• Title/Summary/Keyword: 갈륨비소

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Design of miniaturized power divider multiple coupled line on RFIC/MMIC for application to vessel wireless communication components (선박 무선통신소자에의 응용을 위한 다중결합 선로를 이용한 RFIC/MMIC용 초소형 전력분배기의 설계)

  • Lee, Dong-Hwan;Yun, Young
    • Proceedings of the Korean Society of Marine Engineers Conference
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    • 2005.06a
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    • pp.401-405
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    • 2005
  • This paper proposed a miniaturization passive element employing the multiple microstrip line. As a result of this method, we realized the transmission line miniaturized. The applying structure designed and evaluated a power divider on GaAS MMIC circuit. It draws a plan in a center Frequency as the observation could do good characteristic.

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A Study on the GaAs MESFET Modeling and the Method of Parameter Extraction (갈륨비소 MESFET의 모델링과 파라미터 추출법에 관한 연구)

  • 정명래;김학선;이형재
    • Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
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    • 1991.10a
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    • pp.210-214
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    • 1991
  • We briefly compared GaAs MESFET model and s셔요 on the method of parameter extraction for PSPICE simulation. The parameter determined from above method were substituded into a commercial version of PSPICE which supports the hyperbolic tangentent model. The result of simulation is reasonably good at the lower VGS and is significantly fitted overall by optimization.

Effects of Low Reactive Level Laser Irradiation (LLLI) on the Wound Infected with Staphylococcus Aureus (저출력레이져조사가 Staphylococcus aureus 에 감염된 창상에 미치는 영향)

  • Phil-Yeon Lee;Ki-Suk Kim
    • Journal of Oral Medicine and Pain
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    • v.21 no.1
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    • pp.153-171
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    • 1996
  • 저수준레이저를 이용하여 창상이나 병소의 치유과정에 대한 효과를 조사하기 위하여 많은 연구가 시행되었다. 연구에 의하면 갈륨비소 레이저광이 생체자극효과를 가진다고 하며, 저수준레이저를 조사하면 단백질과 핵산 (DNA) 합성을 자극하여 치은섬유아세포의 증식을 촉진한다고 보고하였다. 외상병소나 근육병소의 치료에 사용된 레이저치료법에 관한 관심이 점증함에 따라 저수준레이저요법 (LLLI)의 치유효과를 설명하기 위하여 분자생물학적 수준의 연구를 시행하기에 이르렀다. 보고에 의하면 Mutans Streptococcide 는 LLLI를 사용시 증식이 촉진되며, 다른 세균에서도 유사한 증식효과가 나타날 것이라고 주장하였다. 그러므로 LLLI가 피부감염을 야기하는 가장 흔한 원인인 Staphylococcus aureus 도 마찬가지로 증식이 촉진되는 지를 조사해볼 필요가 있으며, 또한 감염과 같이 특정 병적 상태에서의 저수준레이저광의 효과는 아직까지 명확하게 밝혀져 있지 않았다. 그러므로 본 연구의 목적은 첫째, Staphyloc occus aureus 의 증식에 대한 저수준레이저광의 효과를 조사하는 실험이며, 둘째 Staphylococcus aureus 로 가염된 피부창상에 대한 저수준레이저광의 효과를 판정하는데 있다. 34개의 Staphylococcus aureus 배양표본을 사용하여 48시간의 세포주기동안 조사기간과 조사시간, 그리고 레이저 펄스(laser pulse)형에 따라 3가지 실험을 시행하여 증식에 가장 효과적인 상태와 가장 비효과적인 상태의 갈륨비소 반도체 레이저펄스를 결정하였다. 이후 지름 약 6 mm의 개방창상을 44마리 백서의 양측 대퇴부에 형성하여 모든 창상에 S. aureus를 감염시켰다. 모든 표본은 펄스형과 조사방법 (중앙조사법과 주변조사법)에 따르는 실험을 하기 위하여 4가지로 분류하였다. 각 백서의 양측 창상중 하나는 1,3,5,7일 마다 각 실험의 방법에 따라 레이저를 조사하고 실험동물의 다른 창상은 대조군으로서 사용하였다. 모든 창상의 면적은 실험 1,3,5,7 일째에 일정한 거리에서 사진촬영하여 면적계를 이용, 측정한 후 통계적인 의의를 조사하였다. 본 연구의 결과는 저수준레이저는 특정 조건하에서 S. aureus의 증식을 촉진하였다. 그러나 S. aureus에 감염된 창상을 저수준레이저로 조사시 치유가 촉진되었다. 중앙 조사법고 주변조사법에 의한 창상치유효과는 통계적인 의의가 보이지 않았다. 따라서 결론적으로 S. aureus 에 감염된 창상에 직접 또는 간접적이든 pulse의 종류에 관계없이 조사하는 경우 치유효과가 나타나는 것은 정사주위 조직의 LLLI 자극효과가 염증의 확산을 억제한다고 말할수 있다.

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Recovery of Gallium from GaAs Scraps by Thermal Decomposition (GaAs Scrap으로부터 熱分解法에 의한 갈륨 回收)

  • Choi, Young-Yoon;Nam, Chul-Woo;Yu, Yeon-Tae;Kim, Wan-Young
    • Resources Recycling
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    • v.14 no.2
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    • pp.28-32
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    • 2005
  • By using thermal decomposition method, the preliminary experiments for recovery of metallic Ga from GaAs scraps produced in the manufacturing of compound semiconductors were carried out in laboratory(200 g/batch) scales. From these results, decomposition appratus with packed tower was constructed in commercial scale(30 kg/batch). The decomposition rate of GaAs increased with raising decomposition temperature, but the yield of Ga decreased over 1000$^{\circ}C. As a result, the optimum decomposition temperature was 1000~1050$^{\circ}C when the pressure of decomposition reactor was 2~2.5${\times}10^{-2} mmHg, and the yield of Ga was about 89 wt.%. The commercial decomposition apparatus was designed with packed tower because the partial pressure of As in vapor state was not reduced even if the temperature of As vapor was decreased. The recovery yield of Ga from GaAs scraps in large scale experiment showed 99%.

Effects of Transition Metal Gallium on the Serum Biochemistry and Erythrocyte Morphology of Goldfish (Carassius auratus) (전이금속 갈륨이 금붕어(Carassius auratus)의 적혈구 및 혈청의 생화학반응에 미치는 영향)

  • Kim, Dong-Hwi;Dharaneedharan, Subramanian;Jang, Young-Hwan;Park, So-Hyun;Heo, Moon-Soo
    • Journal of Life Science
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    • v.26 no.11
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    • pp.1308-1312
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    • 2016
  • Heavy metals such as gallium (Ga) cause serious physiological damage to exposed organisms, mostly of aquatic species. Ga one of the inter-metallic, transition elements increasingly being used in making high-speed semiconductors, such as Ga arsenide. The purposes of this study were to investigate the effects of Ga on acute toxicity, serum biochemical changes, and erythrocyte morphological changes in the blood stream of goldfish (Carassius auratus). Median lethal concentrations were determined in acute tests. The 96 hr $LC_{50}$ value was 9.15 mg/ml. Goldfish were exposed to different Ga concentrations (2.0, 4.0, and 8.0 mg/ml) for 30 days to assess its toxic effects. The results indicate that the measured serum biochemistry parameters (including glucose, blood urea nitrogen, creatinine, cholesterol, and triglyceride) of the Ga-exposed fish groups differed significantly from the untreated fish group. In addition, a change in the erythrocytes' morphology at a high concentration (8.0 mg/ml) of Ga exposure shows respiratory problems. Our results suggest that 2.0 mg/ml is proposed as a biologically safe concentration that can be used for establishing tentative water quality criteria concerning the same-size goldfish.

Design Optimization of GaAs Wafer Bonding Module (GaAs 웨이퍼 본딩모듈의 최적화 설계)

  • 지원호;송준엽;강재훈;한승우
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2003.06a
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    • pp.860-864
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    • 2003
  • Recently. use of compound semiconductor is widely increasing in the area of LED and RF device. In this study, wafer bonding module is designed and optimized to bond 6 inches device wafer and carrier wafer. Bonding process is performed in vacuum environment and resin is used to bond two wafers. Load spreader and double heating mechanisms are adopted to minimize wafer warpage and void. Structure and heat transfer analyses show the designed mechanisms are very effective in performance improvement.

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Flexible/Stretchable Electronics Based on Transfer Printing Technology

  • Song, Yeong-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.104-104
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    • 2014
  • 미래형 전자소자는 높은 성능과 더불어 소형화, 박막화를 거쳐 휘어질 수 있고(flexible), 착용이 가능하며(wearable), 접을 수 있거나(foldable) 늘어날 수 있는(stretchable) 방향으로 발전해 가고 있다. 실리콘, 갈륨비소 등 무기소재를 기반으로 하는 전자소자의 경우 그 성능은 우수하나 딱딱하고 휘어질 수 없는 반면, 유기소재를 기반으로 하는 경우 보다 유연한 구조를 가질 수 있지만 성능이나 신뢰성면에서 아직 개선할 점이 많이 남아있다. 최근에는 성능이 우수한 무기소재를 초박막 형태로 구성하여 이를 휘거나 늘어날 수 있는 기판에 부착하는 형태의 소자들이 많이 개발되고 있으며 이를 통해 박막트랜지스터, LED, CMOS 회로, 태양 전지 및 각종 센서 등이 휘거나 심하게 변형될 수 있는 형태로 진화하였으며, 기존에 구현하기 어려웠던 피부에 부착이 가능한 전자소자, 반구형 구조를 갖는 이미지 센서 등의 구현이 가능하게 되었다. 무기소재 박막을 플렉서블 기판에 부착시키는 데에는 전사 프린팅(transfer printing) 방법이 핵심기술로서 주로 이용된다. 본 튜토리얼은 플렉서블/스트레쳐블 전자소자의 구현을 위한 전사 프린팅 방법을 소개하고, 구체적인 공정 방법과 이를 이용한 독특한 형태 전자소자의 개발에 대해 다루고자 한다.

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Optimization of Device Process Parameters for GaAs-AlGaAs Multiple Quantum Well Avalanche Photodiodes Using Genetic Algorithms (유전 알고리즘을 이용한 다중 양자 우물 구조의 갈륨비소 광수신소자 공정변수의 최적화)

  • 김의승;오창훈;이서구;이봉용;이상렬;명재민;윤일구
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.14 no.3
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    • pp.241-245
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    • 2001
  • In this paper, we present parameter optimization technique for GaAs/AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes used for image capture mechanism in high-definition system. Even under flawless environment in semiconductor manufacturing process, random variation in process parameters can bring the fluctuation to device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. This paper will first use experimental design and neural networks to model the nonlinear relationship between device process parameters and device performance parameters. The derived model was then put into genetic algorithms to acquire optimized device process parameters. From the optimized technique, we can predict device performance before high-volume manufacturign, and also increase production efficiency.

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Evidence of Material-dependent and Temperature- dependent Quenching Rates by Infrared Imaging in S.I. GaAs (반절연 갈륨비소의 적외선 영상에 의한 웨이퍼성장조건 및 온도종속 퀀칭율 증명)

  • 강성준
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.40 no.7
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    • pp.469-473
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    • 2003
  • The effect of photoquenching on infrared image of the EL2 center in semi-insulating(S.I.) GaAs has been studied using near infrared transmission techniques. Particular interest is devoted to as-grown and annealed samples of undoped S.I. GaAs. It is found that the quenching mechanism is different in each sample and also the quenching rate is dependent on the materials and the quenching temperature which is somewhat inconsistent with other existing publications.