• 한국결정성장학회지
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• 제31권1호
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• pp.37-42
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• 2021

화학적 조성이 TiZrN 박막의 구조적 특성 및 열적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 증착된 TixZr1-xN(x = 0.87, 0.82, 0.7, 0.6, 0.28) 박막에서 Zr 분율이 증가함에 따라 결정립 크기가 감소하고 주상 구조에서 입계상 구조로 점진적으로 변화하는 미세구조 변화가 관찰되었다. 또한 XRD 분석을 통해 Zr 분율이 0.4까지 증가할 때 TiN 상에서 TiZrN 상으로의 점진적인 결정상 전이가 일어났음을 확인하였다. 900℃ 온도에서의 열처리 이후 Ti0.82Zr0.18N과 Ti0.7Zr0.3N 박막은 rutile 상 TiO2와 TiZrO4 산화물이 공존하는 형태로 전환된 반면에 Ti0.6Zr0.4N 박막은 TiZrO4 산화물로 변화함을 확인하였다. 다섯 가지 조성의 TiZrN 박막 중에서 Ti0.6Zr0.4N 박막이 가장 우수한 고온 안정성을 나타내었고, Inconel 617 기판의 열산화에 의해 발생하는 Cr의 표면 확산을 억제하는 열산화 저항성 향상 효과가 가장 우수함을 확인하였다.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제48권2호
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• pp.1-5
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• 2011

HVPE법으로 $3{\mu}m$의 GaN epi를 성장하고 이 위에 DC 마그네트론 Sputter를 이용하여 Ti stripe 패턴 형성하였으며 다시 HVPE를 이용하여 $120{\mu}m$ ~ $300{\mu}m$ 두께의 GaN를 overgrowth하였다. 성장된 GaN는 SEM 측정으로 Ti 패턴한 부분에서 void가 관찰되었고 보다 두꺼운 GaN를 성장시에는 크랙이 void를 따라 발생할 수 있음을 확인하였으며 XRD측정으로 FWHM은 188 arcsec로 측정되었다. 성장전의 GaN epi와의 반치폭을 비교하였을 때 패턴에 사용된 Ti는 overgrowth시 결정성에는 크게 영향을 주지 않는다는 것을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제44권1호
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• pp.37-42
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• 2007

The preparation of $TiC_{0.7}N_{0.3}$ powder by SHS in the system of $Ti-TiH_2-C$ ($N_2$ atmosphere) was investigated in this study. In the preparation of $TiC_{0.7}N_{0.3}$ powder, the effect of gas pressure, compositions such as Ti, $TiH_2$, C, and additive in mixture on the reactivity were investigated. At 50 atm of the initial inert gas pressure in reactor, the optimum composition for the preparation of pure $TiC_{0.7}N_{0.3}$ was $0.75Ti+0.25TiH_2+0.7C+0.5NaCl$. The $TiC_{0.7}N_{0.3}$ powder synthesized in this condition was a single phase with irregular shape.

• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.120-124
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• 2010

용액침전법에 의해 $TiO_2$ 및 $TiO_{2-x}N_x$를 제조하였다. $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$의 띠 간격인 3.20 eV (390 nm 흡광)로부터 1.77 eV (700 nm 흡광)까지 띠 간격이 줄어들게 되어 자외선 영역 뿐 아니라 가시광선 전체 영역에서도 흡광이 발생하였다. 가시광선에서의 광촉매 활성에서도 $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$ 및 P-25보다도 더 높은 활성도를 나타냈다.

• 열처리공학회지
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• 제2권4호
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• pp.11-18
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• 1989

To investigate the influence of $TiCl_4$, $N_2$ inlet fraction on the TiN layer, TiN film was deposited onto the STC3 and STD11 steel from gas mixtures of $TiCl_4/N_2/H_2$ by the radio frequency plasma assisted chemical vapor deposition. The films were deposited at various $TiCl_4$, $N_2$ inlet fractions. The results showed that the film thickness was increased with $TiCl_4$ inlet fraction. However, while the thickness was increased with $N_4$ inlet fraction under 0.4 the thickness was decreased with increasing $N_2$ inlet fraction over 0.4. The density of deposited films was varied as $TiCl_4$, $N_2$ inlet fraction and its maximum value was about $5.6g/cm^3$. The contents of chlorine were increased with increasing $TiCl_4$ inlet fraction and nearly constant with increasing $N_2$ inlet fraction.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.162-162
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• 2015

증착 조건이 AlTiN 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 평가하였다. 한편, 공정변수의 하나로 빗각 증착을 적용하여 AlTiN 박막을 제조하고 그 특성을 평가하였다. Al-25at.%Ti 합금타겟을 음극 아크 소스에 장착하여 AlTiN 박막을 코팅하였다. 기판은 stainless steel(SUS304)과 초경(tungsten carbide; WC)을 사용하였다. 음극 아크 소스에 인가되는 전류가 낮을수록 AlTiN 박막 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아졌으며, 공정 압력과 기판 전압이 높을수록 AlTiN 박막의 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아지는 경향을 보였다. 코팅 공정 중 질소 유량을 변화했지만 AlTiN 박막의 특성에 변화는 없었다. AlTiN 박막 증착 시 빗각을 적용한 결과, $60^{\circ}$의 빗각을 적용한 다층 박막에서 약 33 GPa의 경도를 보였다. AlTiN 박막의 내산화성을 평가한 결과, $600^{\circ}C$이상에서 안정된 내산화성을 확인할 수 있었다.

• International Journal of Korean Welding Society
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• 제2권1호
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• pp.25-28
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• 2002

In the coarse grain HAZ adjacent to the fusion line, most of the TiN particles in conventional Ti added steel are dissolved and austenite grain growth is easily occurred during welding process. To avoid this difficulty, thermal stability of TiN particle is improved by increasing the nitrogen content in steel. In this study, the effect of hlgh nitrogen TiN particle on preventing austenite grain growth in HAZ was investigated. Increased thermal stability of TiN particle is helpful for preventing the austenite grain growth by pinning effect. High nitrogen TiN particle in simulated HAZ were not dissolved even at high temperature such as 1400'E and prevented the austenite grain growth in simulated HAZ. Owing to small austenite grain size in HAZ the width of coarse grain HAZ in high nitrogen TiN steel was decreased to 1/10 of conventional TiN steel. Even high heat input welding, the microstructure of coarse grain HAZ consisted of fine polygonal ferrite and pearlite and toughness of coarse grain HAZ was significantly improved.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.67-67
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• 2015

음극 아크 플라즈마 공정을 이용하여 증착된 AlTiN 코팅막의 공정 변화에 따른 물리적 특성 변화를 평가하였다. 또한 빗각 증착을 적용하여 제조한 AlTiN 코팅막의 특성을 평가하였다. Al-25at.%Ti 합금타겟을 음극 아크 소스에 장착하여 AlTiN 박막을 코팅하였다. 기판은 stainless steel(SUS304)과 초경(tungsten carbide; WC)을 사용하였다. 음극 아크 소스에 인가되는 전류가 낮을수록 AlTiN 코팅막 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아졌으며, 공정 압력과 기판 전압이 높을수록 AlTiN 코팅막의 표면에 존재하는 거대입자의 밀도가 낮아지는 경향을 보였다. 코팅 공정 중 질소 유량을 변화했지만 AlTiN 코팅막의 특성은 변하지 았았다. AlTiN 코팅막 증착 시 빗각을 적용한 결과, $60^{\circ}$의 빗각을 적용한 다층 코팅막에서 약 33 GPa의 경도를 보였다. AlTiN 코팅막의 내산화성을 평가한 결과, $600^{\circ}C$이상에서 안정된 내산화성을 확인할 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제34권3호
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• pp.195-205
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• 2001

The surface characteristics of Ti/TiN films coated on sintered stainless steels (SSS) by electron beam physical vapour deposition (EB-PVD) were investigated. Stainless steel compacts containing 2, 4, and 10wt%Cu were prepared by the electroless Cu-plating method, which results in increased homogenization in the alloying powder. The specimens were coated with Ti and TiN with a 1.0$\mu\textrm{m}$ thickness respectively by EB-PVD. The microstructures were investigated using scanning electron microscopy (SEM). The corrosion behaviors were investigated using a potentiosat in 0.1 M $H_2$$SO_4$, and 0.1M HCl solutions and the corrosion surface was observed using SEM and XPS. The Ti coated specimens showed rough surface compared to Ti/TiN coated specimens. Ti and Ti/TiN coated SSS revealed a higher corrosion and pitting potential from anodic polarization curves than that of Ti and Ti/TiN uncoated SSS. In addition, Ti/TiN coated SSS containing 10wt% Cu exhibited good resistance to pitting corrosion due to the formation of a dense film on the surface and the decrease in interconnected porosity by electroless coated Cu.

• 한국안광학회지
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• 제9권1호
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• pp.161-166
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• 2004

본 연구에서는 이온빔 증착방법을 사용하여 스테인레스 스틸 기판 위에 TiN 박막을 성장하였다. $10^{-5}$ Torr의 질소 분위기에서 아르곤 가스를 보조 이온빔으로 사용하여 TiN 박막을 성장하였다. TiN 박막의 화학 조성, 색상, 밀착력 등을 En의(원자당 이용에너지) 변화에 따라서 측정하였다. En이 증가 할 때 질소와 Ti의 비율은 선형적으로 변화 하였고, 높은 En의 경우에는 질소와 Ti의 비율은 1.2를 가지며 포화되었다. 밝은 금색은 En이 어떤 임계값(Ecn)에 도달 하였을 때 얻어졌다. 이때의 질소와 Ti의 비율은 0.9 이다.