Eliminating Voids using a Fast Linear Annealing in Direct Bonded $Si_3N_4 ∥ SiO_2$/Si Wafer Paires

직접접합 $Si_3N_4 ∥ SiO_2$실리콘 기판쌍의 선형가열에 의한 보이드결함 제거

  • 정영순 (서울시립대학교 신소재공학과) ;
  • 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
  • Published : 2003.11.01