• 한국토양비료학회지
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• 제45권3호
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• pp.451-458
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• 2012

본 연구는 콩 재배 화산회 토양에서 질소시비 수준 및 강우, 온도 환경 변화에 따른 $N_2O$ 배출량을 측정하고 배출에 영향을 미치는 요인 특성을 구명하기 위하여 제주특별자치도 농업기술원 시험포장에서 2년간 (2010~2011년) 수행되었다. 콩 재배기간 동안 $N_2O$ 배출량은 질소시비량이 많을수록 많았다. 재배시기별 $N_2O$ 배출량은 강우량이 많은 재배 초기와 중기에 많았으나, 강우가 적고 한발 시기인 재배 말기에는 매우 적거나 거의 없는 경향을 보였다. $N_2O$ 배출 양상은 강우량 및 토양수분함량 변화와 대체로 유사한 경향을 보였다. $N_2O$ 배출량과 상관관계($r$)를 분석한 결과, '10년도에는 토양수분, 토양온도 및 토양 EC는 각각 $0.6312^{**}$, $0.4591^{**}$, $0.3691^{**}$로 모두 고도로 유의성이 인정되었다. 그러나 '11년도의 경우는 토양수분과는 $0.4821^{**}$로 고도로 유의성이 인정되었으나, 토양온도와 토양 EC와는 각각 0.1646, 0.1543로 유의성이 인정되지 않았다. $NO_3$-N과 토양 질소 ($NO_3-N+NO_4-N$)와는 각각 $0.6902^{**}$, $0.6277^*$로 유의성이 인정되었으나, $NO_4$-N과는 0.1775로 유의성은 인정되지 않았다. 질소 시비량에 따른 2년 동안의 $N_2O$ 배출량을 배출계수로 환산한 값은 0.0202 ($N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$)로, 일본의 배출계수인 0.0073 $N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$보다는 약 2.8배, 2006 IPCC 가이드라인의 기본계수인 0.0100 $N_2O$-N kg $N^{-1}\;kg^{-1}$보다는 약 2배 정도 높은 것으로 분석되었다.

• Plant Resources
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• 제8권1호
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• pp.32-35
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• 2005

This study was conducted to investigate the influence of $K_{2}O$ fertilizer application on growth, yield and lodging resistance of rice. Culm length and panicle length were lowest at the treatment of fertilizer level, $N-P_{2}O_{5}-K_{2}O=16-8-8$ plot but number of panicle, percentage of fruitful culm, $1{\ell}$ grain weights of paddy rice and brown rice, 1,000 grains weight of brown rice, brown rice ratio, yields of paddy rice and brown rice were highest at the treatment of fertilizer level, $N-P_{2}O_{5}-K_{2}O=16-8-8$ kg/10a plot. Bending moment, breaking strength and lodging index were lowest at the treatment of fertilizer level, $N-P_{2}O_{5}-K_{2}O=16-8-8$ kg/10a plot. Judging from the results reported above, an optimum fertilizer level of rice for lodging resistance is most likely be $N-P_{2}O_{5}-K_{2}O=16-8-8$ kg/10a treatment.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.152-157
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• 2007

본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${\sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{\circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다. 또한 25 um 떨어진 200um 폭의 두 활성층 사이 누설전류가 3 uA로부터 7 nA로 감소하였으며 720 ${\Omega}/{\box}$의 활성층의 면저항을 608 ${\Omega}/{\box}$로 감소시켜 도전율의 증가를 나타내기도 하였다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리에 의한 전기적 특성 개선은 10초 이내의 짧은 시간 동안 이루어지며 더 이상의 처리는 누설전류 특성 개선에 도움이 되지 않았다. 또한 ${N_2}O$ 플라즈마 처리로 개선된 특성은 $SiO_2$의 증착과 식각 후에도 개선된 특성이 유지되었다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리는 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스와 드레인 전류의 증가, 드레인 전류의 차단특성의 개선에도 기여하여 고품위의 AlGaN/GaN HEMT 제작에 효과적으로 이용될 수 있음이 확인되었다.

• 대한화학회지
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• 제47권3호
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• pp.283-291
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• 2003

이 연구에서는$2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계의 평형에 미치는 압력의 영향을 색깔 변화를 통해 관찰하는 실험과 관련하여 고등학교 화학교과서와 일반화학교재에 나타난 내용을 분석하고, 교과서에 제시된 실험 방법을 개선하는 데 목적을 두고 있다. 연구 결과, $2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계를 압축시킬 때 부피 감소에 따른 $NO_2$ 농도 증가 요인을 무시하고 적갈색이 엷어지는 것으로 기술하고 있고, 압축 시 일어나는 현상들의 원인을 해석하는 데 오류가 있었다. 따라서 이론적인 연구를 토대로 $2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계를 압축할 때 일어나는 색깔 변화와 온도 변화를 정량적으로 측정하여 비교함으로써 올바른 해석을 제시하였다. 또한,$2NO_2\;{\rightleftarrow}\;N_2O_4$계의 압축 시, 부피 감소에 따른 $NO_2$ 농도 증가 효과를 배제하고 순수한 평형 이동에 따른 색깔 변화만을 관찰할 수 있는 개선된 실험 방법을 제시하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.13-20
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• 1989

After sintering Si3N4 containing 20wt% of variable composition ratio of Y2O3 and Al2O3 at 1$600^{\circ}C$, the specimens were annealed at 125$0^{\circ}C$ and 135$0^{\circ}C$ for 5, 10, 15 hours in order to crystallize the remanining oxynitride glass phases. The main grain-boundary crystalline phases in the Si3N4-Y2O3-Al2O3 system were melilite and YAG. By annealing 15hrs. at 125$0^{\circ}C$, almost all of the glasses were crystallized. During the growth of melilite, lattice volyume of $\beta$-Si3N4 was increased as Al3+ and O2- ions in the oxynitride glass diffuse into $\beta$-Si3N4 lattice, but during the growth of YAG, lattice volume of $\beta$-Si3N4 was decreased by reverse diffusion of Al3+ and O2- ions. In case of crystallization of glass phase to melilite, thermal expansion of sample was decreased, but in case of crystallization to YAG, inverse phenomen on was observed.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.53-54
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• 2013

Nano-multilayered CrAlSiN films consisting of crystalline CrN nanolayers and amorphous AlSiN nanolayers were deposited by cathodic arc plasma deposition. Their oxidation characteristics were studied between 600 and $1000^{\circ}C$ for up to 70 h in air. During their oxidation, the amorphous AlSiN nanolayers crystallized. The formed oxides consisted primarily of $Cr_2O_3$, ${\alpha}-Al_2O_3$, $SiO_2$. The outer $Al_2O_3$ layer formed by outward diffusion of Al ions. Simultaneously, an inner ($Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed layer formed by the inward diffusion of oxygen ions. $SiO_2$ was present mainly in the lower part of the oxide layer due to its immobility. The CrAlSiN films displayed good oxidation resistance, owing to the formation of oxide crystallites of $Cr_2O_3$, ${\alpha}-Al_2O_3$, and amorphous $SiO_2$.

• 한국입자에어로졸학회지
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• 제6권4호
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• pp.165-172
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• 2010

Titania is widely used as an effective photocatalyst for the photodegradation of environmental pollutants in air. In this study, novel N-doped $ZrO_2/TiO_2$ photocatalysts were synthesized via sol-gel method and characterized by UV-Vis spectrophotometer, transmission electron microscope, and X-ray diffractometer. N-doped $ZrO_2/TiO_2$ photocatalysts were nano-sized with an average particle size of about 20 nm. The XRD pattern of N-doped $ZrO_2/TiO_2$ photocatalysts showed both anatase and rutile phases. The photocatalytic activity of N-doped $ZrO_2/TiO_2$ photocatalysts was evaluated by degradation of NO under UV and visible light irradiation at various parameters such as amount of photocatalyst, concentration of NO, and intensity of light. The photocatalytic activity of N-doped $ZrO_2/TiO_2$ photocatalysts was effective for the enhancement of the degradation of NO and higher than that of $TiO_2$ photocatlysts under UV and visible light irradiation.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.829-831
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• 1992

Ultrathin metal-oxide-semiconductor(MOS) gate dielectrics have been fabricated by conventional thermal oxidation in $N_2O$ ambient. Compared to oxides grown in $O_2$, $N_2O$ oxides exhibit significantly low flatband voltage and small shift in flatband voltage. $N_2O$ oxidation induces a slight decrease in mobile ionic charge density($N_m$), fixed charge density($N_f$) and surface state charge density($N_{ss}$). This study establishes that $N_2O$ oxides may have a great impact on future MOS ULSI technology in which ultrathin gate dielectrics are required.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제23권5호
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• pp.719-723
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• 2013

Nitrification in wastewater treatment emits a significant amount of nitrous oxide ($N_2O$), which is one of the major greenhouse gases. However, the actual mechanism or metabolic pathway is still largely unknown. Selective nitrification inhibitors were used to determine the nitrification steps responsible for $N_2O$ emission with activated sludge and enriched nitrifiers. Allylthiourea (86 ${\mu}M$) completely inhibited ammonia oxidation and $N_2O$ emission both in activated sludge and enriched nitrifiers. Sodium azide (24 ${\mu}M$) selectively inhibited nitrite oxidation and it led to more $N_2O$ emission than the control experiment both in activated sludge and enriched nitrifiers. The inhibition tests showed that $N_2O$ emission was mainly related to the activity of ammonia oxidizers in aerobic condition, and the inhibition of ammonia monooxygenase completely blocked $N_2O$ emission. On the other hand, $N_2O$ emission increased significantly as the nitrogen flux from nitrite to nitrate was blocked by the selective inhibition of nitrite oxidation.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권3호
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• pp.285-292
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• 1996

질소 분위기에서 상압소결한 알루미나 소결체의 열전도도에 대한 AIN 첨가효과를 검토하였다. AIN 함량이 1,5 및 10 mol%롤 증가하면 $Al_{2}O_{3}$-AIN 소결체의 열전도도는 급격히 감소하지만, 20 및 25 mol%가 첨가되면 거의 일정하였다. 1~10mol% AIN이 첨가된 알루미나 소결체의 열전도도는 $1700^{\circ}C$의 소결온도에서 최대값을 나타내었으며, 소결온도가 $1800^{\circ}C$로 증가하면 감소하는 경향을 보였다. 이러한 현상은 $1700^{\circ}C$까지는 $\alpha$-$Al_{2}O_{3}$ 및 $Al_{2}O_{3}$와 AIN이 반응하여 생성되 ALON상이 존재하나, $1750^{\circ}C$부터 ${\gamma}$-ALON($9Al_{2}O_{3}$.AIN) 및 $\Phi$($5Al_{2}O_{3}$.AIN)상 등의 2차상을 생성하는 것에 기인된다. 20 및 25 mol% AIN이 첨가된 알루미나 소결체의 열전도도는 $1800^{\circ}C$에서 최대값을 나타내며, $1600^{\circ}C$에서는 $\alpha$-$Al_{2}O_{3}$ 및 ALON상이 존재하나 그 이상의 온도에서는 모두 ALON상만이 존재하였다.