• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제16권7호
• /
• pp.634-641
• /
• 1995

The metal-carbon σ-bond cluster complexes 1-Mn(CO)5-2-R-1,2-C2B10H10 (R=CH3 Ia, C6H5 Ib) have been prepared in good yields from readily available carboranyl lithium complexes, 1-Li+-2-R-1,2-C2B10H10- (R=CH3, C6H5), by direct reaction with (CO)5MnBr. These manganese metal complexes are rapidly converted to the corresponding manganese metal carbene complexes, 1-[(CO)4Mn=C(OCH3)(CH3)]-2-R-1,2-C2B10H10 (R=CH3 IIIa, C6H5 IIIb), via alkylation with methyllithium followed by O-methylation with CF3SO3CH3. The crystal structure of IIIb was determined by X-ray diffraction. Thus, complex IIIb crystallizes in the orthorhombic space group P212121 with cell parameters a=15.5537(5), b=19.0697(5), c=7.4286(3) Å, V=2203.4(1) Å3, and Z=4. Of the reflections measured a total of 3805 unique reflections with F2>3σ(F2) was used during subsequent structure refinement. Refinement converged to R1=0.053 and R2=0.091. Structural studies showed that the manganese atom had a slightly distorted pseudo-octahedral configuration about the metal center with the carbene and ortho-carborane occupying the equatorial plane cis-orientation to each other.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
• /
• pp.56-56
• /
• 2003

플라즈마 식각에서 물리적 손상과 전기적 손상은 차세대 Nanoscale 소자와 Deep - Submicron 반도체공정에서 해결되어야 할 가장 큰 문제 중 하나이다. 이 중 전기적인 손상을 줄이기 위한 몇 가지 무손상 공정이 제시되고 있으며, 그러한 기술 중의 하나가 이온빔의 Low Angle Forward Reflection을 이용한 식각방법이다. Low Angle Forward Reflection방법은 이온소오스로부터 발생시킨 이온을 Low Angle 에서 Reflection-시켜 이온빔을 중성화되도록 하는 방법으로, 이전 연구를 통해 Reflection시 입사각이 5도일 경우 대부분의 이온들이 중성화되는 결과를 얻었다. 또한, 실험에 사용된 $SF_6,{\;}NF_3,{\;}CF_4$와 같은 모든 가스종에서 유사한 값의 중성화 정도를 관찰할 수 있었으며, 이러한 가스를 이용하여 $Si0_2$ 식각시 Vertical한 Profile 결과를 얻었다. 본 연구에서는 기존 Grid 장치에서 이온소오스 부분에 Low Angle Forward Reflected Neutral Beam을 위한 판형 Reflector를 부착하였으며, 이에 따라 중성빔의 Flux가 크게 향상되며 Beam의 직진성을 향상시킬 수 있었다. 또한, F계열 가스를 이용한 실험을 통해 $Si0_2$ 식각율과 식각특성 면에서 향상된 실험결과를 얻을 수 있었다.

• Asian Journal of Atmospheric Environment
• /
• 제9권2호
• /
• pp.173-186
• /
• 2015

In Bangladesh, increases in the tropospheric ozone ($O_3$) concentration and in soil salinization may lead to crop damage. To clarify the effects of $O_3$ and/or soil salinity on Bangladeshi wheat cultivars, BAW1059 (salt-tolerant) and Shatabdi (salt-sensitive) were exposed to 70-day treatments with $O_3$ (charcoal-filtered air (CF), $1.0{\times}O_3$, and $1.5{\times}O_3$) and different levels of soil salinity (0, 4, and $8dS\;m^{-1}$). In both cultivars, the whole-plant dry mass and grain yield were significantly reduced by exposure to $O_3$. Increased soil salinity caused significant reductions in whole-plant growth and yield in Shatabdi, but the reductions were negligible in BAW1059. No significant interactions between $O_3$ and salinity were detected for growth, yield, and leaf gas exchange parameters in both cultivars. We concluded that the effects of $O_3$ are not ameliorated by soil salinity in two Bangladeshi wheat cultivars, regardless of their salinity tolerance.

• 농약과학회지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.69-77
• /
• 2012

내분비계교란물질이 수서생물에 미치는 영향을 평가하기 위하여 미꾸리를 저농도의 methomyl에 21일 동안 노출시켜 생물지표 및 내분비계 영향을 평가하였다. 내분비계교란물질에 대한 노출을 입증하기 위해 널리 이용되는 생물지표인 vitellogenin(VTG)은 21일 동안 0.4 mg/L와 2 mg/L methomyl에 노출된 수컷과 0.08 mg/L, 0.4 mg/L, 2 mg/L의 methomyl에 노출된 암컷에서 대조군에 비해 유의하게 증가하여(p<0.05), methomyl의 수생태계 생물에 대한 내분비계교란 가능성을 확인하였다. Acetylcholinesterase(AChE) 시험 및 comet assay에서는 methomyl에 노출시킨 미꾸리로부터 AChE 활성 저해와 DNA 손상을 확인한 반면, 7-ethoxyresorufin-O-deethylase(EROD) 활성에 대한 대조군과 처리군의 차이는 나타나지 않았다(p<0.05). 개체수준의 생물지표인 condition factor(CF), 간중량지수(hepato-somatic index, HSI), 생식소중량지수(gonado-somatic index, GSI)는 methomyl 노출에 의해 영향을 받지 않는 것으로 나타났다. 현재의 연구결과를 종합해 볼 때, methomyl의 수서생물에 대한 내분비계교란 가능성 및 생화학적 생물지표에 대한 영향을 확인할 수 있었다.

• 한국산림과학회지
• /
• 제95권3호
• /
• pp.334-341
• /
• 2006

본 연구는 강원도 고성지역의 산불피해자에 소나무묘목 식재 후 시비처리 [무시비구(대조구), CF처리(Combination Fertilizer; 복합비료), UF처리(Urea Formaldehyde Fertilizer; 산림용고형복합비료)]에 의한 식재목의 생장반응 및 토양특성과 하층식생의 변화를 조사하였다. 식재된 소나무묘목은 시비처리 후 4년간 수고와 근원정의 상대생장에 있어서 식재초기에 비해 무시비구, CF처리구, UF처리구가 각각 264%, 404%, 388%와 339%, 454%, 427% 증가하여 무시비구에 비해 시비처리구의 생장이 높았다(p<0.05). 4년간 시비처리에 의한 토양 이화학적 특성 변화는 시비성분에 포함된 원소 가운데 질소와 칼륨은 모든 시비구에서 거의 변화가 없어 시비처리에 영향을 받지 않았으나 유효인산은 무시비구보다 시비처리구에서 증가하였다. 또한 유기물은 소나무식재묘가 양호한 생장을 보인 CF처리구와 UF처리구가 증가하였으나, 무시비구에서는 감소하였으며, 나트륨은 모든 처리구에서 감소하였다. 토양 pH, 양이온치환용량, 칼슘, 마그네슘 함량은 4년의 조사기간 동안 뚜렷한 변화가 없었으며 처리구간 차이도 없었다. 3년간의 시비처리에 의한 하층식생의 구조는 종다양성과 종풍부도에서 큰 변화가 없었으나 하층식생의 피도와 유기물층의 피도는 현저히 증가하여 토양 안정화에 크게 기여한 것으로 나타났다. 따라서 향후 산불피해지의 신숙한 산림생태계 회복을 위해서는 산지시비 같은 산림관리기술의 도입이 필수적인 것으로 사료된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
• /
• pp.41-41
• /
• 2003

텅스텐(W)은 높은 thermal stability 와 process compatibility 및 우수한 corrosion r resistance 둥으로 integrated circuit (IC)의 gate 및 interconnection 둥으로의 활용이 대두되고 있으며, 차세대 thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD)의 gate 및 interconnection m materials 둥으로 사용되고 았다. 그러나, 이러한 장점을 가지고 있는 팅스텐 박막이 실제 공정상에 적용되가 위해서는 건식 식각이 주로 사용되는데, 이는 wet chemical 을 이용한 습식 식각을 사용할 경우 낮은 etch rate, line width 의 감소 및 postetch residue 잔류 동의 문제가 발생하기 때문이다. 또한 W interconnection etching 을 하기 위해서는 높은 텅스텐 박막의 etch rate 과 하부 layer ( (amorphous silicon 또는 poly-SD와의 높은 etch selectivity 가 필수적 이 라 할 수 있다. 그러 나, 지금까지 연구되어온 결과에 따르면 텅스탠과 하부 layer 와의 etch selectivity 는 2 이하로 매우 낮게 관찰되고 았으며, 텅스텐의 etch rate 또한 150nm/min 이하로 낮은 값을 나타내고 있다. 따라서 본 연구에서는 halogen-based inductively coupled plasma 를 이용하여 텅스텐 박막 식각시 여러 가지 첨가 가스에 따른 높은 텅스탠 박막의 etch rate 과 하부 layer 와의 높은 etch s selectivity 를 얻고자 하였으며, 그에 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
• /
• 한국반도체및디스플레이장비학회 2002년도 추계학술대회 발표 논문집
• /
• pp.123-126
• /
• 2002

For the mold die sticking mechanism, the major explanation is that EMC filler of silica wears die surface roughened, which results in increase of adhesion strength. As big differences in experimental results from semiconductor manufacturers are dependent on EMC models, however, chemisorptions or acid-base interaction is apt to be also functioning as major mechanisms. In this investigation, the plasma source ion implantation (PSII) using $O_2$, $N_2$, and $CF_4$ modifies sample surface to form a new dense layer and improve surface hardness, and change metal surface condition from hydrophilic to hydrophobic and vice versa. Through surface energy quantification by measuring contact angle and surface ion coupling state analysis by Auger, major governing mechanism for sticking issue was figured out to be a complex of mechanical and chemical factors.

• 한국안전학회지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.81-87
• /
• 1991

We propose the crack growth rate equation which will model fatigue crack growth rate behavior such that constant stress amplitude fatigue crack growth behavior can be predicted. Constant stress amplitude fatigue tests are conducted for four materials under three stress ratios of R＝0.2, R＝0.4 and R＝0.6. Materials which have different mechanical properties i.e. stainless steel, low carbon steel, medium carbon steel and aluminum alloy are used. Through constant stress amplitude fatigue test by using unloading elastic compliance method, it is confirmed that crack closure is a close relationship with fatigue crack propagation. We describe simply fatigue crack propagation behavior as a function of the effective stress intensity factor range ($\Delta$ $K_{eff}$＝U .$\Delta$K) for all three regions (threshold region, stable region). The fatigue crack growth rate equation is given by da / dN＝A($\Delta$ $K_{eff}$­$\Delta$ $K_{o}$ )$^{m}$ / ($\Delta$ $K_{eff}$­$\Delta$K) Where, A and m are material constants, and $\Delta$ $K_{o}$ is stress intensity factor range at low $\Delta$K region. $K_{cf}$ is critical fatigue stress intensity factor.actor.

• 대한물리치료과학회지
• /
• 제24권1호
• /
• pp.22-28
• /
• 2017

Purpose: The purpose of this study was to investigate the changes in the activity of the thigh muscle(rectus femoris, vastus medial/ lateralis, hamstring medial/lateralis) which are caused by the change cf lower extremity muscle activity to speed and inclination during forward and backward walking on the treadmill. Method: Twenty healthy young adults were recruited. The subjects were given a warm-up for 1 minute at the speed of 2.0km/h before exercise, and 2km/h to 4km/h from 10% to 4km/h in the frontal and backward walking. Result: In the present study, it was found that the muscle activity of the lateral broad and inward wide muscles increased when the treadmill was backward for 40 seconds without training. And the femur and the muscle were significantly different from 10% to 4km/h(p<.05). Conclusion: These findings suggest that in the treadmill, it is effective in increasing the leg strength in the backward walking than in the forward walking. And it was concluded that muscle activity increased at 4km/h when the speed was 2km/h when backward walking.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권12호
• /
• pp.824-828
• /
• 2016

In this study, effects of ICP (inductively coupled plasma) treatment on PAR thin film have been investigated. A maximum etch rate of the PAR thin films and the selectivity of PAR to PR were obtained as 110 nm/minand 1.1 in the $CF_4/O_2$ (5:15 sccm) gas mixture. We present the surface properties of PAR thin film with various treatment conditions. The surface morphology and cross section of the PAR thin film was observed by AFM (atomic force microscopy) and FE-SEM (filed emission scanning electron microscopy).