In electrophoresis, it is studied to get best condition of suspension media with alcoholic system for superconducting film. High-temperature superconductor films of $YBa_{2}Cu_{3}O_{7-x}$ were fabricated by electrophoretic deposition(EPD) from alcohol-based suspension. Maximum stability is observed for the suspension containing iso-alcohol as dispersion medium. However, for the formation of a dense and adherent coating of YBCO on a silver substrate by EPD. the best results were obtained in mixing PrOH and BuOH suspension. The superconducting critical current density($J_c$) was $1,200A/cm^2$ for the films deposited in 30% iso-PrOH and 70 % iso-BuOH suspension.
본 연구에서는 펨토초의 펄스폭을 갖는 극초단 레이저를 이용하여 나노 스케일 초전도 재료의 열전도율을 측정하였다. 95 nm 두께의 이트륨바륨구리산화물($YBa_2Cu_3O_7-x$)을 티탄산스트론튬($SrTiO_3$) 기판 위에 펄스레이저 증착법으로 적층하여 시편을 제작하였으며, 유한차분법으로 1차원 과도 열전도 방정식의 해를 구하여 측정결과와 비교하였다. 곡선맞춤을 통하여 1.2 W/mK의 열전도율을 얻었으며, 이는 동일 재료의 벌크(bulk) 물성치에 비하여 낮은 값으로 확인된다. 본 연구는 마이크로/나노소자의 열설계를 위한 초전도 나노재료의 특성을 규명한다.
Kim, H.H.;Kim, S.;Shin, S.H.;Park, J.I.;Park, K.J.
한국표면공학회지
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제29권6호
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pp.829-833
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1996
Superconducting YBaCuO thin films were deposited on MgO (100) single crystal substrate by rf reactive sputtering method. Sputtering target was prepared by mixing the original powders of $Y_2O_3$, $BaCO_3$, and CuO at $830^{\circ}C$, and its composition was $YBa_2Cu_{3.3}O_x$ adding the excess CuO to compensate for the loss of Cu in the deposition process. The sputtering conditions for a high quality of YBCO thin film were: substrate temperature of 13$0^{\circ}C$; gas pressure of 10 mTorr; gas mixture ($O_2$: Ar =10: 90); distance of 2.5 inch; and rf power density of 4.87 W /$\textrm{cm}^2$. The deposition rate was 2.4~2.6 nm/min. From the RBS results, it was found that Cu and Ba contents in thin films decreased with the increase of substrate temperature. The increase of gas pressure resulted in significant deficiency of Ba elements.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.129-132
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1999
A new single solution source MOCVD technique for the deposition of YBCO film has been developed, using a ultrasonic atomizer to feed the precursors into an evaporation zone. This method being investigated as a basis for future long wire fabrication, for example the electric power use, the magnatic applications, etc.. YBCO films were prepared on MgO(100) substrate, using mixture of Y, Ba, and Cu ${\beta}$ -diketonate chelate was dissolve in tetrahydrofuran as a solution sources. X-ray diffraction measurement indicated that the thin film grew epitaxially with the c-axis orientation perpandicular to the surface of the surface.
[ $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}(YBCO)$ ]계 초전도 선재용 $GdAlO_3(GAO)$ 버퍼층을 졸-겔(sol-gel) 공정에 의해 제조하였다. 전구체 용액은 Gd 질산염과 Al 질산염을 1:1 화학양론비로 하여 메탄올에 용해하여 준비하였다. 전구체 용액을 $SrTiO_3(STO)$ (100) 단결정 기판위에 스핀 코팅하고, 수분이 포함된 $N_2-5%\; H_2$ 분위기에서 $1000^{\circ}C$에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 후 GAO 층의 표면에 대한 주사전자현미경 관찰에 의해 GAO 층이 에피택셜의 특징인 각면 형상을 갖는 것을 알 수 있었다. X-선 회절분석에 의하면 GAO 버퍼층은 c-축으로 우선 배향된 에피택셜 박막으로써 반가폭이 각각 (002)면에서 $0.29^{\circ}(out-of-plane)$, {112}지면에서 $1.10^{\circ}(in-plane)$의 우수한 배향성을 나타내었다.
Excimer laser has been used to fabricate superconducting YBa$_2$Cu$_3$O$\sub$7-x/(YBCO) thin films on various substrates. An XeCl excimer laser with an wavelength of 308 nm was used to deposit both buffer layer and superconducting thin film on sapphire substrate. The characterizations of the interface between thin film and substrate were performed. The interfacial properties of thin films on buffered sapphire and on bare sapphire were compared. With a 20 nm PrBa$_2$Cu$_3$O$\sub$7-x/(PBCO) buffer layer, no diffusion layer was observed between film and substrate while the diffusion layer with about 30 nm thickness was observed between film and sapphire without buffer layer.
Kim, Ho-Jin;Joo, Jin-Ho;Jung, Choong-Hwan;Lee, Hee-Gyoun;Hong, Gye-Won
Progress in Superconductivity
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제3권1호
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pp.120-124
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2001
To establish the deposition condition of YBCO thin film on MgO single crystal substrates, processing parameters of deposition temperature, chemical composition and oxygen partial pressure were controlled. When using a Ba-deficient composition of YB $a_{1.8}$$Cu_3$$O_{x}$, non-superconducting phase like CuO, $CuYO_2$ were formed, but BaCu02 was formed together with Yl23 phase when the starting composition was Ba-rich ($YBa_{2.3}$$Cu_3$$O_{x}$). The epitaxially grown Yl23 phase was formed at 760-$810^{\circ}C$ and $P_{O2}$=0.29-0.91 Torr.r.r.r.
[ $YBa_2C_3O_{7-x}$ ]films were fabricated on a $SrTiO_3$ (100) substrate using a trimethylaceate propionic acid (TMAP)-based MOD process by controlling the precursor solution viscosity, firing temperature, and by using various coatings. The viscosity of the precursor solution was controlled by the addition of Xylenes. The films were heat treated with different temperatures from 750 to $800^{\circ}C$. c-axis oriented films were obtained. After adding 9 ml of Xylene into the precursor solution, the $T_c$ of the YBCO film, which was coated 2 times and heat treated at $800^{\circ}C$, was 86 K and the measured $J_c$ was above 2.5 MA/$cm^2$ at 77 K in a zero-field.
In this paper, to fabricate a superconducting fault current limiter(FCL) of thick film type, $YBa_2Cu_3O_X superconducting thick films were fabricated by surface diffusion process using the screen printing method. Powder mixture of $3BaCuO_2$+2CuO was screen printed on $Y_2BaCuO_5$(d=15mm). And critical current densities of the thick films were observed as the sintering temperature(92$0^{\circ}C$~95$0^{\circ}C$) and holding time(2h~10h). Based on experimental data, the thick films for superconducting FCL were sintered at $940^{\circ}C$ in 2 hours. The superconducting FCL with a current limiting area of 1mm wide and 66mm long was prepared on $Y_2BaCuO_5$ substrate. To measure the characterization of the fabricated FCL, an alternating voltage (60Hz) was applied to the FCL in 77K liquid nitrogen. At an applied voltage of 4V, the FCL was limited from 20A into 0.6A not farther than 0.5ms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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