• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.54-55
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• 2000

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권4호
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• pp.55-61
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• 2011

n형 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 분말을 기계적 합금화 공정으로 제조하고 텅스텐 분말을 분산시켜 $550^{\circ}C$에서 30분간 가압소결 후, 텅스텐 함량에 따른 열전특성을 분석하였다. 텅스텐 분말을 분산시키지 않은 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 가압소결체의 상온 출력인자는 $21.9{\times}10^{-4}$ $W/m-K^2$ 이었으며, 1 vol% 텅스텐 분말의 분산에 의해 상온 출력인자가 $30.5{\times}10^{-4}$ $W/m-K^2$로 증가하였다. 텅스텐 분말을 분산시키지 않은 $Bi_2(Te_{0.9}Se_{0.1})_3$ 가압소결체는 상온에서 0.52의 무차원 성능지수를 나타내었으며, 1 vol% 텅스텐 분말의 분산에 의해 무차원 성능지수가 0.95로 크게 향상되었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권5호
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• pp.408-412
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• 1998

Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$(0.05$\leq$x$\leq$0.25)합금분말을 기계적 합금화 공정으로 제조하여 가압소결 후, $Bi_{2}$Se$_{3}$함량에 따른 열전특성의 변화거동을 분석하였다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$(Te$_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$ 가압소결체는 단결정과는 달리 donor dopant의 첨가없이도 n형 전도를 나타내었다. $Bi_2(Te_{0.85}Se_{0.15})_3$ 합금분말을 (50%H$_{2}$+50% Ar)분위기 중에서 환원처리하여 가압소결시, 분말 효면의 산화층 제거와 과잉 Te 공격자의 소멸에 기인한 전자 농도의 감소로 p형으로 천이되었다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$($Te_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$가압소결체는 x=0.15조성에서 $1.92{\times}10^{-3}$ K의 최대 성능지수를 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권4호
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• pp.257-263
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• 2000

0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 n형 $ Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 합금분말을 용해/분쇄법으로 제조하여 가압소결 후, 36시간까지의 열처리 시간에 따른 열전특성의 변화 거동을 분석하였다. 열처리 시간이 증가함에 따라 0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 n형 $ Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 가압소결체의 전자 농도가 감소하였다. 0.05wt% $SbI_3$를 첨가한 $Bi_2(Te(_{0.95}Se_{0.05})_3$ 가압소결체는 $2.1{\times}10^{-3}/K$의 성능지수를 나타내었으며 $500^{\circ}C$에서 3시간 열처리 시 $2.35{\times}10^{-3}/K$로 성능지수가 향상되었으나, 12시간 이상 열처리 시에는 전기비저항의 증가에 기인하여 성능지수의 현저한 감소가 발생하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권7호
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• pp.777-783
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• 1994

Oxidation behavior of hot-pressed silicon nitride ceramics with various sintering additives has been investigated. The weight gain of each specimens has shown in the range of 0.11 mg/$\textrm{cm}^2$ ~3.4 mg/$\textrm{cm}^2$ at 140$0^{\circ}C$ for 192 h and eleven compositions have shown good oxidation resistance with the weight gain below 0.5 mg/$\textrm{cm}^2$. The oxidation rate has been shown to obey the parabolic rate law and the oxidized surface has consisted of $\alpha$-cristobalite and M2Si2O7 or MSiO3 (M=rare earth or transition metals) phase. The oxidation rate of each specimens has related to the eutectic temperature between additive oxide and SiO2, and ionic radius of additive oxides, respectively. From the above results, it could be concluded that the oxidation behavior of hot pressed silicon nitride is dominated by the high temperature properties of grain boundary glassy phase and the high temperature properties of grain boundary glassy phase are affected by the ionic radius of additive oxides.

• 한국안광학회지
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• 제5권1호
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• pp.61-65
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• 2000

5.7wt% $Al_2O_3$와 4.3wt%$Y_2O_3$를 소결조제로 사용하여 ${\beta}$-SiC 그리고 입자크기가 각각 다른 3종류의 ${\alpha}$-SiC분말들을 출발원료로 사용하여 $1780^{\circ}C$에서 일축 가압 소결 하고, $1950^{\circ}C$에서 열처리함으로서 입자성장 하였다. 일축가압소결 및 열처리한 모든 시편은 크고 길게 자란 탄화규소입자들로 분포되어있었다. 안경렌즈 절삭용 신소재의 대표적인 경도와 파괴인성은 각각 15.6GPa과 $5.7MPa{\cdot}m^{1/2}$이었다.

• 한국기계가공학회지
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• 제13권2호
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• pp.94-99
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• 2014

In this study, using AlN materials produced by two different sintering techniques, grinding experiments were performed under various grinding conditions, including different table speeds and cut depths. In order to measure the grinding force, a tool dynamometer was used. Surface roughness measurements and a digital microscope were also was used. The grinding forces were higher at a higher table speed and a higher cut depth. The experimental results show that the grinding characteristics of the two workpieces are similar.

• 한국결정성장학회지
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• 제6권4호
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• pp.552-557
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• 1996

소결조제로 2 wt % $Al_2O_3$와 6 wt% $Y_2O_3$를 첨가한 $Si_3N_4/20$ vol % SiC 초미립복합 재료의 고온가압소결 중의 미세구조 발현과정을 sintering interruption법으로 관찰하였다. 밀도는 $1500^{\circ}C$와 $1700^{\circ}C$ 사이에서 빠르게 증가하였으며, $1800^{\circ}C$ 에서 이론밀도에 가깝게 치밀화하였다. 질화규소의 상전이 속도는 $1700^{\circ}C$와 $1800^{\circ}C$에서 증가하였으며, 길게 자란 기지상결정립들이 나타났다. 작은 입경의 SiC는 치밀화속도와 기지상 상전이를 억제하는 효과를 보였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.22-22
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• 2002

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.118-118
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• 2002