• 한국세라믹학회지
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• 제31권1호
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• pp.74-78
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• 1994

Degradation of thin oxide by doped poly-Si and its improvement were studied. The gate oxide can be degraded by phosphorous in poly-Si doped POCl3. The degradation is increased with the decrement of sheet resistance and poly-Si thickness. Oxide failures of amorphous-Si are higher than those of poly-Si. In-situ double deposition of amorphous-Si, 54$0^{\circ}C$/30 nm, and poly-Si, 6$25^{\circ}C$/220 nm, forms the mismatch structure of grain boundary between amorphous-Si and poly-Si, and suppresses the excess phosphorous on oxide surface by the mismatch structure. The control of phosphorous through grain boundary improves the oxide reliability.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 춘계학술발표논문집 1부
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• pp.153-155
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• 2010

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• 폴리머
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• 제30권3호
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• pp.266-270
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• 2006

Poly [(dimethylmethylvinyl)siloxane 공중합체(PMViS)를 phosphorus oxychloride $(POCl_3)$와 반응시켜 poly [(dimethylmethylvinyl) siloxane] phosphine oxides (PMViSPO)를 제조하였다. Cadmium selenide (CdSe)는 cadmium oxide(CdO), tetradecylphosphonic acid(TDPA), trioctylphosphine oxide(TOPO)를 $300^{\circ}C$에서 반응시키고 여기에 Se를 용해시킨 tributylphosphine(TBP)과 trioctylphosphine(TOP)을 가한 다음 $320^{\circ}C$에서 반응시켜 제조하였다. 또한 CdSe 제조 용액에 PMViSPO를 가하여 CdSe-SPO adduct를 제조하였다. 백금 촉매 존재 하에서 $\alpha,\omega-vinyl$ poly(dimethylsiloxane) (VPMS), HPMS, CdSe 또는 CdSe-SPO를 고속 교반기에 취하고 컴파운딩하여 CdSe 함유 액상실리콘 고무 composite (LSRC-1)와 CdSe-SPO 함유 LSR composite (LSRC-2)를 제조하였다. 제조한 LSR composites 내에 함유된 형광 물질인 CdSe nanoparticles의 분산형태를 측정하여 입자 크기가 $30\sim50nm$인 입자가 균일하게 분포되어 있음을 확인하였고 LSRC-2의 분산도가 LSRC-1보다 우수함을 확인하였다. 또한 CdSe 입자의 개수를 측정한 결과 동일한 면적에 대하여 166개와 202개로 보다 많은 개수의 CdSe가 LSRC-2에 함유됨을 알 수 있었다. LSR composites의 열적 특성을 측정한 결과 CdSe-SPO가 함유된 LSRC-2의 열안정성이 높게 나타났다.

• 태양에너지
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• 제17권4호
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• pp.3-11
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• 1997

다결정 실리콘에서 결정입계는 광생성된 반송자들의 재결합 중심으로 작용할 뿐 아니라 전위장벽으로 작용하여 태양전지의 변환효율을 감소시킨다. 결정입계의 영향을 줄이기 위해 열처리, 결정입계에 대한 선택적 식각, 결정입계로 함몰전극을 형성하는 방법, 다양한 전극 구조, 초박막 금속 형성 후 전극형성 등 여러가지 요소들을 조사하였다. 질소 분위기에서 $900^{\circ}C$ 전열처리, $POCl_3$ 확산을 통한 게터링, 후면전계 형성을 위한 Al 처리로 다결정 실리콘의 결함밀도를 감소시켰다. 결정입계에서의 반송자 손실을 감소시키기 위한 기판 처리로 Schimmel 식각액을 사용하였다. 이는 texturing 효과와 함께 결정입계를 선택적으로 $10{\mu}m$ 깊이로 식각하였다. 결점입계를 우선적으로 식각한 후면으로 Al을 확산하여 후면에서의 재결합 손실을 감소시켰다. 전극 핑거(grid finger) 간격이 0.4mm인 세밀한 전극 구조에 결정입계로 $0.4{\mu}m$ 깊이로 함몰전극을 추가로 형성하여 태양전지의 단락 전류 밀도가 개선되었다. 80% 이상의 광투과율을 보인 20nm 두께의 크롬 박막 형성으로 직렬 저항을 감소시켰다. 본 논문은 저가의 고효율, 지상 전력용 태양진지를 위해 결정입계에 대한 연구를 하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권12호
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• pp.3609-3617
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• 2014

A series of compounds containing both 1,3,4-oxadiazole and thiohydantoin were synthesized as a promising scaffold for application in medicinal chemistry. The key step of the synthesis is a microwave-assisted cyclization of semicarbazides possessing a thiohydantoin moiety at one of the acyl termini using $POCl_3$ as a dehydrating reagent. A wide range of semicarbazides were prepared through the substitution of hydrazides with an N-acylated thiohydantoin derived from the cyclization of the corresponding isothiocyanate with an amino acid and subsequent N-acylation of the resultant thiohydrantion. Consequently, the 58 number of 1,3,4-oxadiazole derivatives having a thiohydantoin substituent were prepared in good overall yields.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2000년도 춘계학술대회논문집B
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• pp.428-433
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• 2000

The consolidation behavior of multicomponent particles prepared by the flame hydrolysis deposition process is examined to identify the effects of Si substrate temperature. To fabricate multi-component particles, a vapor-phase ternary mixture of $SiCl_4(100 cc/min),\;BCl_3(30cc/min)\;and\;POCl_3,(5cc/min)$ was fed into a coflow diffusion oxy-hydrogen flame burner. The doped silica soot bodies were deposited on silicon substrates under various deposition conditions. The surface temperature of the substrate was measured by an infrared thermometer. Changes in the chemical states of the doped silica soot bodies were examined by FT-IR(Fourier-transformed infrared spectroscopy). The deposited particles on the substrate were heated at $1300^{\circ}C$ for 3h in a furnace at a heating rate of 10K/min. Si-O-B bending peak has been found when surface temperature exceeds $720^{\circ}C$. Correspondingly, the case with substrate temperatures above loot produced good consolidation result.

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권3호
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• pp.130-134
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• 2014

We have fabricated the selective emitter solar cell using double textured nanowires structure. The $40{\times}40mm2$-sized silicon substrates were textured to form the pyramid-shaped surface and the nanowires were fabricated by metal assisted chemical etching process using Ag nanoparticles, subsequently. The heavily doped and shallow emitters for selectiv eemitter solar cells were prepared through the thermal $POCl_3$ diffusion and chemical etch-back process, respectively. The front and rear electrodes were prepared following conventional screen printing method and the widths of fingers have been optimized. The selective emitter solar cell using double textured nanowires structure achieved a conversion efficiency of 17.9% with improved absorption and short circuit current density.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.2565-2569
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• 2010

실리콘 태양전지 셀을 제작하고 효율을 측정하는데 있어 texturing 효과에 대하여 상관성을 조사하였다. Texturing은 $HNO_3$, KOH, NaOH를 각각 사용한 IPA혼합 에칭용액을 만들어서 샘플을 제작하였다. 셀의 분석은 FTIR 과 XRD를 이용하였으며, 실리콘 태양전지 셀의 효율과 화학적인 특성 사이의 상관성을 조사하였다. FTIR 데이터의 950~1350 $cm^{-1}$ 영역에서 픽의 생김새와 셀 표면의 반사도 사이에는 상관성이 있으며, 픽의 쪼개짐이 많으면 표면에서 결합의 상호작용이 활발하지 않다는 것을 의미하며 이러한 표면에서 반사가 잘 일어나지 않으면서 효율이 증가하는 것을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1361-1363
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• 1998

Poly-Si grain boundaries act as potential barriers as well as recombination centers for the photo-generated carriers in solar cells. Thereby, grain boundaries of poly-Si are considered as a major source of the poly-Si cell efficiency was reduced This paper investigated grain boundary effect of poly-Si wafer prior to the solar cell fabrication. By comparing I-V characteristics inner grain, on and across the grain boundary, we were able to detect grain potentials. To reduce grain boundary effect we carried out pretreatment, $POCl_3$ gettering, and examined carrier lifetime. This paper focuses on resistivity variation effect due to grain boundary of poly-Si. The resistivity of the inner grain was $2.2{\Omega}-cm$, on the grain boundary$2.3{\Omega}-cm$, across the grain boundary $2.6{\Omega}-cm$. A measured resistivity varied depending on how many grains were included inside the four point probes. The resistivity increased as the number of grain boundaries increased. Our result can contribute to achieve high conversion efficiency of poly-Si solar cell by overcoming the grain boundary influence.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.233-233
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• 2010

It is important to form the n+ emitter layer for generating electric potential collecting EHP(Electron-Hole Pair). In this paper the formation on the n+ emitter layer of silicon wafer has been made with respect to uniformity of shallow diffusion from a liquid source. The starting material was crystalline silicon wafers of resistivity $0.5{\sim}3\{Omega}{\cdot}cm$, p-type, thickness $200{\mu}m$, direction[100]. The formation of n+ emitter layer from the liquid $POCl_3$ source was carried out for $890^{\circ}C$ in an ambient of $N_2:O_2$::10:1 by volume. And than each conditions are pre-deposition and drive-in time. It has been made uniformity of at least. so, the average of sheet resistance was about 0.12%. In this study, sheet resistance was measured by 4-point prove.