• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2003.12a
• /
• pp.82-85
• /
• 2003

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 응용 분야에 있어서 RF나 Optic등에 응용되는 금속 구조물이나 배선을 위한 도금, 두꺼운 구조물의 식각등을 위해서 수십 um두께의 감광막이 필요하다. 특히 이러한 감광막은 도금을 위한 전단계에서 몰드 형성에 이용되는데 그 이유는 제작이 용이할 뿐만 아니라 다양한 두께 형성이 가능하고 금속과의 선택적 제거가 쉬운 장점이 있다. 감광막 몰드가 갖추어야 할 조건으로는 수직에 가까운 측면 기울기, 두께, 도금액에 대찬 저항성을 들 수 있으며 그 중에서 측면 기울기 개선에 관한 연구가 많이 진행되고 있다. 본 논문에서는 감광막의 형상에 영향을 주는 요인을 찾아내고 수식모델링을 통해 측면 기울기를 예측하고자 한다.

• Journal of IKEEE
• /
• v.19 no.1
• /
• pp.41-44
• /
• 2015

Silicon trench process for bulk fin field effect transistor (finFET) is suggested without using chemical mechanical polishing (CMP) that cause contamination problems with chemical stuff. This process uses thickness difference of photo resistor spin coating and silicon nitride sacrificial layer. Planarization of silicon oxide and silicon trench formation can be performed with etching processes. In this work 50 nm silicon trench is fabricated with AZ 1512 photo resistor and process results are introduced.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.7-12
• /
• 1998

감광성 BCB를 사용한 MCM-D기판에 신뢰성있는 비아형성을 위하여 BCB의 공정 특성과 C2F6를 사용한 플라즈마 cleaning 영향을 분석하였다. 절연막, 금속배선재료로 각각 감광성 BCB, Cu를 사용하여 MCM-D 기판을 제작 분석한 결과 BCB는 soft bake 후 초기 두께의 50%정도 두께 손실이 있었으며 해상도는 15um이었다. BCB층에 비아 형성후 C2F6 가스로 플라즈마 cleaning 하고 AES로 비아표면을 분석한 결과 유기물 C는 검출되지 않은 반면 플라즈마 cleaning을 하지 않은 비아를 분석한 결과 유기물 성분의 C가 많이 검출되었 고 Ar 스퍼터에 의해서도 완전히 제거되지 않았다. 따라서 감광성 BCB를 절연막으로 사용 한 MCM-D 기판 제작공정에서 비아 형성후 C2F6를 이용한 플라즈마 cleaning의 필요성을 확인하였다.

• Journal of the KSME
• /
• v.50 no.1
• /
• pp.32-36
• /
• 2010

이 글에서는 전형적인 포토리소그래피 공정을 변형 적용하여 다양한 모양의 3차원 감광막 구조물을 형성할 수 있는, 다중노광 단일현상 고정, 다중코팅 단일노광 공정, 디퓨저 리소 그래피 공정, 리플로 공정 등 네 가지 기술을 소개한다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
• /
• 2005.05a
• /
• pp.168-172
• /
• 2005

본 연구에서는 평판 디스플레이 Photo공정 중에서 무회전 도포(Spinless Coating)방식으로 기판(Glass)에 감광제 약액을 도포한 후 용매(Solvent)를 제거시키기 위한 진공건조장치(Vacuum dryer)에서 감광제 도포막의 품질에 영향을 주지 않는 범위 안에서의 용매 제거시간을 단축하기 위한 진공챔버의 용적에 따른 진공포트의 크기 및 배치에 대한 최적화를 구현하였다. 구현된 챔버의 용적과 진공포트의 크기 및 배치를 바탕으로 진공건조장치를 챔버, 챔버 구동부, 기판 구동부, 진공펌프, 그리고 $N_2$ 공급부로 모듈화하여 구성하였으며. 실제 도포 기판을 이용하여 진공건조를 실시한 후 도포막을 검사함으로써 진공포트에 대한 최적화를 검증함과 동시에 진공건조 능력을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1995.11a
• /
• pp.54-55
• /
• 1995

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
• /
• v.55 no.12
• /
• pp.591-596
• /
• 2006

we have been developed on the ultra high concentration ozone generator system which is the core technology in the realization of the semiconductor photoresist strip process using the ozone-vapor chemistry. The proposed ozone generator system has the structure of the surface discharge type which adopt the high purity ceramic dielectric tube. We investigate the performance of the proposed ozone generator system experimentally and the results show that the system has very high ozone concentration characteristics of $19.7[wt%/O_2]$ at the flow rate of $0.3[{\ell}/min]$ of each discharge cell. As a result of the silicon wafer photoresist strip test, we obtained the strip rate of about 400[nm/min] at the ozone concentration of $16[wt%/O_2]$ and flow rate of $8[{\ell}/min]$. So, we confirmed that it's possible to use the proposed high concentration ozone generator system for the ozone-vapor photoresist strip process in the semiconductor and FPD industry.

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.9 no.1
• /
• pp.6-12
• /
• 1998

A FET(Field Effect Transistor) type dissolved $CO_2$ sensor based on Severinghaus type $CO_2$ sensor was fabricated by the photolithographic process. The sensor consists of Ag/AgCl reference electrode and membranes (hydrogel membrane and $CO_2$ gas permeable membrane) on the pH-ISFET base chip. Ag/AgCl reference electrode was fabricated as follows. Ag layer was thermally evaporated and then its upper surface was chemically chloridized into the AgCl. The hydrogel used as an internal electrolyte solution was fabricated by a photolithographic method using 2-hydroxyethyl methacrylate(HEMA) and acrylamide. $CO_2$ permeable membrane on the top of the hydrogel layer was formed by photolithographic process with UV-oligomer. The FET type $pCO_2$ sensor fabricated by photolithographic method showed good linearity within the concentration range of $10^{-3}{\sim}10^0mole/{\ell}$ of dissolved $CO_2$ in aqueous solution with high sensitivity.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
• /
• v.16 no.4
• /
• pp.33-39
• /
• 2009

A microlens array (MLA) was developed based on the wet-etched quartz substrate and coating of UV adhesive on the substrate for maskless lithography application. The developed MLA has the focal length of ${\sim}45\;{\mu}m$ and the spot size of ${\sim}1\;{\mu}m$. The spot size of the focused beam passing through the MLA was detected by CCD camera, and its intensity was monitored by beam profiler. Uniform spots with nearly identical intensities were observed on the focal plane when a beam passes through the fabricated MLA. The focal length was varied depending on thickness of the coated UV adhesive. The thicker the thickness of the UV adhesive was, the shorter the focal length of the MLA was. With a general mask aligner, UV beam focusing was tested onto photoresist (PR). The beams were well focused onto PR when UV passes through the MLA. Depending on the variable distances from the MLA, beam sizes onto PR were controlled. Even at high temperature for a long time, the performances of the MLA were not changed.

• Proceedings of the KSME Conference
• /
• 2005.11a
• /
• pp.42.1-42.1
• /
• 2005