• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2008년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.452-457
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• 2008

분말 TiO$_2$를 코팅한 전극은 전기저항으로 인해 0.5 A 이상의 전류를 인가할 수 없었으며, 1 A를 적용하였을 때 60분의 반응시간 후 최종 RhB 농도를 측정한 결과 Ru/Ti 전극의 RhB 농도 감소 가장 큰 것으로 나타났고, Ru/Ti > Ti > SG-TiO$_2$ > Th-TiO$_2$로 나타났다. 전기분해 공정만 적용한 경우 RhB 농도 감소의 순서는 Ru/Ti = Ti > SG-TiO$_2$ > Th-TiO$_2$ 전극의 순서로 나타났다. UV만 적용한 경우 RhB 제거는 작았으며, Ti와 Ru/Ti 전극은 UV만 적용한 경우와 RhB 제거농도가 비슷하였는데 이는 전극 표면에서 광촉매 반응이 일어나지 않는다는 것을 의미한다. 반면 TiO$_2$를 전극 표면에 형성하거나 코팅한 전극은 UV만 적용한 경우보다 RhB 농도가 낮게 나타났고, TiO$_2$가 형성되거나 코팅된 전극은 P-TiO$_2$ > Th-TiO$_2$ > SG-TiO$_2$의 순서로 나타났으나 차이는 크지 않았다. 광전기촉매 공정에서 시너지 효과가 거의 없는 것은 전극 표면에 코팅되거나 형성된 TiO$_2$의 양이 적고 광촉매 반응에 의한 분해 정도가 낮아 전자-정공의 재결합 감소효과가 적기 때문인 것으로 사료되었다. Th-TiO$_2$와 SG-TiO$_2$ 전극의 경우 전해질로 Na$_2$SO$_4$를 사용한 경우의 RhB 농도가 NaCl을 사용한 경우보다 RhB 낮게 나타났으나, Ti와 Ru/Ti 전극의 경우는 반대 현상이 나타났다. 이와 같은 결과는 광촉매 반응이 높은 Th-TiO$_2$와 SG-TiO$_2$ 전극에서의 Cl$^-$의 광촉매 반응 저해현상이 높게 나타났기 때문이라고 사료되었다. 반면 DSA 전극인 Ti와 Ru/Ti 전극의 경우 광촉매 반응이 거의 나타나지 않기 때문에 주반응인 전기분해 반응에서의 촉진 반응이 지배적이기 때문에 Th-TiO$_2$와 SG-TiO$_2$ 전극과는 정 반대의 현상이 나타났다고 사료되었다. 전기/UV 공정에서는 최적 전류는 0.75 A, NaCl 투입량은 0.5 g/L로 나타났으며, 최적 UV램프 전력은 16 W인 것으로 나타났다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권8호
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• pp.1102-1107
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• 1993

CaO-TiO2 이성분계에서 40~50 mol% CaO 조성범위를 선택하여 CaTiO3과 CaTiO3-TiO2세라믹스의 마이크로파 유전특성을 조사하였다. CaTiO3 단일상 (50 mol% CaO조성)일 때 유전율(er) 178, 공진주파수 (fo)의 온도계수(r,)+1000ppm/C, 픔질계수인 Q값 2760(fo=2.7 GHz)으로 가장 큰 값을 나타내었다. CaTiO3와 TiO2상이 혼합상으로 있는 유전체에서는 CaO 함량이 감소함에 따라서 유전율과 공진주파수의 온도계수는 점차 감소하였으나 Q값과 밀도는 47 mol% CaO조성에서 가장 낮았다. 이것은 이상 혼합 세라믹에서 TiO2상의 감소로 인해 CaTiO3의 결정립 성장이 급속하게 일어남으로써 입계와 입내에 큰 기공이 존재하지 때문으로 생각된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권7호
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• pp.577-585
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• 1992

TiB2 and TiC were prepared from the mixture of metal titanium, boron and graphite powders in Argon atmosphere by Self-propagating High-temperature Synthesis method. The sintered properties of TiB2-TiC composite as a function of TiC content and sintering temperature were investigated in TiB2 matrix. The sintered properties were the most excellent at 10 wt% TiC content in TiB2-TiC composite. The relative density, M.O.R strength, hardness and fracture toughness of TiB2-10 wt% TiC composite sintered at 190$0^{\circ}C$ for 90 min by hot-pressing under the pressure of 30 MPa were 98.6%, 634 MPa, 2128.1 kg/$\textrm{mm}^2$ and 4.09 MN/m3/2, respectively.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권1호
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• pp.87-92
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• 2003

출발 물질로 TiCx(x=0.67)와 Al 분말을 사용하여 800~150$0^{\circ}C$ 온도 구간에서 상압 또는 가압 반응으로 Ti$_3$AlC$_2$를 합성하였다. 출발 물질로 TiCx(x=0.67)와 Al 분말을 사용한 반응 합성에서는 Ti-Al intermetallic compound 또는 Al-C compound와 같은 중간 형성물은 형성되지 않았으며 Ti$_3$AlC$_2$을 합성할 수 있었다. TiCx(x=0.67)와 용융 Al의 직접 반응으로 80$0^{\circ}C$에서는 Ti$_2$AlC 상이 합성되었으며, 1200~150$0^{\circ}C$ 반응온도 구간에서는 Ti$_3$AlC$_2$ 상이 우선적으로 합성되었다. 저온에서 합성된 Ti$_2$AlC 상은 고온에서 TiC와 반응으로 Ti$_3$AlC$_2$ 상으로 합성되었다. 본 연구에서는 출발 물질로 TiCx와 Al을 사용한 Ti$_3$AlC$_2$ 상의 합성기구를 제시하였다. 합성된 Ti$_3$AlC$_2$의 미세구조는 Ti$_3$AlC$_2$ 상으로 이루어진 결정립이 45~120nm크기로 적층된 구조를 갖는다.

• 한국재료학회지
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• 제12권11호
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• pp.889-893
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• 2002

The reactions of $Cu/Ti/SiO_2$ structures at temperatures ranging from 200 to $700^{\circ}C$ have been studied for various Ti thicknesses. The reaction products initially formed, at around $300^{\circ}C$, were a series of Cu-Ti intermetallics ($Cu_3$Ti/CuTi) with the oxygen dissolved in the Ti moving from the compounds into the remaining unreacted Ti. At $500^{\circ}C$, the $Cu_3$Ti was converted into Cu-rich intermetallics, $Cu_4$Ti, which grew at the expense of the CuTi due to the increased oxygen content in the Ti. In addition, the outdiffusion of Ti, to the Cu surface, and the $Ti-SiO_2$ reactions, caused an abrupt increase in the oxygen content in the Ti layer, which placed thermodynamic restraints on further Ti reactions. Furthermore, thinner Ti layers showed a higher increasing rate of oxygen accumulation for the same consumption of Ti, which led to significantly reduced Ti consumption. The $SiO_2$ film under the Ti diffusion barrier was more easily destroyed with increasing Ti thickness.

• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.120-124
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• 2010

용액침전법에 의해 $TiO_2$ 및 $TiO_{2-x}N_x$를 제조하였다. $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$의 띠 간격인 3.20 eV (390 nm 흡광)로부터 1.77 eV (700 nm 흡광)까지 띠 간격이 줄어들게 되어 자외선 영역 뿐 아니라 가시광선 전체 영역에서도 흡광이 발생하였다. 가시광선에서의 광촉매 활성에서도 $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$ 및 P-25보다도 더 높은 활성도를 나타냈다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권7호
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• pp.344-348
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• 2006

The effect of x on microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics for microwave components were investigated. All spcecimens prepared by the conventional mixed oxied method and sintered at $1450^{\circ}C$. Microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-xTiO_2$ ceramics were influenced by $MgTi_2O_5$ phase. Also the microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were dominated with an addition of $CaTiO_3\;and\;SrTiO_3$. The dielectric constant $(\varepsilon_r)$, quality factor $(Q{\times}f_r)$ and temperature coefficient of the resonant frequency $(TCRF,\;\tau_f)$ of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were $12.96\sim70.98,\;5,132\sim186,410GHZ$ and $-35.82\sim+75.96ppm/^{\circ}C$, respectively, and depend on x and addition materials.

• 한국진공학회지
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• 제3권4호
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• pp.405-413
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• 1994

초고진공에서 기판 Si(111)-7$\times$7 위에 Ti:Si 또는 1:2의 조성비로 Ti와 Si을 동시증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi2 박막을 에피택셜 성장시켰다 XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi2 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며 양질의 C49-TiSi2 박막은 Ti를 증착한후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7$\times$7구조의 시료를 초고진공에서 50$0^{\circ}C$에서 열처리하여 얻을수 있었다. 형성된 C49-TiSi2/Si(111)의 계면은 깨끗하였고 HRTEM 분석 결과 C49-TiSi2\ulcornerSi(111)의 계면은 약 10。 의 편의를 가지면서 TiSi2[211]∥Si[110] TiSi2(031)/Si(111) 의 정합성을 가졌으며 시료의 전 영 역에 에피택셜 성장되었다.

• 대한전기학회논문지
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• 제41권8호
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• pp.869-874
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• 1992

The physical and electrical properties of TiN/TiSiS12T bilayer were studied. The TiN/TiSiS12T bilayer was formed by rapid thermal anneal in NHS13T ambient after the Ti film was deposited on silicon substrate. The Ti film reacts with NHS13T gas to make a TiN layer at the surface and reacts with silicon to make a TiSiS12T layer at the interface respectively. It was found that the formation of TiN/TiSiS12T bilayer depends on RTA temperature. In this experiment, competitive reaction for TiN/TiSiS12T bilayer occured above $600^{\circ}C$. Ti-rich TiNS1xT layer and Ti-rich TiSiS1xT layer and Ti-rich TiSiS1xT layer were formed at $600^{\circ}C$. stable structure TiN layer TiSiS12T layer which has CS149T phase and CS154T phase were formed at $700^{\circ}C$. Both stable TiN layer and CS154T phase TiSiS12T layer were formed at 80$0^{\circ}C$. The thickness of TiN/TiSiS12T bilayer was increased as the thickness of deposited Ti film increased.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제34권4호
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• pp.746-755
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• 2017

본 연구에서는 $CeO_2$ 표면에 $Ti(SO_4)_2$의 가수 분해를 이용하여 $TiO_2$를 성장시켜 코어-쉘 구조를 가지는 세라믹 나노입자를 합성 하였다. $CeO_2/TiO_2$ 코어-쉘 합성에서는 $CeO_2:TiO_2$의 몰비, 반응 시간, 반응 온도, $CeO_2$ 슬러리 농도, $Ti(SO_4)_2$의 pH 조절을 통하여 코어-쉘 구조를 가지는 최적의 합성 조건을 찾았다. $CeO_2:TiO_2$의 최적의 몰비는 1:0.2~1.1, 최적의 반응 시간은 24 시간, 최적의 $CeO_2$ 슬러리 농도는 1%, 최적의 반응 온도는 $50^{\circ}C$임을 알 수 있었다. $NH_4OH$ 수용액을 이용하여 $Ti(SO_4)_2$ 의 pH를 1로 맞추어 $CeO_2$ 슬러리에 적하하면 10%의 농도를 가지는 $CeO_2$ 슬러리에서도 $CeO_2/TiO_2$ 코어-쉘 나노 입자를 합성할 수 있었다. $80^{\circ}C$이상의 높은 온도에서 반응을 시키면 $CeO_2/TiO_2$ 코어-쉘 구조가 아닌 독립된 $TiO_2$ 나노 입자를 형성함을 알 수 있었다. 최적의 반응 온도는 $50^{\circ}C$로서 가장 좋은 구조의 $CeO_2/TiO_2$ 코어-쉘이 합성되었다.