The post-annealing treatments on RF (Radio Frequency) magnetron sputtered PZI(Pb$\_$1.05/(Zr$\_$0.52/, Ti$\_$0.48/)O$_3$thin films(4000${\AA}$) have been investigated. for a structure of PZT/Pt/Ti/SiO$_2$/Si Crystallization pproperties of PZT films were strongly dependent on RTA(Rapid Thermal Annealing) annealing temperature. We were able to obtain a perovskite structure of PZT at a low temperature of 600$^{\circ}C$. P-E curves of Pd/PZT/Pt capacitor annealed at 700$^{\circ}C$ demonstrate typical hysteresis loops. The measured values of P$\_$r/, E$\_$c/, by post annealed at 700$^{\circ}C$ were 12.1 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, 120KV/cm respectively.
In this paper, the imparct of X-ray and plasma process-induced-damages to La doped Lead Zirconate Titanate (PLZT, (Pb1-xLa)(Zr0.5Ti0.5)O3) capacitor characteristics have been investigated from the viewpoint of gigabit scale dynamic random access memory (DRAM) applications. Plamsa damage causes asymmetric degradation on hysteresis characteristics of PLZT films. On the other hand, X-ray damage results in a symmetrical reduction of charge storage densities (Qc's) for both polarities. As La concentration increases in the films, the radiation hardness of PLZT films on X-ray and plasma exposures is improved. It is observed that the damaged devices are fully recovered by thermal annealing under oxygen ambient.
Ring/dot-type step-down piezoelectric transformer was manufactured by using Pb[(Mn$\sub$1/3/Sb$\sub$2/3)$\sub$0.05/Zr$\sub$0.475/Ti$\sub$0.475/]O$_3$ ceramics, which have excellent high-power piezoelectric properties. The characteristics of step-down piezoelectric transformer as a function of load resistance at output terminal was examined. Voltage gain was greatly dependent on drive frequency and load resistance, and showed maximum voltage gain at the resonance frequency. The output voltage was linearly increased as the input voltage increased. Voltage gain of the step-down piezoelectric transformer with respect to input voltage was very stable when the load resistance was in the range of 50-500 $\Omega$ .
The effect of $MnO_{2}$ as a sintering additive on the microstructures and the piezoelectric properties, especially mechanical quality factor, of 0.05 Pb$(Sb_{0.5}Nb_{0.5})O_{3}$-0.95 Pb$(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_{3}$ (PSN-PZT) piezoelectric ceramics was investigated. The samples were sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 h. The crystal structure and surface morphology of the sample were examined using XRD and FE-SEM, respectively. A study on the influence of $MnO_{2}$ additives on the dielectric and piezoelectric properties showed that the $MnO_{2}$-added PSN-PZT system exhibited a high mechanical quality factor and well-situated piezoelectric properties. The optimized results of $d_{33}$ (319 pC/N), $k_{p}$ (55 %), and $Q_{m}$ (751.24) were obtained at 0.2 wt% $MnO_{2}$ added PSN-PZT piezoelectrics.
The effect of $CeO_2$ as a sintering additive on the microstructure and the piezoelectric property of yPb$(Sb_{0.5}Nb_{0.5})O_3$-(1-y)Pb$(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3$ ($0{\leq}y{\leq}0.1$, PSN-PZT) for a hypersonic sound speaker (HSS) application was investigated. The samples were sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 h. The crystal structure and surface morphology of the samples were examined using XRD and FE-SEM, respectively. Study on the influence of $CeO_2$ additives on the dielectric and piezoelectric properties indicated that the $CeO_2$-added PSN-PZT system had a high piezoelectric properties. The optimized results of ${\varepsilon}_r=1209$, $K_p$=52% $d_{33}$=351(pC/N) and $Q_m$=1230.16 were obtained at 0.4 wt.% $CeO_2$-added PSN-PZT.
PZT powder was prepared by partial oxalate method using $(Zr_{0.53}Ti_{0.47})O_2$, $Pb(NO_3)_2$ and $(COOH)_2{\cdot}2H_2O$ as a precipitant. $Nb_2O_5$ additive effect on microstructure and piezoelectric properties of PZT ceramics were investigated. The coexistence of rhombohedral and tetragonal phases of PZT ceramics at the sintering temperature of $1100^{\circ}C$ was revealed from the X-ray diffraction patterns. The grain size PZT ceramics was decreased with the increase $Nb^{5+}$. and the sinterbility of PZT ceramics was decreased with the increase $Nb^{5+}$ addition. The electromechanical coupling factors $K_p$ show above 0.60 at $1100^{\circ}C$ sintering temperature by $Nb_2O_5$ addition above 0.6mol%.
Acoustic emission (AE) signal from an HTS tape has a low signal to noise ratio, due to the large amount of noise caused by the boiling of the liquid cryogen or mechanical vibration from the cryo-cooler. In an attempt to improve the sensitivity of the AE sensor, $Pb(Zr_{0.54}Ti_{0.46})O_3$ + 0.2 wt% $Cr_2O_3$ + 1.0 wt.% $Nb_2O_5$ ceramics sintered at $1200^{\circ}C$ was synthesized. In addition, the resonance ($f_r$) and anti-resonance frequencies ($f_a$) were measured using the specimens with various thicknesses (1.0, 1.5, 2.0, 2.5 and 3.0 mm). According to the test results, large AE signals with high frequencies were obtained from the AE sensor fabricated using a piezoelectric disc with a thinner thickness.
Nano-composite solders have been studied to improve the properties of Pb-free solder joints. The nanoparticles in the composite solders were carbon nanotubes(CNTs), metals (Ag, Ni, Cr, etc.), ceramics (SiC, $ZrO_2$, $TiB_2$, etc.). To fabricate the nano-composite solders, mechanical mixing methods and in-situ fabrication method has been used for well-dispersed nano phase. The characteristic properties of the nano-composite solders were high creep resistance, low undercooling, low IMC growth rate and fine microstructures. More researches on the nano-composite solders are required to improve the processibility and the reliability of the nano-composite solder joints.
Piezoelectric or magnetostrictive materials, known as smart materials, have been researched widely for sensors or actuators in micro system technology. In our research, thick sol-gel lead zirconate titanate(Pb(Zr$\sub$1-x/Ti$\sub$x/)O$_3$) films were fabricated and their characteristics were investigated f3r angular rate sensor applications. The thickness of the PZT films is 1.5${\mu}$m, which is required by a vibration angular rate sensor for a good actuation and sensing. The remnant polarization of the PZT flms is 12.0 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$. The electromechanical constants of PZT thin film showed the value of susceptance(B) of 4800${\mu}$ s at capacitance of 790pF. The PZT films were applied to the vibration angular rate sensor structure and the vibration of 1.78 ${\mu}$m in amplitude at the resonant frequency of 35.8㎑ was obtained by driving voltage of 5V$\sub$p-p/ of bulk piezoelectric materials with out of phase signal through voltage and inverting amplifier.
The piezoelectric properties and the doping effect for$0.95Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3+0.05Pb(Mn1/3Nb2/3)O_3$ compositions were studied. Also, the heat generation and the change of electromechanical characteristics, the important problem in practical usage, were investigated under high electric field driving. As a experiment results under low electric field, the values of kp and $\varepsilon33T$ were maximized, but Qm was minimized(Kp=0.57, Qm=1550) in the composition of x=0.51. In order to increase the values of Qm $Nb_2O_5$ was used as a dopant. As the result of that, the grain size was suppressed and the uniformity of grain was improved. Also, the values of kp decreased, and the values of Qm increased with doping concentration of $Nb_2O_5$. As a experiment results under high electric field driving, when vibration velocity was lower than 0.6[m/s], the temperature increase was $20[^{\circ}C]$, and the change ratio of mechanical quality factor was less than 10[%]. So, its electromechanical characteristics was very stable. Conclusively, piezoelectric ceramic composition investigated at this paper is suitable for application to high power piezoelectric devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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