The self-reinforced Si3N4 ceramics were prepared by pressureless-sintering using ${\beta}$-Si3N4 whiskers as a seed. Effects of ${\beta}$-Si3N4 whiskers on microstructure and mechanical properties and the ${\alpha}$ to ${\beta}$ phase transition of Si3N4 were investigated. The self-reinforced Si3N4 ceramics were densified(relative density$\geq$98%) by pressureless-sintering (1800$^{\circ}C$ 2h) using 8mol% Y2O3 and 6mol% Al2O3 as sintering aids and 5 vol% ${\beta}$-Si3N4 whiskers within self-reinforced Si3N4 ceramic seemed to hinder the densification owing to their acicular shapes but accelerated the ${\alpha}$ to ${\beta}$ phase transition because they acted as pre-existing nuclei. It was found that the more ${\beta}$-Si3N4 nucei the faster ${\alpha}$ to ${\beta}$ phase transition.
The preparation of $\beta$-SiAlON powder by SHS in the system of $Si-Al-SiO_2-NH_4F(\beta-Si_3N_4)$ was investigated in this study. In the preparation of SiAlON powder, the effect of gas pressure, compositions such as Si, $NH_4F$, \beta-Si_3N_4$ and additive in mixture on the reactivity were investigated. At 50 atm of the initial inert gas pressure in reactor, the optimum composition for the preparation of pure $\beta$-SiAlON was $3Si+Al+2SiO_2+NH_4F$. The $\beta$-SiAlON powder synthesized in this condition was a single phase $\beta$-SiAlON with a rod like morphology.
Si3N4 ceramics could be densified above 3.2g/㎤ with pressureless sintering at below 178$0^{\circ}C$ by coating Si3N4 and Y2O3 powder with an alumina sol. Substitution a portion of Al2O3 with AlN improved densification. Additional milling of the coated powder in large improvement in bending strength greater than 800 MPa (4-point).
The powders of the system Si3N4-Y2O3-AlN were prepared using Si(OC2H5)4 and YCl3.6H2O together with commercial AlN powder. $\alpha$-Si3N4 was prepared by the carbothermal reduction and nitridation of the hydrolyzed gel at 135$0^{\circ}C$ for 10h in N2 atmosphere. YCl3.6H2O was observed to be changed to Y2O3 during the reaction. $\alpha$-Sialon(X=0.2, 0.4, 0.6) ceramics were obtained by hot-pressing the Si3N4-Y2O3-AlN mixture at 178$0^{\circ}C$ for 1h under 30 MPa. The content of $\alpha$-Sialon increased with increasing metal solubility(x value) and $\alpha$-Sialon single phase was obtained at the metal solubility of 0.6. With increasing metal solubility, flexural strength, fracture toughness and thermal shock resistence were decreased, while the microhardness was increased. Large elongated $\beta$-Si3N4 grains were mainly observed at lower metal solubility. Mechanical prorerties of the sintered ceramics with X=0.2 were measured as follows : flexural strength ; 650 MPa, fracture toughness ; 3.63 MN/m3/2, hardness ; 14.7 GPa, thermal shock resistence temperature ; 58$0^{\circ}C$.
Fine Si-Al-OH coprecipitate powders were prepared from Si- and Al-alkoxides by the hydrolysis method. $\beta$-Sialon powder was obtained from prepared Si-Al-OH coprecipitate by the simultaneous reduction and nitridation method. The syntehsized Sialon powder was pressureless sintered at 175$0^{\circ}C$ for 90 min in N2 atmosphere. The characterization of the Sialon powder was performed with XRD, BET, SEM, TEM and particle size analysis. The sinterability and mechanical properties of sintered bodies were investigated in terms of relative density, M.O.R., fracture toughness, hardness and the morphology of microstructure. The highest values of their mechanical properties were obtained for the $\beta$-Sialon ceramics at Z=1 and those values are as follows : M.O.R., KIC and HV of $\beta$-Sialon ceramics(Z=1) are 499.1 MPa, 5.9MN/m3/2 and 18.7GPa, respectively.
The objective of this study is to prepare lead-free thick film resistor (TFR) paste compatible with AlN substrate for hybrid microelectronics. For this purpose, CaO-ZnO-$B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ glass system was chosen as a sintering aid of $RuO_2$. The effects of the weight ratio of CaO to ZnO in glass composition, the glass content and the sintering temperature on the electrical properties of TFR were investigated. $RuO_2$ as a conductive and glass powder were dispersed in an organic binder to obtain printable paste and then thick-film was formed by screen printing, followed by sintering at the range between $750^{\circ}C$ and $900^{\circ}C$ for 10 min with a heating rate of $50^{\circ}C$/min in an ambient atmosphere. The addition of ZnO to glass composition and sintering at higher temperature resulted in increasing sheet resistance and decreasing temperature coefficient of resistance. Using $RuO_2$-based resistor paste containing 40 wt%glass of CaO-20.5%ZnO-25%$B_2O_3$-7%$Al_2O_3$-15%$SiO_2$ composition, it is possible to produce thick film resistor on AlN substrate with sheet resistance of $10.6\Omega/\spuare$ and the temperature coefficient of resistance of 702ppm/$^{\circ}C$ after sintering at $850^{\circ}C$.
It is known that Si$_3$N$_4$ceramic insert has less hardness than A1$_2$O$_3$ceramic insert. But Si$_3$N$_4$ceramic insert has not only high toughness and strength but also low thermal expansion coefficient, which makes it has longer tool life under thermal stress condition. In this study, commercial Si$_3$N$_4$ ceramic insert and home-made SiC-Si$_3$N$_4$ceramic insert which has different sintering time and chemical composition is tested under various cutting conditions. The experimental result is compared in terms of tool life and cutting force. Generally, As the cutting speed and the feed rate increased, the cutting force and the flank wear increased too. The performance of SiC-Si$_3$N$_4$ceramic insert shows the possibility to be a new ceramic tool.
$eta$-Sialon powders were prepared by reduction-nitridation from mixture of Wando pyrophyllite and graphite as a reducing agent at 135$0^{\circ}C$ in 80% $N_2$-20% $H_2$ atmosphere. As the reaction products $Si_2ON_2$, $\beta$-$Si_3N_4$ a--$Si_3N_4$ and $\beta$-SiC were observed. Additive agents of MgO, CaO, $Y_2O_3$ were used for promoting the reduction and nitridiation aeaction. The present study was conducted to investigate the effects of silica-carbon ratio ($SiO_2$/C=weight ratio), raction time gas flow rate pellet size and powder packing on synthesis of $\beta$-Sialon from Wando pyropyllite.
(PDDA/$SiO_2$) thin films that consisted of positively charged poly (diallyldimethylammonium chloride) (PDDA) and negatively charged $SiO_2$ nanoparticles were fabricated on a glass substrate by an applying voltage layer-by-layer (LBL) self-assembly method. In this study, the microstructure and optical properties of the (PDDA/$SiO_2$) thin films coated on glass substrate were measured as a function of the applied voltage on the Pt electrodes. When 1.0 V was applied to a Pt electrode in a PDDA and $SiO_2$ solution, the thickness of the $(PDDA/SiO_2)_{10}$ thin film increased from 79 nm to 166 nm. The surface roughness also increased from 15.21 nm to 33.25 nm because the adsorption volume of the oppositely charged PDDA and $SiO_2$ solution increased. Especially, when the voltage was applied to the Pt electrode in the $SiO_2$ solution, the thickness increase of the (PDDA/$SiO_2$) thin film was larger than that obtained when using the PDDA solution. The refractive index of the fabricated (PDDA/$SiO_2$) thin film was ca. n = 1.31~1.32. The transmittance of the glass substrate coated by (PDDA/$SiO_2$)6 thin film with a thickness of 106 nm increased from ca. 91.37 to 95.74% in the visible range.
기계적 방법으로 합성된 CeO$_2$분말을 연마입자로 하여 STI용 CMP 슬러리를 제조하였다. 연마입자는 정전기적 방법과 입체적 방법으로 수계에서 안정화시킬 수 있었으며, 장기 안정성을 위해서는 입체적 방법에 의한 안정화가 유효하였다. 50$0^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$에서 합성된 CeO$_2$를 이용하여 CMP 슬러리를 제조하고, SiO$_2$와 Si$_3$N$_4$가 블랭킷 형태로 증착된 웨이퍼를 연마한 결과 연마능률과 선택비는 연마입자의 합성조건과 분산 안정성, 슬러리의 pH 등에 의해 영향을 받았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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