Effects of ${Y_2}{O_3}$Buffer Layer on Ferroelectric Properties of $YMnO_3$Thin Films Fabricated on Pt/$TiO_2$/$SiO_2$/Si Substrate (Pt/$TiO_2$/$SiO_2$/Si 기판 위에 제조된 $YMnO_3$박막의 강유전 특성에 미치는 ${Y_2}{O_3}$버퍼층의 영향)

  • 김제헌;강승구;은희태
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.37 no.11
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    • pp.1097-1104
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    • 2000
  • MOD(Metal-Organic-Decomposition)법에 의해 $Y_2$O$_3$버퍼층에 Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판 위에 제조한 후, 그 표면 위에 졸-겔 방법으로 YMnO$_3$박막을 형성하였다. 기판의 종류와 수화조건 변화가 YMnO$_3$박막의 결정화 거동에 미치는 영향을 고찰하였으며, 또한 $Y_2$O$_3$버퍼층 유.무에 따른 Mn의 산화상태를 확인하고 이에 따른 유전특성 변화를 연구하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층을 삽입하지 않고 직접 기판 위에 형성한 YMnO$_3$박막의 결정상은 기판의 종류 및 Rw 변화에 관계없이 orthorhombic 구조임이 확인되었다. 반면, $Y_2$O$_3$버퍼층 위에 형성된 YMnO$_3$박막의 경우에는 Rw($H_2O$/alkoxide mole ratio)가 0~6 범위 내에서 낮아질술고 hexagonal 결정상 성장에 유리하였으며, 또한 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판이 Ptd(200)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si에 비하여 결정상 형성에 용이하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층은 YMnO$_3$결정상 내에서 $Mn^{4+}$ 이온형성을 억제함으로써 누설전류밀도가 크게 감소되는 효과를 주었으며, 동시에 강유전 특성을 지닌 hexagonal 결정상 형성에 유리하게 작용하였다. 결론적으로, $Y_2$O$_3$는 Pt가 코팅된 Si 기판 위에 YMnO$_3$박막 제조시 그 강유전 특성을 향상시켜주는 우수한 버퍼층 재료임을 확인하였다.

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Multiferroic Properties of BiFeO3-$Ba(Cu_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ Films Fabricated by Aerosol-Deposition

  • Baek, Chang-U;Ryu, Jeong-Ho;O, Nam-Geun;Park, Dong-Su;Jeong, Dae-Yong
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2010.05a
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    • pp.33.1-33.1
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    • 2010
  • BiFeO3 (BFO)는 강자성과 유전체 특성을 모두 구현할 수 있는 재료로서 연구가 활발히 진행되고 있다. BFO 박막을 제조하는 방법에는 sputtering, chemical solution deposition, pulsed laser deposition methods 등이 알려져 있으나, 이러한 방법들은 근본적으로 고 진공을 사용하거나, 고온에서의 열처리, 낮은 성막 속도 등의 문제점이 있어, 상온에서 비교적 쉽게 박막을 제조할 수 있는 Aerosol deposition에 관한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 BFO의 강자성, 강유전 특성을 향상시키기 위해 Ba(Cu1/3Nb2/3)O3 (BCN)를 첨가한 Ba(Cu1/3Nb2/3)O3 (BFO-BCN) 복합재료를 합성하였다. 합성한 마이크론 크기의 입자를 사용하여 나노 결정립 크기의 Ba(Cu1/3Nb2/3)O3 (BFO-BCN) 박막을 상온에서 진공 분말 분사 공정(Aerosol-Deposition)을 이용하여 제조하고, 강자성 및 강유전성 특성을 평가하였다. Aerosol deposition방법으로 제조된 BFO-BCN박막은 BFO박막에 비해 우수한 강자성과 강유전 특성 나타내었다.

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Effect of Pb Substitution on Phase Development and Dielectric Properties of $SrTeO_3$Ferroelectric Ceramics ($SrTeO_3$강유전 세라믹스의 상형성 및 유전특성에 미치는 Pb 치환 효과)

  • 천채일;김정석;이봉연;김준철;방규석;이형규
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.3
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    • pp.251-255
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    • 2001
  • SrTeO$_3$는 312$^{\circ}C$~485$^{\circ}C$의 제한된 온도범위에서 강유전성이 나타난다고 보고된 바 있다. 본 연구에서는 (Sr$_{1-x}$Pb$_{x}$)TeO$_3$(x=0~0.15) 고용체의 상형성 거동, 미세구조, 유전특성 등을 조사하였다. $700^{\circ}C$에서 하소하였을 때 질소 기체 분위기에서는 SrTeO$_3$상이 합성되었지만 공기 중에서는 더욱 산화된 상인 SrTeO$_4$상이 주된 상으로 존재하였다. (Sr$_{1-x}$Pb$_{x}$)TeO$_3$세라믹스에서 Pb 치환량이 0.15 몰까지 증가함에 따라 최적 소결온도가 80$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$로 감소하였고, 입자 크기는 증가하였으며, 유전상수가 13에서 25로 증가하였다. 또한, Pb 치환량이 0.05 이상일 때 강유전상이 안정한 온도 영역이 상온까지 확장되었다.

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Effect of Sr/Ta mole ratio on the ferroelectric properties of SBT thin films fabricated by LSMCD process (LSMCD 공정으로 제조한 SBT 박막의 Sr/Ta 몰비에 따른 강유전 특성)

  • 박주동;김지웅;오태성
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.9 no.4
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    • pp.360-366
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    • 2000
  • $Sr_xBi_{2.4}Ta_2O_9$ (SBT) thin films of 150 nm thickness were prepared using LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition) process with variation of the Sr/Ta mole ratio of 0.35~0.65, and their crystalline phase, microstructure, ferroelectric properties and leakage current characteristics were investigated. Ferroelectric characteristics of the LSMCD-derived SBT films were optimized at the Sr/Ta moleratio of 0.425. The remanent polarization (2Pr) and coercive field (Ec) of the SBT film with the Sr/Ta mole ratio of 0.425 were measured as 15.01 $\mu$C/$ \textrm{cm}^2$ and 41 kV/cm at an applied voltage of $\pm$5 V respectively. LSMCD-derived SBT films with the Sr/Ta mole ratio of 0.35~0.5 exhibited leakage current densities lower than $10^{-5} A/\textrm{cm}^2$ at an applied field of 100 kV/cm, and excellent fatigue-free characteristics of the remanent polarization decrement less than 1% after $10^{10}$ switching cycles at$\pm$5 V.

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유전재료

  • 김오기
    • 전기의세계
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    • v.34 no.6
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    • pp.323-329
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    • 1985
  • 유전재료는 넓은 의미로 보아 절연재료(insulators)를 포함시켜 고찰되므로 정확히 한계를 짖기가 어려원진다. 절연재료는 전기적으로 부도체를 의미하며 전기적으로 서로 다른 potential을 갖는 도전성 물질을 분리시키는 역할을 하고, 접촉에 의한 사고를 방지하기도 한다. 유전재료는 electric field와 절연재료 사이에 일어나는 교호작용, 즉 polarization이 중요한 역할을 등장할 때 유전재료라 불리어진다. 따라서 절연재료의 특성을 강전류의 이용에 우선순위를 두는 반면, 유전특성은 high frequency 또는 capacitor에로의 응용에 중점을 두게 된다. 이러한 절연재료 및 유전재료의 재질은 ceramic 또는 glass와 무기재료나 plastic과 같은 유기재료, 나아가 fluid 및 gas상태에서도 찾을수 있게 된다. 어느 특정한 용도에의 응용에는 이러한 전기적 특성 이외에도 기계적, 열적 특성 및 주위의 환경과 분위기에 대한 내구성 뿐만 아니라 더 나아가 제조공정상의 문제점들도 대두된다.

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Improvement of Leakage Current in Ferroelectric Thin Films Formed by 2-step Sputtering (2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의 누설전류 개선)

  • Mah Jae-Pyung;Shin Yong-In
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.13 no.1 s.38
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    • pp.17-22
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    • 2006
  • Ferroelectric PZT thin films were formed by 2-step sputtering and their dielectric properties and conduction mechanisms were investigated. Also. donor impurity doping was tried to compensate the carriers in PZT thin films. The leakage current density was able to reduce to $10^{-7}A/cm^2$ order by 2-step sputtering with thickness control of room temp.-layer. The conduction mechanism was confirmed as bulk-limited, and optimum donor impurities on PZT thin film were taken. Especially, leakage current characteristics was improved to $10^{-8}A/cm^2$ order in donor-doped PZT thin films formed by 2-step sputtering.

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