The objectives of this study were to develop the low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) process of SiC and to fabricate pure and dense SiC layer onto graphite substrate at low temperature. The deposition experiments were performed using the MTS-H2 system (30 torr) in the deposition temperature ranging from 100$0^{\circ}C$ to 120$0^{\circ}C$. The deposition rate of SiC was increased with the temperature. The rate controlling step can be classified from calculated results of the apparent thermal activation energy as follows; surface reaction below 110$0^{\circ}C$ and gas phase diffusion through a stagnant layer over 110$0^{\circ}C$. The deposited layer was $\beta$-SiC with a preferred orientation of (111) and the strongly faceted SiC deposits were observed over 115$0^{\circ}C$.
The composition and the microstructure of the Sn-Ni alloy electrodeposited in pyrophosphate bath were investigated according to the electrolysis conditions. The cathode current efficiency increased with the addition of $NH_4CI$ and glycine, while it decreased with the increase of current density. The Sn content of the alloy deposits increased with the increase of $NH_4CI$ in the bath. The alloys with 51~71wt.% Sn had the NiSn single phase structure. The preferred orientation of the single phase alloys changed from (110) to (110)+(101) with the increase of current density and cathode overpotential. The single phase alloys with 50~60wt.%Sn had the smooth surface structure with fine crystallite, while the multiphase alloys showed the surface structure with crystal size and cracks at high curret density.
본 연구는 기업조직 구성원의 기업가정신과 조직학습지향성, 개인창의성, 집단창의성의 관계를 실증분석하고, 그 효과를 확인함으로써, 조직차원에서 기업가정신과 창의성의 관계를 다루었다. 특히 기업가정신과 창의성의 관계에 있어서, 조직학습지향성의 매개효과 분석에 초점을 두고 있다. 문헌연구를 바탕으로 기업가정신과 개인 및 집단 창의성, 조직학습지향성의 관계를 설명함으로써 연구모형 및 가설을 설정하였다. 경북의 제조업 종사자를 대상으로 308부의 설문지를 배포·회수하여 구조방정식을 통한 실증분석을 시행하였다. 연구 결과, 기업가정신은 개인·집단창의성에 유의한 영향을 직접적으로 미치지 않고 조직학습지향성을 매개하여 영향을 주는 것이 확인되었다. 그리고 기업가정신이 조직학습지향성에 미치는 영향과 조직학습지향성이 개인·집단창의성에 미치는 영향을 확인하였다. 이러한 연구결과는 조직 차원에서 기업가정신과 조직학습지향성 효과를 파악함으로써 문화적 측면에서 조직 관리를 위한 방향성을 제공할 수 있을 것이다.
Partially sericitized tourmaline from a pegmatite, Black Hills, South Dakota, U.S.A., was investigated using high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). Muscovite occurs as the only alteration product of tourmaline, and it is developed extensively as narrow veinlets along the {110} and {100} cleavage directions of tourmaline, indicating that a cleavage-controlled alteration mechanism was dominant. Muscovite was characterized mainly as two-layer polytypes with minor stacking disorder, but tourmaline is almost free of structural defects. HRTEM images of tourmaline-muscovite interfaces revealed that the interfaces between two minerals are composed of well-defined {110} and {100} boundaries of tourmaline. The (001) of muscovite is in general parallel to the c-axis of tourmaline, but tourmaline and replacing muscovite do not show specific crystallographic orientation relationship; muscovite consists of numerous 100-1000$\AA$ thick subparallel packets, and the angles between the (001) of muscovite and (110) of tourmaline is highly variable. Al/Si ratios of both minerals suggest that tourmaline to muscovite alteration by late magnetic fluids has been facilitated by their similar Al/Si ratio in the incipient alteration stage, in that the hydration reaction with preservation of Al and Si would require only addition of K+ and H2O. Aluminous minerals other than muscovite were not characterized as the alteration products of tourmaline, indicating that tourmaline reacted directly to muscovite; the tourmaline alteration apparently occurred by the presence of residual fluids in which K+ is available and silica was not undersaturated.
We investigated the characteristics of UTB-SOI pMOSFETs with SOI thickness ($T_{SOI}$) ranging from 10 nm to 1 nm and evaluated the dependence of electrical characteristics on the silicon surface orientation. As a result, it is found that the subthreshold characteristics of (100)-surface UTB-SOI pMOSFETs were superior to (110)-surface. However, the hole mobility of (110)-surface were larger than that of (100)-surface. The enhancement of effective hole mobility at the effective field of 0.1 MV/ccm was observed from 3-nm to 5-nm SOI thickness range.
The purpose of this study is to explore systemetically what makes working women continue or interrupt their job after childbirth, An empirical survey was conducted by using questionnaire and data from 194 women who had clerical job before first childbirth. The major findings are as follows : (1) The significant differences between the two groups are caused by family orientation, motherhood, average monthly wage of her own, emotional support, child carer in the family, maternal policy. (2) The probability of continuing job is higher when the public supports are offered to working married women than in case of being supported privately.
Composition and microstructures of Silver-Tin alloy deposits from a pyrophosphate bath were studied under the D.C. electrolysis conditions. Cathode current efficiency and throwing power of alloy deposits de-creased with increasing current density. Tin content of Ag-Sn alloy deposits decreased noticeably with the cur-rent density and with decreasing pH. The preferred orientation of the deposits tended to change in sequence of (110)longrightarrow(111)longrightarrow(100) texture with increasing the cathode overpotential. The surface structure of alloy deposits showed the smooth surface structure with fine crystallites.
Y$_2$O$_3$films were grown on SiO$_2$-covered Si(111), and hydrogen-terminated Si(111), and hydrogen-terminated Si(111) substrates at 50$0^{\circ}C$ by ultrahigh vacuum ionized cluster beam deposition (UHV-ICB). The microstructures and growth behavior of these films have been investigated by transmission electron diffraction (TED) and high-resolution transmission electron microscopy(HREM). The TED results show that the $Y_2$O$_3$grown on the SiO$_2$-Si has the epitaxial relationship of (11-1)Y$_2$O$_3$∥(111)Si and [-110]Y$_2$O$_3$∥[-110]Si. The film on the H-Si substrate contains YS\ulcorner and amorphous YSi\ulcornerO\ulcorner layers at the interface, having the orientation relationship each other. For the YSi\ulcorner and the Si substrate, the relationship is (0001)YSi\ulcorner∥(111)Si and [1-210]YSi\ulcorner∥∥[-110]Si. For the $Y_2$O$_3$and the YSi\ulcorner ; the relationship is as follows: (11-1)Y$_2$O$_3$∥(0001)YSi\ulcorner and [-110]Y$_2$O$_3$∥[1-210]YSi\ulcorner(111)Y$_2$O$_3$∥(0001)YSi\ulcorner and [-110]Y$_2$O$_3$∥[1-210]YSi\ulcorner. Explanation is given to describe the formation mechanisms of the interfacial phases of SiO\ulcorner, YSi\ulcornerO\ulcorner and YSi\ulcorner. It is shown that the crystallinity of the $Y_2$O$_3$film on the SiO$_2$-Si(111) is better than that of $Y_2$O$_3$on H-Si(111).
황산구리 전해욕에 분산제인 콜로이달 실리카($SiO_2$현탁액)를 첨가시키는 분산도금의 방법과 Au pre-coating을 이용하여 음극에 석출하는 전해 석출물의 결정구조, 표면형상, 결정방향 등의 변화를 검토하였다. 실리카 분산 및 Au pre-coating에 의하여 전해 석출피막의 결정입자가 미세화 되고, 균일하게 성장됨은 물론, 결정 수가 증가하였다. 콜로이달 실리카의 분산 효과에 의해서 전해 석출피막의 경도가 대략 15%까지 상승하였다. 또한 콜로이달 실리카를 분산시킨 구리 전착층의 X-선 회절패턴이 (111)면, (200)면과 (311)면이 거의 소멸되어 우선 방위가 (111)에서 (110)면으로 변화되었다.
상대론올 포함한 행성의 운동방정식을 중심으로 9개의 행성과 달, 그리고 4개의 소행성을 포함한 태양계의 n체 문제를 다루었다. 이 기본방정식에 지구와 달의 figure potential과 지구의 solid tidal effect를 외력으로 하는 섭동방정식을 추가하였다. 지구의 orientation을 J2000.0을 기준으로 하는 세차와 장동에 관한 식을 채택하였고, 달의 orientation에 대해 서는 J2000.0을 기준으로 하는 달의 칭동 모델을 션택하고 Eckert의 행성섭동효과를 추가 하였다. 각각의 subroutine별로 테스트를 거쳐 이들을 결합하여‘SSEG (Solar System Ephemerides Generator)’ 라는 소프트웨어 package를 개발한 후, CRAY-2S 슈퍼컴퓨터를 사용하여 프로그램을 수행하였다. 기준 시각인 JD2440400.5를 기준으로 하여, 1일 간격으로 40,000일 (약 110년) 동안 각 행성의 위치 (태양중심 황도직교좌표값)를 계산한 후, 이 결과의 정확도를 검증하기 위하여 JPL의 DE200 자료와 우리의 결과를 비교하였다. 이 연구로부터 얻은 결과로서 행성들의 위치 성분에 대한 최대오차가 100년 동안 $\pm2\times10^{-8}AU(약\pm3km)$ 이하로 나타났다
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[게시일 2004년 10월 1일]
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