$N_2H_4-H_2O$ 용액의 {100} Si에 대한 최적식각조건의 설정과 전기화학적 식각에의 응용
(Establishment of Optimal {100} Si Etching Condition for $N_2H_4-H_2O$ Solutions and Application to Electrochemica Etching)
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- 대한전자공학회논문지
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- 제26권11호
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- pp.1686-1690
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- 1989