• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.503-507
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• 1998

마이크로파 유전체로 응용되는 $xCaTiO_3-La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$계의 소결시 고용조성 변화(x=0.4-0.6) 및 소결거동에 따른 유전특성에 조사하였다. 소결밀도가 감소함에 따라 유전상수는 감소하였으며 품질계수(Q)는 증가하다 일정한 값을 유지하였다. 고용체형의 경우 유전상수는 $CaTiO_3$조성 증가에 따라 증가하였다. $0.5\;CaTIO_3\;0.5\;La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$의 경우 유전상수 48, 온도계수는 $-1ppm/^{\circ}C$를 나타내었다.

• 분석과학
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• 제14권3호
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• pp.259-265
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• 2001

ZnO, CdS, rutile-$TiO_2$ 및 혼합 rutile-$TiO_2$/ZnO와 같은 여러 반도체를 이용하여 Congo Red를 광 촉매 분해시켰다. 연구 결과 ZnO, CdS, rutile-$TiO_2$ 중에서는 CdS의 광 촉매 효과가 제일 컸는데 이것은 CdS가 제일 작은 band gap 에너지를 가지고 있기 때문이었다. 또한 혼합 촉매에서는 ZnO의 함량이 rutile-$TiO_2$에 비하여 상대적으로 높을수록 분해 반응을 촉진하였다. 이것은 $Zn^{2+}$ 가수분해 생성물이 구조적으로 안정한 화합물인 rutile-$TiO_2$의 표면을 덮음으로서 자외선 흡수를 차단하기 때문에 라디칼 생성을 저해하기 때문이었다.

• 대한전기학회논문지
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• 제44권8호
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• pp.1068-1074
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• 1995

Effect of (Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_{2}$ addition on the phase changes and microwave dielectric properties of BaTi $O_{3}$-3Ti $O_{2}$ ceramics were investigated. Addition of (Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_{2}$ to BaTi $O_{3}$-3Ti $O_{2}$ resulted in the formation of Ba $Ti_{4}$$O_{9}$, $Ba_{2}$ $Ti_{9}$ $O_{20}$, Ba(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/) $O_{3}$, and Ti $O_{2}$ phases. Ba $Ti_{4}$$O_{9}$ phase was gradually transformed to $Ba_{2}$ $Ti_{9}$ $O_{20}$. This was identified by XRD and microstructure. As the Ba $Ti_{4}$$O_{9}$ phase transformed to $Ba_{2}$ $Ti_{9}$ $O_{20}$ phase, the dielectric constant increased to 37.5. Q*f$_{o}$ value was 40000 at x=0.04, and the temperature coefficient of resonant frequency was +10ppm/.deg. C.C.. C.C.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권4호
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• pp.8-12
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• 2006

본 논문에서는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계 및 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계의 반사율과 유전특성을 $TiO_2$의 양에 따라 조사하였다. 반사율은 $TiO_2$ 함량이 증가함에 따랴 감소하였다 여기서 $P_2O_5$-ZnO-BaO계는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 더 낮은 반사율을 나타내었으며, 유전상수는 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계가 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 높았다. 두 계 모두 유전상수는 $TiO_2$의 양에 따라 증가하는 특성을 보였다. 이 결과는 높은 반사율과 항복특성이 요구되는 PDP디스플레이의 후면 유전층에 적용할 수 있을 것으로 생각된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1257-1261
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• 1994

Phsysical and dielectric properties of $(1-x)CaTiO_3-xLa(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics were investigated at the temperature range of $25^{\circ}C$ to $80^{\circ}C$ at the frequency of 6 GHz. As increasing addition of the amount of $La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ to x = 5 mol,Q value was increased due to grain growth and increase of density. For more addition, Q value decreased due to electrical defect. Temperature coefficient of resonant frequency could be controlled by the amount of $La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$, which could be explained by volume mixing rule.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권9호
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• pp.681-684
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• 2010

The $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ multilayered structure for the transparent electrodes in plasma display panel was designed by essential macleod program (EMP) and the multilayered film was deposited on a glass substrate by direct-current (DC)/radio-frequency (RF) magnetron sputtering system. During film deposition process, the Ag layer in $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ structure became oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In this study, ZnS layer was adopted as a diffusion blocking layer between $TiO_2$ and Ag to prevent the oxidation of Ag layer efficiently in $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ structure. Based on the AES depth profiling analysis, the Ag layer was effectively protected by the ZnS layer as compared with the $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ multilayered films without ZnS as an antioxidant layer. The 3 times stacked $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ films have low sheet resistance of $1.22{\Omega}/{\square}$ and luminous transmittance was as high as 62% in the visible ranges.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.121-124
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• 1998

Generally the structure of powder electroluminescent devices (PELDs) on ITO-film was makeup of the ZnS:Cu phosphor layer and BaTiO$_3$ insulating layer. The active layer, which consists of a suitably doped ZnS powder mixed in a dielectric, is sandwiched between two electrodes; one of which are ITO film and the other is aluminum. In this paper, three kinds of powder eleotroluminescent devices (PELDs) : WK-A(ITO/BaTiO$_3$/ZnS:Cu/Silver paste). WK-B(ITO/BaTiO$_3$+ZnS:Cu/Silver paste) and WK-C(ITO/BaTiO$_3$/ZnS:Cu/BaTiO$_3$/Silver paste), fabricated by spin coating method, were investigated. To evaluate the luminescence properties of three kinds of PELDs, EL emission spectroscopy, transferred charge density and time response of EL emission intensity under square wave voltage driving were measured.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.321-324
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• 2003

The effects of various sintering additives such as $Bi_2O_3+V_2O_5$, $BiVO_4$, $B_2O_3$, and $CuO+V_2O_5$ on the low-temperature sintering and microwave dielectric properties of $(ZnMg)TiO_3$ system were studied. Sintering was enhanced by the sintering additives and highly dense samples were obtained for $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ at the sintering temperature of $910^{\circ}C$. $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ with 6.19 mol.%$B_2O_3$ was found to show the best sintering and microwave dielectric properties.

• 분석과학
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• 제21권3호
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• pp.237-243
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• 2008

착체중합법과 sol-gel법을 이용하여 ZnO 나노입자 표면상에 $TiO_2$ 입자를 코팅한 나노 코아쉘 구조를 제조하였다. 착체중합법으로 제조된 ZnO 입자는 평균입도가 약 100 nm, sol-gel법으로 제조된 $TiO_2$ 입자는 10 nm 이하의 크기로 각각 구성되었다. $ZnO@TiO_2$ 나노 코아쉘 구조의 평균입도는 약 150 nm의 크기를 나타내었다. 착체중합법으로 제조된 구형의 ZnO 나노 입자는 콜로이드상의 $TiO_2$ 입자의 균일한 표면흡착으로 인해 착체중합법으로 제조된 ZnO 입자의 입자간 응집이 크게 제어되었다. ZnO와 $TiO_2$의 이종 입자간의 표면전하는 pH 7 근처의 중성 영역에서 iso-electric point (IEP)의 차이로 인하여 - 로 대전된 $TiO_2$와 + 로 대전된 ZnO 나노입자의 이종의 입자들이 쿨롱의 인력에 의해 서로간의 결합을 하게 되고, 결합을 이룬 $ZnO@TiO_2$ 나노 코아쉘 구조가 표면 전하가 zero가 되어 발생하게 된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권9호
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• pp.1019-1023
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• 1996

The dielectric properties at microwave frequencies of B site complex perovskite La(Zn1/2Ti1/2)O3 which has +3 ion in A site were investigated. maximum Q*F value of the specimens was 59000 dielectric constant 34, temperature coefficient of resonant frequency -52 ppm/$^{\circ}C$. XRD pattern of the sintered specimen shows (111) ssuperlattice reflection which indicates Zn and Ti cation ordering.