Nanocrystalline SnO and $SnO_{2}$ powder have been prepared by hydrazine method. Sn-Hydrazine complex was formed by the reduction between aqueous $SnCl_{2}$ solution and hydrazine monohydrate. $SnO_{2}$ nano powder was prepared by the decomposition of Sn-Hydrazine complex at $450^{\circ}C$. When NaOH was added to Sn-hydrazine complex, SnO powder with nano-sheet morphology could be prepared. This can be attributed to the role of $OH^{-}$ ion as a reducing agent.
SnO nanosheets were prepared at room temperature through a reaction between an aqueous solution of $SnCl_2$, $N_2F_4$, and NaOH and were converted into $SnO_2$ nanosheets without a morphological change. The SnO nanosheets were formed through a dissolution-recrystallization mechanism. Uniform and well-dispersed SnO nanosheets with the round-shape morphology were attained when the solution was treated by ultrasonic sound immediately after the addition of NaOH. The $SnO_2$ nanosheets prepared by means of solution reduction under the ultrasonic treatment, and subsequent oxidation at $600^{\circ}C$ showed a high level of gas sensitivity to $C_2H_5OH$ and $CH_3COCH_3$.
This study elucidates the formation mechanism of SnO plate observed during the precipitation reaction of a $SnCl_2$ aqueous solution. $Sn_{21}Cl_{16}(OH)_{14}O_6$ and $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates was formed at pH=3~5 and at pH=11, respectively. When the pH was in the range of 11.5~12.5, the $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates dissolved into $HSnO_2{^-}[Sn_6O_4(OH)_4+4OH^-={6HSnO_2{^-}+2H^+]$ and dissolved $HSnO_2{^-}$ ions reprecipitated to SnO plate $[HSnO_2{^-}+H^+=SnO+H_2O]$. The $Sn_6O_4(OH)_4$ precipitates completely transformed into SnO plate through a repeated process of dissolution-precipitation in the range of pH=11.5~12.5.
Tin dioxide (SnO2) thin film is one of the most important n-type semiconducting materials having a high transparency and chemical stability. Due to their favorable properties, it has been widely used as a base materials in the transparent conducting substrates, gas sensors, and other various electronic applications. Up to now, SnO2 thin film has been extensively studied by a various deposition techniques such as RF magnetron sputtering, sol-gel process, a solution process, pulsed laser deposition (PLD), chemical vapor deposition (CVD), and atomic layer deposition (ALD) [1-6]. Among them, ALD or plasma-enhanced ALD (PEALD) has recently been focused in diverse applications due to its inherent capability for nanotechnologies. SnO2 thin films can be prepared by ALD or PEALD using halide precursors or using various metal-organic (MO) precursors. In the literature, there are many reports on the ALD and PEALD processes for depositing SnO2 thin films using MO precursors [7-8]. However, only ALD-SnO2 processes has been reported for halide precursors and PEALD-SnO2 process has not been reported yet. Herein, therefore, we report the first PEALD process of SnO2 thin films using SnCl4 and oxygen plasma. In this work, the growth kinetics of PEALD-SnO2 as well as their physical and chemical properties were systemically investigated. Moreover, some promising applications of this process will be shown at the end of presentation.
새로운 유기주석(IV) 착물을 $Bu_2SnCl_2$과 N, O 및 S 주개 리간드인 5-(p-dimethylaminobenzylidene)rodanine(HL)로 부터 제조하였다. 염기 존재 하에 리간드는 탈양성자화되며, SnBuCl2L의 분자식을 갖는 착물이 형성되었다. 이 착물은 IR, $^1H$ NMR, $^{119}Sn$ NMR 및 원소분석을 통하여 전반적으로 특성을 분석하였다. 분광학적인 데이터로부터 리간드는 산소원자를 통하여 주석에 배위됨을 알았으며, 배위수가 4임을 용액에서 $^{119}Sn$ NMR 데이터에 의해 결정하였다.
Methylammonium lead bromide ($MAPbBr_3$) has attracted a lot of attention due to their excellent optoelectronic properties such as the compositional flexibility relevant to photoluminescence (PL) and UV-Vis absorbance spectrum, high diffusion length, and photoluminescence quantum yield (PLQY). Despite such advantages of organic-inorganic perovskite materials, more systematic study on manipulation of their optoelectronic properties in homo- or heterovalent metal ions doped halide perovskite nanocrystals is lacking. In this study, we systematically investigated the optical properties of colloidal $CH_3NH_3Pb_{1-x}Sn_xCl_{2x}Br_{3-2x}$ particles by addition of $SnCl_2$ into the typical methylammonium lead tribromide ($CH_3NH_3PbBr_3$) precursor solution. We found that only 1% addition of $SnCl_2$ shows a significant blue-shift from 540 nm to 420 nm in UV-Vis absorbance spectrum due to the strong quantum confinement effect. Furthermore, continuous blue-shift in photoluminescence spectra was observed as the amount of Cl increases. These experimental results provide new insights into the replacement of Pb within $MAPbBr_3$, required for the broadening of their application.
무전해도금법을 이용하여 구리/PET 필름 복합재료를 제조하였으며 에칭방법과 촉매액의 조성 및 acceleration 방법을 달리하여 PET 필름과 무전해도금된 구리 피막간의 접착력을 향상시키고자 하였다. HCl 용액으로 에칭된 PET 필름은 NaOH에 의한 것보다 더욱 세밀하게 에칭되어져 구리와 PET 필름간의 접착력은 향상되었으나 전자파 차폐효과는 유사한 경향을 보였다. 촉매액의 조성변화에 따른 영향을 살펴본 결과 PdCl$_2$:SnCl$_2$의 몰비가 1:4에서 1:16으로 증가할수록 PET 필름 위에 적층된 Pd/Sn 콜로이드 입자들의 크기가 감소하며 고르게 분포되는 경향을 보였다. 따라서 이들의 몰비가 증가할수록 구리도금이 균일하고 조밀하게 이루어져 접착력 및 차폐효과가 증가하였다. 또한 NaOH보다 HCl로 acceleration한 경우 촉매 입자의 크기가 작고 더 균일하게 분포되어 우수한 접착력과 도금물성을 나타내었다.
Solvent extraction experiments of Rh(III) and Ir(IV) were performed on the HCl solution by using Alamine336 and TBP. The extraction percentage of Rh and Ir by Alamine336 was much higher than that by TBP. For the solvent extraction with Alamine336, the extraction percentage of Rh and Ir decreased with a HCl concentration. However, the extraction percentage of both metals by TBP was below 12% in our experimental range and increased with an increasing HCl concentration of up to 8 M. From the mixed solution of Ir with an excess SnCl$_{2}$, most of the tin was extracted by Alamine336 and TBP. However, the extraction percentage of Ir by Alamine336 was reduced and no iridium was extracted by TBP. The extraction behavior of Ir and Sn was investigated by scrubbing experiments on the loaded Ir with a SnCl$_{2}$ solution.
광전기화학쎌, ITO/SnO$2$/rose bengal, NaClO$4$/Pt을 이용하여 들뜬 rose bengal로부터 박막 반도체 SnO$2$의 전도띠로 주입되는 전류의 크기를 조사하였다. 초감응제로써 urea를 첨가하여 광조사 시간의 경과에 따라 광전류는 증가하다가 일정시간 후에는 계속 감소하는 특성을 나타내었다. Urea를 포함하고 있는 염료용액을 분광학적인 방법으로 분석한 결과, 광화학 반응으로 염료의 농도는 시간에 따라 감소하지만 염료회합(dye aggregation)이 전류의 증가와 관련이 있는 것으로 나타났다.
전해코팅 법과 dip-coating 법을 이용해 산화주석(IV)을 티타늄 지지체에 코팅하여, 코팅 방법에 따른 코팅 전극의 물성과 전기화학적 특성에 대해여 연구하였다. HCl 로 전극 에칭 후, nitrate 용액에 $SnCl_2{\cdot}2H_2O$을 용해시켜 pulse technique를 이용하여 전해코팅 하였으며, dip-coating 법 또한 $SnCl_2{\cdot}2H_2O$를 사용하여 1:1V% HCl 용액에 용해시켜 코팅 소결 후 산화주석(IV)코팅 전극을 제작하였다. 두 가지 코팅 방법을 통해 제작된 산화주석(IV)코팅 전극은 전극의 물성을 비교하기 위해 x-ray diffraction (XRD), scanning election microscopy (SEM)를 관찰해보았고, 전기화학적 특성을 평가하기 위해 cyclic voltammetry (CV)를 측정하여 전위창을 비교해 보았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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