Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.250-250
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2012
Recently, multiferroic materials have attracted much attention due to their fascinating fundamental physical properties and potential technological applications in magnetic/ferroelectric data storage systems, quantum electromagnets, spintronics, and sensor devices. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3$, in particular, has received considerable attention because of its very interesting magnetoelectric properties for application to spintronics. Enhanced ferromagnetism was found by Fe-site ion substitution with magnetic ions. In this study, $BiFe_{1-x}Ni_xO_3$ (x=0 and 0.05) bulk ceramic compounds were prepared by solid-state reaction and rapid sintering. High-purity $Bi_2O_3$, $Fe_3O_4$ and NiO powders were mixed with the stoichiometric proportions, and calcined at $450^{\circ}C$ for 24 h to produce $BiFe_{1-x}Ni_xO_3$. Then, the samples were directly put into the oven, which was heated up to $800^{\circ}C$ and sintered in air for 20 min. The crystalline structure of samples was investigated at room temperature by using a Rigaku Miniflex powder diffractometer. The Raman measurements were carried out with a Raman spectrometer with 514.5-nm-excitation Ar+-laser source under air ambient condition on a focused area of $1-{\mu}m$ diameter. The field-dependent magnetization and the temperature-dependent magnetization measurements were performed with a vibrating-sample magnetometer. The x-ray diffraction study demonstrates the compressive stress due to Ni substitution at the Fe site. $BiFe_{0.95}Ni_{0.05}O_3$ exhibits the rhombohedral perovskite structure R3c, similar to $BiFeO_3$. The lattice constant of $BiFe_{0.95}Ni_{0.05}O_3$ is smaller than of $BiFeO_3$ because of the smaller ionic radius of Ni3+ than that of Fe3+. The field-dependent magnetization of $BiFe_{0.95}Ni_{0.05}O_3$ exhibits a clear hysteresis loop at 300 K. The magnetic properties of $BiFe_{0.95}Ni_{0.05}O_3$ were improved at room temperature because of the existence of structurally compressive stress.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.296-296
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2007
Ferroelectric neodymium-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$(BTO) thin films have been successfully deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by a sol-gel spin-coating process and the effect of crystallization temperature on their microstructure and ferroelectric properties were studied systematically. $Bi(TMHD)_3$, $Nd(TMHD)_3$, $Ti(O^iPr)_4$ were used as the precursors, which were dissolved in 2-methoxyethanol. The thin films were annealed at various temperatures from 600 to $720^{\circ}C$ in oxygen ambient for 1 hr, which was followed by post-annealed for 1 hr after depositing a Pt electrode to enhance the electrical properties. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to analyze the crystallinity and surface morphology of layered perovskite phase, respectively. The crystallinity of the BNT films was improved and the average grain size increased as the crystallization temperature increased from 600 to $720^{\circ}C$ at an interval of $40^{\circ}C$. The polarization values of the films were a monotonous function of the crystallization temperature. The remanent polarization value of the BNT thin films annealed at $720^{\circ}C$ was $24.82\;{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V.
(Bi1/2Na1/2)TiO3 (BNT)-based ceramics are considered promising candidates for actuator application owing to their excellent electromechanical strain properties However, to obtain large strain properties, there remain several issues such as thermal stability and high operating fields. Therefore, this study investigates a reduction of operating field in (0.98-x)Bi1/2Na1/2TiO3-0.02 BiAlO3-xSrTiO3 (BNT-2BA-100xST, x = 0.20, 0.21, 0.22, 0.23, and 0.24) via analyses of the microstructure, crystal structure, dielectric, polarization, ferroelectric and electromechanical strain properties. The average grain size of BNT-${\underline{2}}$BA-100xST ceramics decreases with increasing ST content. Results of polarization and electromechanical strain properties indicate that a ferroelectric to relaxor state transition is induced by ST modification. As a consequence, a large electromechanical strain of 592 pm/V is obtained at a relatively low electric field of 4 kV/mm in 22 mol% ST-modified BNT-2BA ceramics. We believe that the materials synthesized in this study are promising candidates for actuator applications.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.6
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pp.268-273
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2014
$Y_2O_3$ ceramic specimens were fabricated from the granular powder, obtained by spray drying process from the slurry. The slurry was prepared by mixing PVA binder, NaOH for Ph control, PEG and $Y_2O_3$ powder. The $Y_2O_3$ specimen was shaped in size of ${\phi}14mm$ and then sintered at $1650^{\circ}C$. The characteristics, microstructure, densities and plasma resistance of the $Y_2O_3$ specimens were investigated with the function of forming pressure and sintering time. $Y_2O_3$ specimens were exposed under the $CHF_3/O_2/Ar$ plasma, the dry etching treatment of specimens was carried out by the physical reaction etching of $Ar^+$ ion beam and the chemical reaction etching of $F^-$ ion decomposed from $CHF_3$. With increasing sintering time, $Y_2O_3$ specimens showed relatively high density and strong resistance in plasma etching test.
As one of the chemical powder fabrication methods, the powder preparation method by using oxalate has the following advantages; (1) easy to control the chemical stoichiometry, (2) easy to fabricate homogeneous and fine particles, and (3) easy to be thermaly decomposed at low temperature. In the present study, the initial morphology and size distribution of the powder were controlled and the homogeniaty was improved. By carefully controlling the pH with NH4OH, the Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O superconducting powders were prepared and investigated for their properties. The microstructures and the superconducting properties of the pelletized samples were investigated. Also, the microstructures and electrical properties of the samples prepared by tape casting method were investigated. The fabricated powders were spherical with less than 400 nm, but most of them were agglomerated to be 1~3 ${\mu}{\textrm}{m}$ in size. The critical temperature of the pelletized sample annealed at 84$0^{\circ}C$ for 72 hours in air was 110K. And the critical currents of annealed samples in air prepared by tape casting process for 24 hours and 72 hours were 0.6 A (Jc=600A/$\textrm{cm}^2$) and 1.9A (Jc=1, 900A/$\textrm{cm}^2$) respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.192-192
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2013
본 연구에서는 RF/DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여co-sputtering 방법으로 성장시킨 고이동도를 갖는Ge-doped $In_2O_3$In2O3 (IGO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성을 평가하고, 이를 유기태양전지와 유기발광다이오드에 적용함으로써 고이동도 IGO 투명전극의 소자 적용가능성을 타진하였다. GeO2 타겟에 인가되는 도핑 Power와 급속열처리 온도가 30 W, $500^{\circ}C$일 때, 최적화 된 IGO 박막으로부터 $2.8{\times}10^{-4}$ Ohm-cm의 낮은 비저항과 86.9% (550 nm)의 높은 투과도를 확보하였다. 뿐만 아니라 Near Infra-red (750~1,200 nm) 영역에서의 IGO투명전극의 광투과율이 결정질의 ITO보다 높은(약15%) 투과도를 보이는 것을 통해 IGO박막의 높은 LAS (Lewis Acid Strength) 값을 가지는 Ge 원소의 도핑이 NIR 영역의 광투과율 향상에 미치는 영향을 확인할 수 있었다. 최적 조건의 IGO 박막을 적용하여 Fill Factor 67.38%, Short circuit current density 8.43 mA/cm2, open circuit voltage 0.60 V, efficiency 3.44%의 유기태양전지 및 19.24%의 외부양자효율을 갖는 유기발광다이오드를 제작함으로써 결정질 ITO 전극(20.05%)을 대체할 수 있는 고투과, 고이동도 IGO 투명 전극 및 이를 이용한 광전소자 적용 가능성을 타진하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.260-260
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2013
Multiferroic materials have attracted much attention due to their fascinating fundamental physical properties and technological applications in magnetic/ferroelectric data-storage systems, quantum electromagnets, spintronics, and sensor devices. Among single-phase multiferroic materials, $BiFeO_3 $ is a typical multiferroic material with a room temperature magnetoelectric coupling in view of high magnetic-and ferroelectric-ordering temperatures (Neel temperature $T_N$~647 K and Curie temperature $T_C$~1,103 K). Rare-earth ion substitution at the Bi sties is very interesting, which induces suppressed volatility of Bi ion and improved ferroelectric properties. At the same time, Fe-site substitution with magnetic ions is also attracting, and the enhanced ferromagnetism was reported. In this study, $Bi_{1-x}Dy_xFe_{0.95}Co_{0.05}O_3$ (x=0, 0.05 and 0.1) bulk ceramic compounds were prepared by solid-state reaction and rapid sintering. High-purity $Bi_2O_3$, $Dy_2O_3$, $Fe_2O_3$ and $Co_3O_4$ powders with the stoichiometric proportions were mixed, and calcined at $500^{\circ}C$ or 24 h to produce $Bi_{1-x}Dy_xFe_{0.95}Co_{0.05}O_3$. The samples were immediately put into an oven, which was heated up to $800^{\circ}C$ nd sintered in air for 30 min. The crystalline structure of samples was investigated at room temperature by using a Rigaku Miniflex powder diffractometer. The field-dependent magnetization measurements were performed with a vibrating-sample magnetometer. The electric polarization was measured at room temperature by using a standard ferroelectric tester (RT66B, Radiant Technologies).
Purpose : The purpose of this study was aimed to compare the shear bond strength on dentin of three dentin bonding agents and two resin cements used in conjunction with self-cured composite resin core material. Material and method : Control group and six experimental groups were divided for this study. Control group was designated as specimens bonded with Tenure$ A&B^{(R)}$. Experimental groups were as follows : PB-BL group : specimens bonded with Prime&Bond $NT^{(R)}$, $BondLink^{(R)}$ SB-BL group : specimens bonded with $^{(R)}$, BondLink$SingleBond^{(R)}$ PB group : specimens bonded with Prime&Bond $NT^{(R)}$ SB group : specimens bonded with $SingleBond^{(R)}$ PF group : specimens bonded with $Panavia-F^{(R)}$ BI group specimens bonded with Bistite $II^{(R)}$ All specimens were stored in $37^{\circ}C$ distilled water for 24 hours, followed by the shear bond strength was tested by universal testing machine. The data was analysed statistically by Mann-Whitney test. Results : 1. For Prime&Bond $NT^{(R)}$ and $SingleBonde^{(R)}$, the shear bond strength was 0.24 MPa and 7.19 MPa each by each, while Tenure $A&B^{(R)}$ group control was measured at 13.93 MPa (p<0.05). Especially for Prime&Bond $NT^{(R)}$ it did not get conjunction with dentin. 2. For Prime&Bond $NT^{(R)}$ and $SingleBond^{(R)}$ using $BondLink^{(R)}$, there was no significant difference as a result of 11.73 MPa and 14.00 MPa each by each (p<0.05). 3. For $Panavia-F^{(R)}$ and Bistite $II^{(R)}$, they showed the highest shear bond strength as measured by 18.24 MPa and 16.09 MPa each (p<0.05).
Ground state energy levels of the $Fe^{3+}$ paramagnetic impurity ion in stoichiometric $LiTaO_3$ and in congruent $LiTaO_3$ single crystals were calculated with electron paramagnetic resonance constants. Energy levels between six energy levels were obtained with spectroscopic splitting parameter g and zero field splitting constant D for $Fe^{3+}$ ion. The energy diagrams of $Fe^{3+}$ ion were different from different magnetic field directions ([100], [001], [111]) when magnetic field increases. The calculated ZFS energies of $Fe^{3+}$ ion in stoichiometric and congruent $LiTaO_3$ single crystals for ${\mid}{\pm}5/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}3/2$ > and ${\mid}{\pm}3/2$ > ${\leftrightarrow}{\mid}{\pm}1/2$ > transitions were 12.300 GHz and 6.150 GHz, and 59.358 GHz and 29.679 GHz, respectively. It turns out that energy levels of $Fe^{3+}$ paramagnetic impurity in $LiTaO_3$ crystal are different from different crystal growing condition.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.1
no.1
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pp.22-25
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2000
Polycrystalline SBTN layered ferroelectric thin film with various Nb mole ratios were prepared by sol-gel method Pt/ $SiO_2$/Si (100) substrates. The films were annealed at different temperature and characterized in terms of phase and microstructure. The films were crystallized with a high (105) diffraction intensity and had rodike structure, SBTN films fired at 800$^{circ}C$ revealed standard hysteresis loops with no fatigue for up to 10$^{10}$ cycles. At an applied voltage of 5V the dielectric constant($varepsilon$) , dissipation factor (tan $delta$), remanent polarization(ZPr) and coercive field(Ec) of typical S $r_{0.8}$B $i_{2.3}$(T $a_{1-x}$ N $b_{x}$) $O_{9+}$$alpha$/ thin film(x=0.1) prepared on Pt/ $SiO_2$/Si (100) were about 277.7, 0.042, 3.74$mu$C/$textrm{cm}^2$, and 24.8kv/cm respectively.ly.y. respectively.ly.y.y..
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[게시일 2004년 10월 1일]
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