To protect healthy and beautiful hair, the hair protection effect was tested by adding an aloe extract from the hair solution. The treatment groups were grouped into four categories: Group II (Famma Treatment Only), Group III (Oxidase+aloe), Group IV (Reduce+aloe), and Group V (Oxidase+aloe, Release+aloe). The test hair is collected from women's hair in their 20s, 30s and 40s who have not undergone chemical treatment such as permanent and dying for one year and use 100% aloe stock solution. In order to evaluate hair thickness, cuticles, tensile strength, elongation and formation rate, the experiment environment was 28.9 degrees and 72% humidity. All statistical tests were done at 5% significant level. Cuticle, elongation, and formation rate were significantly improved (P<.05) and cuticle was best in group V, elongation was group III. In conclusion, aloe added to perm treatment were effective in improving cuticle, elongation rate, and formation of hair.
We have used the microtremor method, with arrays of up to 96 m diameter, to carry out non-invasive estimation of shear-wave velocity profiles to a depth of 30 to 50 m in unconsolidated Quaternary Yarra Delta sediments. Two silt units (Coode Island Silt, and Fishermans Bend Silt) dominate our interpretation; the method yields shear velocities for these units with precision of $5\%$, and differentiates between the former, softer unit ($V_s$=130 m/sec) and the latter, firmer unit ($V_s$=235 m/sec). Below these silts, the method resolves a firm unit correlating with known gravels ($V_s$ 500 to 650 m/sec). Using surface traverses with the single-station H/V spectral ratio method, we show that the variation in thickness of the softer silt can be mapped rapidly but only qualitatively. The complexity of the geological section requires that array methods be used when quantitative shear-wave velocity profiles are desired.
우리 협회가 지난 12월 9일 부터 사흘간 'CODE V 및 LightTools를 이용한 광학설계 실습 세미나'를 개최했다. 서울 사당동 소재 한국직업전문학교에서 진행된 이번 세미나는 세코닉스, 해성옵틱스, 디지탈옵틱, 삼양옵틱스 등의 회원사는 물론 삼성디스플레이, 현대모비스, 캐논코리아비즈니스솔루션, LG전자, 카이스트, 광운대학교 등에서 총 30명의 연구원, 학생 등이 수강한 가운데 진행됐다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.12
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pp.25-30
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2007
In this paper, we proposed a new burst-mode optical transmitter structure which is suitable for high data rate operation such as Gb/s operation. With this structure we made a 1.25Gb/s burst-mode optical transmitter including a digitally controlled APC circuit for EPON systems using commercial 0.8m BiCMOS technology. It well functioned at 1.25Gb/s and showed good eye patterns with 53.3ps jitter, 191ps rise time and 258ps fall time. To characterize the APC function we measured optical output power as increasing external voltage VREF. The optical power is linearlyproportional to VREF at the rate of 0.293mW/V.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.123-124
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2007
A silver indium sulfide ($AgInS_2$) epilayer was grown by the hot wall epitaxy method, which has not been reported in the liteniture. The grown $AgInS_2$ epilayer has found to be a chalcopyrite structure and evaluated to be high quality crystal. From the photocurrent measurement in the temperature range from 30 K to 300 K, the two peaks of A and B were only observed, whereas the three peaks of A, B, and C were seen in the PC spectrum of 10 K. These peaks are ascribed to the band-to-band transition. The valence band splitting of $AgInS_2$ was investigated by means of the photocurrent measurement. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgInS_2$ obtained from the photocurrent spectrum was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=\;E_g(0)\;eV-(7.78\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2/(T\;+\;116\;K\;K)$. Also, Eg(0) is the energy band gap at 0 K, which is estimated to be 2.036 eV at the valence band state A and 2.186 eV at the valence band state B.
In many countries, including Korea, in order to transmit the more electric power, the higher transmission line voltage is inevitable. So, a rapid reclosing scheme is important for UHV transmission lines to ensure requirements for high reliability of main lines. But, because of the high voltage and long span of UHV lines, the secondary arc current flows across the fault point even after the interruption of the fault current. i.e. A critical aspect of reclosing operation is the extinction of the secondary arc since it must extinguish before successful reclosure can occur. In Korea transmission lines, it is scheduled to energize 765kV single transmission line(79km) between Sin-Ansung S/S and Sin-Gapyeong S/S at June 2006. Therefore this paper analyzes characteristics of the secondary arc extinction on 765kV single transmission line using EMTP. Simulation results shows that the average value of the secondary arc is $30A_{rms}$ and the auto-extinction time of it is longer at closer point to Sin-Gapyeong S/S.
Shirai, Hajime;Ohki, Tatsuya;Liu, Qiming;Ichikawa, Koki
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.388-388
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2016
Chemical mist deposition (CMD) of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) was investigated with cavitation frequency f, solvent, flow rate of nitrogen, substrate temperature $T_s$, and substrate dc bias $V_s$ as variables for efficient PEDOT:PSS/crystalline (c-)Si heterojunction solar cells (Fig. 1). The high-speed camera and differential mobility analysis characterizations revealed that average size and flux of PEDOT:PSS mist depend on f, solvent, and $V_s$. The size distribution of mist particles including EG/DI water cosolvent is also shown at three different $V_s$ of 0, 1.5, and 5 kV for a f of 3 MHz (Fig. 2). The size distribution of EG/DI water mist without PEDOT:PSS is also shown at the bottom. A peak maximum shifted from 300-350 to 20-30 nm with a narrow band width of ~150 nm for PEDOT:PSS solution, whose maximum number density increased significantly up to 8000/cc with increasing $V_s$. On the other hand, for EG/water cosolvent mist alone, the peak maximum was observed at a 72.3 nm with a number density of ~700/cc and a band width of ~160 nm and it decreased markedly with increasing $V_s$. These findings were not observed for PEDOT:PSS/EG/DI water mist. In addition, the Mie scattering image of PEDOT:PSS mist under white bias light was not observed at $V_s$ above 5 kV, because the average size of mist became smaller. These results imply that most of solvent is solvated in PEDOT:PSS molecule and/or solvent is vaporized. Thus, higher f and $V_s$ generate preferentially fine mist particle with a narrower band width. Film deposition occurred when $V_s$ was impressed on positive to a c-Si substrate at a Ts of $30-40^{\circ}C$, whereas no deposition of films occurred on negative, implying that negatively charged mist mainly provide the film deposition. The uniform deposition of PEDOT:PSS films occurred on textured c-Si(100) substrate by adjusting $T_s$ and $V_s$. The adhesion of CMD PEDOT:PSS to c-Si enhanced by $V_s$ conspicuously compared to that of spin-coated film. The CMD PEDOT:PSS/c-Si solar cell devices on textured c-Si(100) exhibited a ${\eta}$ of 11.0% with the better uniformity of the solar cell parameters. Furthermore, ${\eta}$ increased to 12.5% with a $J_{sc}$ of $35.6mA/cm^2$, a $V_{oc}$ of 0.53 V, and a FF of 0.67 with an antireflection (AR) coating layer of 20-nm-thick CMD molybdenum oxide $MoO_x$ (n= 2.1) using negatively charged mist of 0.1 wt% 12 Molybdo (VI) phosphoric acid n-Hydrate) $H_3(PMo_{12}O_40){\cdot}nH_2O$ in methanol. CMD. These findings suggest that the CMD with negatively charged mist has a great potential for the uniform deposition of organic and inorganic on textured c-Si substrate by adjusting $T_s$ and $V_s$.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.18
no.5
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pp.250-252
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2017
High-performance full swing logic inverters were fabricated using amorphous 1 wt% Si doped indium-zinc-oxide (a-SIZO) thin films with different channel layer thicknesses. In the inverter configuration, the threshold voltage was adjusted by varying the thickness of the channel layer. The depletion mode (D-mode) device used a TFT with a channel layer thickness of 60 nm as it exhibited the most negative threshold voltage (-1.67 V). Inverters using enhancement mode (E-mode) devices were fabricated using TFTs with channel layer thicknesses of 20 or 40 nm with excellent subthreshold slope (S.S). Both the inverters exhibited high voltage gain values of 30.74 and 28.56, respectively at $V_{DD}=15V$. It was confirmed that the voltage gain can be improved by increasing the S.S value.
To compare the photocatalytic performances of titania for purification of waste water according to applied voltages and doping, $TiO_2$ films were prepared in a 1.0 M $H_2SO_4$ solution containing $NH_4F$ at different anodic voltages. Chemical bonding states of F-N-codoped $TiO_2$ were analyzed using surface X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The photocatalytic activity of the co-doped $TiO_2$ films was analyzed by the degradation of aniline blue solution. Nanotubes were formed with thicknesses of 200-300 nm for the films anodized at 30 V, but porous morphology was generated with pores of 1-2 ${\mu}m$ for the $TiO_2$ anodized at 180 V. The phenomenon of spark discharge was initiated at about 98 V due to the breakdown of the oxide films in both solutions. XPS analysis revealed the spectra of F1s at 684.3 eV and N1s at 399.8 eV for the $TiO_2$ anodized in the $H_2SO_4-NH_4F$ solution at 180 V, suggesting the incorporation of F and N species during anodization. Dye removal rates for the pure $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 14.0% and 38.9%, respectively, in the photocatalytic degradation test of the aniline blue solution for 200 min irradiation; the rates for the F-N-codoped $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 21.2% and 65.6%, respectively. From the results of diffuse reflectance absorption spectroscopy (DRS), it was found that the absorption edge of the F-N-codoped $TiO_2$ films shifted toward the visible light region up to 412 nm, indicating that the photocatalytic activity of $TiO_2$ is improved by appropriate doping of F and N by the addition of $NH_4F$.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.29
no.1
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pp.102-107
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2012
The recovery of a Pt anode in a PEMFC through 30 ppm $H_2S/H_2$ exposure was evaluated by using a cyclic voltametry(CV) scan. First, the PEMFC unit cell performanc loss was measured three times under an anode feeding with 30 ppm $H_2S/H_2$ for 1hr at $0.5A/cm^2$ of current density. The initial cell performance was $1.16A/cm^2$ at 0.6 V without $H_2S$ poisoning. After first poisoning step for 1hr the cell performance was decrease to $0.77A/cm^2$, and the further poisoning steps decreased up 0.57 V. Finally, the recovery of the cell performance of $H_2S$ poisoned PEMFC was achieved up to 90.3% by applying CV scan. Moreover, we also found out that another possible approach for over 80% recovery of the cell performance of $H_2S$ poisoned anode Pt catalyst layer was to just inject fresh hydrogen into the anode feeding stream.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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