• 한국공작기계학회:학술대회논문집
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• 한국공작기계학회 2001년도 추계학술대회(한국공작기계학회)
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• pp.355-359
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• 2001

In this study, experiments were carried out to investigate the characteristics of grinding and wear process of diamond wheel grinding ceramic materials. Normal component of grinding resistance of $AI_2O_3$ was less then that of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$. It is because the resistance for grain shedding is less then that for layer formation. For the case of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$, as the grain mesh number of wheel increases, the surface roughness decreases. For the case of $AI_2O_3$, the surface roughness does not decreases. For the case of $Si_3N_4$ and $ZrO_2$, grinding is carried out by abrasive wear processes. For the case of $AI_2O_3$, grinding is carried out by grain shedding process.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.386-389
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• 2009

The electrical characteristics and annealing effects of tunneling dielectrics stacked with $SiO_2$ and $Si_{3}N_{4}$ were investigated. I-V characteristics of band gap engineered tunneling gate stacks consisted of $Si_{3}N_{4}/SiO_2/Si_{3}N_{4}$ (NON), $SiO_2/Si_{3}N_{4}/SiO_2$ (ONO) dielectrics were evaluated and compared with $SiO_2$ single layer using the MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor structure. The leakage currents of engineered tunneling barriers (ONO, NON stacks) are lower than that of the conventional $SiO_2$ single layer at low electrical field. Meanwhile, the engineered tunneling barriers have larger tunneling current at high electrical field. Furthermore, the increased tunneling current through engineered tunneling barriers related to high speed operation can be achieved by annealing processes.

• 한국재료학회지
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• 제17권7호
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• pp.366-370
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• 2007

Silicon nitride ($Si_3N_4$) ceramics have been considered for various components of nuclear power plants such as the mechanical seal of a reactor coolant pump (RCP), the guide roller for a control rod drive mechanism (CRDM), and a seal support, etc. Corrosion behavior of $Si_3N_4$ ceramics in a high-temperature and high-pressure water must be elucidated before they can be considered as components for nuclear power plants. In this study, the corrosion behaviors of $Si_3N_4$ ceramics containing MgO and $Al_2O_3$ as sintering aids were investigated at a hydrothermal condition ($300^{\circ}C$, 9.0 MPa) in pure water and 35 ppm LiOH solution. The corrosion reactions were controlled by a diffusion of the reactive species and/or products through the corroded layer. The grain-boundary phase was preferentially corroded in pure water whereas the $Si_3N_4$ grain seemed to be corroded at a similar rate to the grain-boundary phase in LiOH solution. Flexural strengths of the $Si_3N_4$ ceramics were significantly degraded due to the corrosion reaction. Results of this study imply that a variation of the sintering aids and/or a control (e.g., crystallization) of the grain-boundary phase are necessary to increase the corrosion resistance of $Si_3N_4$ ceramics in a high-temperature water.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.155-155
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• 2012

기존의 플로팅 타입의 비휘발성 메모리 소자는 스케일 법칙에 따른 인접 셀 간의 간섭현상과 높은 동작 전압에 의한 누설전류가 증가하는 문제가 발생을 하게 된다. 이를 해결하고자 SONOS (Si/SiO2/Si3N4/SiO2/Si) 구조를 가지는 전하트랩 타입의 비휘발성 메모리 소자가 제안되었다. 하지만 터널링 베리어의 두께에 따라서 쓰기/지우기 특성은 향상이 되지만 전하 보존특성은 열화가 되는 trad-off 특성을 가지며, 또한 쓰기/지우기 반복 특성에 따라 누설전류가 증가하게 되는 현상을 보인다. 이러한 특성을 향상 시키고자 많은 연구가 진행이 되고 있으며, 특히 엔지니어드 터널베리어에 대한 연구가 주목을 받고 있다. 비휘발성 메모리에 대한 엔지니어드 기술은 각 베리어; 터널, 트랩 그리고 블로킹 층에 대해서 단일 층이 아닌 다층의 베리어를 적층을 하여 유전율, 밴드갭 그리고 두께를 고려하여 말 그대로 엔지니어링 하는 것을 뜻한다. 그 결과 보다 효과적으로 기판으로부터 전자와 홀이 트랩 층으로 주입이 되고, 동시에 다층을 적층하므로 물리적인 두께를 두껍게 형성할 수가 있고 그 결과 전하 보전 특성 또한 우수하게 된다. 본 연구는 터널링 베리어에 대한 엔지니어드 기술로써, Si3N4를 기반으로 하고 높은 유전율과 낮은 뉴설전류 특성을 보이는 ZrO2을 두 번째 층으로 하는 엔지니어드 터널베리어 메모리 소자를 제작 하여 메모리 특성을 확인 하였으며, 또한 Si3N4/ZrO2의 터널베리어의 터널링 특성과 전하 트랩특성을 온도에 따라서 특성 분석을 하였다.

• 연구논문집
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• 통권26호
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• pp.103-112
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• 1996

$Al_2O_3/SiC$ Hybrid-Composite이 일반적인 분말공정에 의하여 제조되었다. 소결시 $\gamma-Al_2O_3에서 $\alpha-Al_2O_3$로의 전이에 seed역할을 하는 $\alpha-Al_2O_3의 첨가는 균일한 미세구조를 발달시켜 강도의 증진을 가져왔다. nano size의 SiC의 첨가는 $Al_2O_3$의 소결성과 입성장에 영향을 미쳐 파괴강도의 증진을 가져왔다. $Al_2O_3/SiC$ nano-Composite에 SiC plates의 첨가는 파괴강도의 감소를 가져왔지만, 상대적으로 파괴인성은 증진되었다. SiC plates에 nitride (BN, $Si_3N_4$ 코팅을 할 경우 crack deflection을 더욱 유발하여 파괴인성이 증진되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권3호
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• pp.409-415
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• 1989

Si3N4-TiN electro-conductive ceramic composites with 7wt% Al2O3＋3wt% Y2O3 or 5wt% MgO as sintering aids were fabricated by pressureless sintering at 1,80$0^{\circ}C$ for 1h. The 3pt. flexural strength, KIC and Vickers hardness were measrued in order to investigate the effects of TiN on the mechanical properties. Also oxidation behavior was observed by measuring the weight gain after exposure to air at 1,10$0^{\circ}C$ for 100h. the reaction products between Si3N4 and TiN was not detected by XRD and EDS. Mechanical properties of the composites were not influenced by the addition of TiN less than 30vol%, but oxidation resistance of the composites was rapidly decreased with the amount of added TiN.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1338-1342
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• 2005

We have synthesized an $Eu^{2+}$-activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba_2SiO_4$ green phosphor and $Ba^{2+}$ co-doped $Sr_3SiO_5$ red phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED $chip(\lambda_{em}=405 nm)$. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu)$ phosphor are clearly observed at 460nm, 520 nm and at around 600 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.

• 분석과학
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• 제6권2호
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• pp.207-215
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• 1993

소결첨가제($3Al_2O_3{\cdot}5Y_2O_3$, YAG)를 질화규소에 공침방법으로 첨가하여, 통상적인 기계적 혼합 방법으로 준비된 혼합분말에 대한 혼합균일성과 소결 및 기계적 특성을 조사, 비교하였다. 준비된 혼합분말들을 SIMS를 사용하여 분말 표면과 내부의 조성을 비교분석한 결과, 공침법을 사용할 경우 소결첨가제가 $Si_3N_4$ 표면에 피복된 상태로 존재하고 있음을 나타내어 기계적 혼합에 비해 우수한 균일혼합효과를 얻을 수 있음을 확인하였다. 공침법에 의한 균일혼합효과는 $Si_3N_4$ 분말소결체의 소결밀도 및 미세구조의 개선을 수반하여 기계적 강도의 향상을 이룰 수 있음을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.159-159
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• 2003

• 한국재료학회지
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• 제2권5호
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• pp.330-336
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• 1992

질화규소 소재로 S${i_3}{N_4}$-8%${Y_2}{O_3}$, S${i_3}{N_4}$-6% ${Y_2}{O_3}$-2% $A{l_2}{O_3}$, S${i_3}{N_4}$-4% ${Y_2}{O_3}$-3% $A{l_2}{O_3}$, 그리고 S${i_3}{N_4}$-1% MgO-1% Si$O_2$의 4가지 조성을 선정하여 주상모양의 ${\beta}$-S${i_3}{N_4}$결정상을 성장시켰으며, XRD, SEM, 입도분석과 기계적 특성을 조사하였다. S${i_3}{N_4}$-8% ${Y_2}{O_3}$에서는 파괴인성값을 9.8MPa$m^{1/2}$까지 얻었으며 200$0^{\circ}C$에서 열처리한 후에도 파괴강도(>900MPa)의 감소없이 파괴인성이 8.0MPa$m^{1/2}$이상인 S${i_3}{N_4}$-6% ${Y_2}{O_3}$-2% ${l_2}{O_3}$, 와 S${i_3}{N_4}$-4% ${Y_2}{O_3}$-3% $A{A_2}{O_3}$를 얻었다. 질화규소의 파괴인성이 ${\beta}$-S${i_3}{N_4}$-결정상 크기의 증가에 따라 직선적으로 증가하는 관계를 갖는 파괴인성에 대한 미세구조의 영향을 고찰하였다.