• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제4회(2015년)
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• pp.405-407
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• 2015

Graphene의 bandgap이 0eV이고 hBN의 bandgap이 4~5eV라는 이기 때문에 두 물질을 혼합하였을 때 태양전지로 쓰기 좋은 1.2eV의 bandgap을 가지는 물질을 만들 수 있을 거라 생각된다. 이 점을 착안하여 hBN에 Carbon을 도핑시켜 1.2eV의 bandgap을 갖는 물질을 이론적으로 만들어 보았다.

• 한국안광학회지
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• 제6권1호
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• pp.149-153
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• 2001

LiF:Mg, Cu, Na, Si TL 물질의 열자극발광을 온도대 파장대 발광강도의 3차원으로 측정하여 분석하였다. 온도대 발광강도곡선(glow curve)은 각 온도에서 파장별 발광강도데이터를 적분하여 구성하였고, 이를 분석하여 트랩에 관계되는 여러가지 파라미터들을 결정하였다. 발광곡선의 분석은 일반차 모델의 TL 강도 표현식을 기본함수로 하여 컴퓨터화된 발광곡선 분해(Computerized Glow Curve Deconvolution: CGCD)기법을 이용하였고, 그 결과 LiF:Mg, Cu, Na, Si TL 물질의 열자극발광곡선은 정점온도 333 K, 374 K 426 K, 466 K, 483 K 그리고 516 K를 갖는 6개의 개별적인 발광곡선들로 구성되어 있음을 확인하였다. 주 피크(main peak)인 456 K 발광곡선에 대하여 활성화에너지는 2.06 eV, 발광차수는 1.05로 밝혀졌다. 발광스펙트럼 분석결과 LiF:Mg, Cu, Na, Si TL 물질은 3개의 재결합준위 1.80 eV, 2.88 eV 그리고 3.27 eV를 가지는 것으로 판명되었다. 이 중 약 2.88 eV 준위가 지배적이고 다음으로 3.27eV 준위에서 발광이 일어나며 1.80 eV 준위는 극히 미약하나 분명한 존재를 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.2247-2252
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• 2012

본 논문은 동시진공증발법(co-evaporation method)으로 CIGS 박막(thin film)을 제작을 하였다. 제작과정 중 기판온도(substrate temperature)변화와 Ga/(In+Ga) 조성비(composition ratio) 변화에 따른 저항율(resistivity) 및 흡수스펙트럼(absorbance spectra)을 측정하였다. 기판온도가 상승하면 저항율이 감소하였으며, Ga/(In+Ga) 조성비가 0.30에서 0.72까지 증가됨에 따라 밴드갭(band gap)이 1.26eV, 1.30eV, 1.43eV,1.47eV로 증가됨을 알 수 가 있었다. 동일한 조건에서 조성비를 증가하므로써 두께가 증가되었으며 저항율은 감소하였다. 본 실험을 통하여 CIGS 박막을 제작하면 광흡수률(optical absorbance ratio) 및 광전류(optical current)가 증가 될 것으로 예측할 수가 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권11호
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• pp.969-974
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• 2003

HgGa$_2$S$_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The HgGa$_2$S$_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure (I 4). The lattice constants of the single crystal were found to be a = 5.635 $\AA$ and c = 10.473 $\AA$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84eV and 2.78eV, respectively. Photoluminescence peaks of HgGa$_2$S$_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

• 한국결정학회지
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• 제11권3호
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• pp.137-146
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• 2000

The stoichiometric mix of evaporating materials for he CuInS₂ single crystal thin films was prepared. To obtain the single crystal thin films, CuINS₂ mixed crystal was deposited on etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperature were 640℃ and 430℃, respectively and the thickness of the single crystal thin films was 2 ㎛. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility deduced from Hall data are 9.64x10/sup 22//㎥ and 2.95x10/sup -2/ ㎡/V·s, respectively at 293 K. he optical energy gap was found to be 1.53 eV at room temperature. From the photocurrent spectrum obtained by illuminating perpendicular light on the c-axis of the thin film, we have found that the values of spin orbit coupling splitting ΔSo and the crystal field splitting ΔCr were 0.0211 eV and 0.0045 eV at 10K, respectively. From PL peaks measured at 10K, were can assign the 807.7 nm (1.5350 eV) peak to E/sub x/ peak of the free exciton emission, the 810.3 nm(1.5301 eV) peak to I₂ peak of donar-bound exciton emission and the 815.6 nm(1.5201 eV) peak to I₁ peak of acceptor-bound excition emission. In addition, the peak observed at 862.0 nm(1.4383 eV) was analyzed to be PL peak due to donor-acceptor pair(DAP).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.47-52
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• 2004

$HgGa_2S_4$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The $HgGa_2S_4$ single crystal crystallized into a defect chalcopyrite structure $(I\bar{4})$. The lattice constants of the single crystal were found to be a=5.635 ${\AA}$ and c=10.473 ${\AA}$. The direct and indirect optical energy gaps were found to be 2.84 eV and 2.78 eV, respectively. Photoluminescence peaks of $HgGa_2S_4$ single crystal were observed at 2.37 eV, 2.18 eV, and 1.81 eV. In the single crystal, the donor level of 0.25 eV, the acceptor levels of 0.97 eV and 0.41 eV were obtained by TSC, PICTS, and absorption measurements. The photoluminescence peaks were analyzed to relate to the indirect conduction band, the donor level, and the acceptor levels.

• 한국통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.59-65
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• 1982

本實驗에 파이퍼-폴리시(piper-polish)法으로 만든 單結晶에 Sb와 In을 이온衝激시킨 스포트에 대하여 熱剌激電流를 測定하였다. Sb와 In을 각각 衝激시켜 熱剌激電流를 測定한 결과 중첩된 피이크가 觀察되었는데 이를 서멀 클리닝(thermal cleaning)法으로 分離하여 147K에서 0.25eV와 0.31eV의 活性에너지를 얻었다. 스포트를 冷却시키면서 光勵起시키면 0.25eV의 트랩(trap)이 사라지고 0.85eV의 트랩이 새로 나타났다. 光電導가 양호한 結晶에서 T.S.C.가 잘 測定되었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권12호
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• pp.30-40
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• 1998

극 저 에너지 실리콘 이온 주입 시뮬레이션을 통하여 실리콘 내부에서 발생하는 격자 손상에 대하여 고전분자 동역학을 사용하여 시뮬레이션 하였다. 또한 최근에 개발된 EDIP 전위식이 실리콘 충돌 계산에 적합한지 여부를 분자 동역학을 사용하여 계산하였다. EDIP 전위식은 평형상태 계산에 알맞지만 충돌을 계산하는데는 적합하지 않았다. 또한 MDRANGE를 실리콘 공정에 맞도록 향상시켜 200eV, 500eV, 그리고 1000eV 에너지 붕소 이온 주입 시뮬레이션을 수행하여 실리콘 기판의 온도, 기울기 각도 및 에너지에 따른 붕소의 분포를 계산하였다. 1000eV 이하 에너지 붕소 이온 주입에서도 체널링 현상에 대한 고려가 필요하다는 것을 알 수 있었다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제20권2호
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• pp.125-129
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• 2003

The effects of molecular structure on the redox properties of the organic electroluminescent materials (Ir$(ppy)_3$ Ir$(m-ppy)_3$ Ir$(p-toly)_3$) were studied using cyclic voltammetry and spectroscopy. These iridium complexes show reversible oxidation and reduction on the electrode, which produce the symmetric cyclic voltammogram. It indicates that these materials are very stable under repetitive oxidation/reduction cycles. The electrochemically determined ionization potentia/electron affinity values are 5.4OeV/3.02eV for Ir$(ppy)_3$, 5.36eV/2.96eV for Ir$(m-ppy)_3$, and 5.35eV/2.97eV for Ir$(p-toly)_3$ from the SCE(Standard Calomel Electrode). The electrically determined band gaps are 2.38eV (521nm), Ir$(ppy)_3$, 2.4OeV (517nm), Ir$(m-ppy)_3$, and 2.38eV (521nm). Ir$(p-toly)_3$, which are similar with the optical band gaps. The position of methyl group on 2-phenylpyridine (ppy) effects do not influence much on the ionization potential, electron affinity, and band gap of Ir$(ppy)_3$ derivatives.

• Corrosion Science and Technology
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• 제20권1호
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• pp.37-43
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• 2021

Additively manufactured (AM) Ti-6Al-4V alloys exhibit a dominant acicular martensite phase (α'), which is characterized by an unstable energy state and highly localized corrosion susceptibility. Electrochemical critical localized corrosion temperature (E-CLCT, ISO 22910: 2020) and electrochemical critical localized corrosion potential (E-CLCP, ISO AWI 4631: 2021) were measured to analyze the localized corrosion resistance of the AM Ti-6Al-4V alloy. Although E-CLCP was measured under mild corrosive conditions such as human body, the validity of evaluating localized corrosion resistance of AM titanium alloys was demonstrated by comparison with E-CLCT. However, the mechanisms of resistance to localized corrosion on the as-received and heat-treated AM Ti-6Al-4V alloys under E-CLCT and E-CLCP differ at various temperatures because of differences in properties under localized corrosion and repassivation. The E-CLCT is mainly measured for initiation of localized corrosion on the AM titanium alloys based on temperature, whereas the E-CLCP yields repassivation potential of re-generated passive films of AM titanium alloys after breaking down.