• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.26 no.6
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• pp.403-406
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• 1982

Reactions of N-acyl-1,4-dimethoxy-2-naphthylamines with N,N-dimethylformamide dialkyl acetals afforded, in all cases, the same product, N,N-dimethyl-N'-2-(1,4-dimethoxy)naphthylurea. In these reactions, it was observed that N,N-dimethylformamide dialkyl acetals act as a dimethylamination agent when electron-deficient cites are present in the substrates.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.9 no.1
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• pp.11-29
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• 1992

In 1963, Toomre built up classes of mass models for the highly flattened galaxies which have free parameters n, $a_n$ and $C_n$. In order to keep the universal dimension, we adopt parameters $b_n({C_n}^2={a_n}^{2n}+^2{b_n}^2/(n-1)!)$ insteal of $C_n$. Series of the normalized Toomre's mass models (G = $V_{max}$ =$R_{max}$ = 1, n = 1 to 7) are derived and the normalized parameters $a_n$ and $b_n$ are determined by the iteration method. Replacing parameters $a_n$ and $b_n$ to ${a_n}^l(=a_nr_{max})$ and ${b_n}^l(=b_n\cdotV_{max}/r_{max})$, we can get the generalization of Toomre's mass model.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.10a
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• pp.58-60
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• 2004

최근에 하이퍼큐브의 망비용을 개선한 하이퍼-스타 연결망이 제안되었다. 본 논문에서는 하이퍼-스타 연결망 HS(2n, n)의 container를 이용하여 k-wide diameter가 dist(u, v)＋4이하임과 HS(2n, n)의 고장지름이 D(HS(2n, n))＋2 이하임을 보인다.

• Bulletin of the Korean Mathematical Society
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• v.52 no.5
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• pp.1467-1480
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• 2015

Generalized Fibonacci and Lucas sequences ($U_n$) and ($V_n$) are defined by the recurrence relations $U_{n+1}=PU_n+QU_{n-1}$ and $V_{n+1}=PV_n+QV_{n-1}$, $n{\geq}1$, with initial conditions $U_0=0$, $U_1=1$ and $V_0=2$, $V_1=P$. This paper deals with Fibonacci and Lucas numbers of the form $U_n$(P, Q) and $V_n$(P, Q) with the special consideration that $P{\geq}3$ is odd and Q = -1. Under these consideration, we solve the equations $V_n=5kx^2$, $V_n=7kx^2$, $V_n=5kx^2{\pm}1$, and $V_n=7kx^2{\pm}1$ when $k{\mid}P$ with k > 1. Moreover, we solve the equations $V_n=5x^2{\pm}1$ and $V_n=7x^2{\pm}1$.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.26 no.4
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• pp.389-405
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• 1999

본 논문에서는 상호 연결망의 노드를 행렬로 표현하고 행렬연산을 이용하여 에지를 정의한 새로운 상호 연결망으로 행렬-스타 그래프를 제안한다. 행렬-스타 그래프는 널리 알려진 스타 그래프를 일반화한 그래프이다. 먼저, 행렬-스타 그래프의 노드를 2 $\times$ n 행렬로 표현한 행렬-스타 그래프 MS2,n 에 대하여 주요 망 척도인 분지수, 연결도, 확장성, 대칭성, 리우팅 ,지름 방송등을 분석한다. 다음으로, 행렬-스타 그래프 MS2,n의 노드를 2차원과 3차원으로 일반화한 행렬-스타 그래크 MSk,n과 MS k,n,p를 정의하고 행렬-스타그래프 MSk,n,p 의 라우팅 알고리즘과 지름을 분석한다. 상호연결망의 중요 망 척도중 하나는 망 비용이고 상호연결망의 망 비용은 그 연결망의 분지수와 지름의 곱으로 정의된다. star 그래프는 다른 상호 연결망보다 작은 망 비용을 갖는다. 최근에 제안된 Macro-Star 그래픈 star 그래프에 비해 상대적으로 망 비용이 작은 값을 갖는 연결망이다. (n2)!개의 노드를 갖는 행렬-스타 그래프 MSk,k,k(k={{{{ `^{ 3} SQRT { n$^2$} }}}} )와 ((n-1)2 + 1)!개의 노드를 갖는 Macro-Star 그래프 MS(n-1, n-1)의 망 비용은 행렬-스타그래프 MSk,k,k(k={{{{ `^{ 3} SQRT { n$^2$} }}}})는 O(n2,7)이고, Macro-Star 그래프 MS(n-1 , n-1)은 O(n3) 이다. 이는 행렬-스타 그래프가 스타 그래프와 Macro-Star 그래프보다 망비용이 우수함을 의미한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.249-249
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• 1999

GaN과 같은 III-nitride 반도체 관한 식각 기술의 연구는 blue-emitting laser diode(LD)를 위한 경면(mirror facet)의 형성뿐만아니라 새로운 display 용도의 light emitting diodes (LED), 고온에서 작동되는 광전소자 제조 등에도 그 중요성이 증대되고 있다. 최근에는 III-nitride 물질의 높은 식각속도와 미려하고 수직한 식각형상을 이루기 위하여 ECR(Electron Cyclotron Resonance)이나 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 고밀도 플라즈마 식각과 CAIBE(Chemically assisted ion beam etching)를 이용한 연구가 진행되고 있다. 현재 제조되어 지고 있는 LED 및 LD와 같은 광소자의 구조의 대부분은 p-GaN/AlGaN/InGaN(Q.W)/AlGaN/n-GaN 와 같은 여러 층의 형태로 이루어져 있다. 이중 InGaN는 광소자나 전자소자의 특성에 영향을 주는 가장 중요한 부분으로써 현재까지 보고된 식각연구는 undoped GaN에 대부분 집중되고 있고 이에 비해 소자 특성에 핵심을 이루는 InGaN의 식각특성에 관한 연구는 미흡한 상황이다. 본 연구에서는 고밀도 플라즈마원인 ICP 장비를 이용하여 InGaN를 식각하였고, 식각에는 Cl2/CH4, Cl2/Ar 플라즈마를 사용하였다. InGaN의 식각특성에 영향을 미치는 플라즈마의 특성을 관찰하기 위하여 quadrupole mass spectrometry(QMS)와 optical emission spectroscopy(PES)를 사용하였다. 기판 온도는 5$0^{\circ}C$, 공정 압력은 5,Torr에서 30mTorr로 변화시켰고 inductive power는 200~800watt, bias voltage는 0~-200voltage로 변화시켰으며 식각마스크로는 SiO2를 patterning 하여 사용하였다. n-GaN, p-GaN 층 이외에 광소자 제조시 필수적인 InGaN 층을 100% Cl2로 식각한 경우에 InGaN의 식각속도가 GaN에 비해 매우 낮은 식각속도를 보였다. Cl2 gas에 소량의 CH4나 Ar gas를 첨가하는 경우와 공정압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정 압력을 감소시키는 경우 식각속도는 증가하였고, Cl2/10%CHF3 와 Cl2/10%Ar 플라즈마에서 공정압력을 15mTorr로 감소시키는 경우 InGaN과 GaNrks의 선택적인 식각이 가능하였다. InGaN의 식각속도는 Cl2/Ar 플라즈마의 이온에 의한 Cl2/CHF3(CH4) 플라즈마에서의 CHx radical 형성에 의하여 증가하는 것으로 사료되어 진다.

• Bulletin of the Korean Mathematical Society
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• v.37 no.4
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• pp.803-810
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• 2000

Let N($d_1,...,{\;}d_n;c_1,...,{\;}c_n$) be the number of solutions $(x_1,...,{\;}x_n){\in}F^{n}_p$ of the diagonal equation $c_lx_1^{d_1}+c_2x_2^{d_2}+{\cdots}+c_nx_n^{d_n}{\;}={\;}0{\;}n{\geq},{\;}c_j{\;}{\in}{\;}F^{*}_q,{\;}j=1,2,...,{\;}n$ where $d_j{\;}>{\;}1{\;}and{\;}d_j{\;}$\mid${\;}q{\;}-{\;}1$ for all j = 1,2,..., n. In this paper, we find all n-tuples ($d_1,...,{\;}d_n$) such that the reduced form of ($d_1,...,{\;}d_n$) and N($d_1,...,{\;}d_n;c_1,...,{\;}c_n$) are the same as in the theorem obtained by Sun Qi [3]. Improving this, we also get an explicit formula for the number of solutions of the diagonal equation, unver a certain natural restriction on the exponents.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2000.10a
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• pp.633-636
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• 2000

본 논문에서는 하이퍼큐브보다 망비용이 개선된 HCN(n,n)과 2n-hypercube 사이의 임베딩을 분석한다. 2n-hypercube를 HCN(n.n)에 연장율 3에 임베딩 가능함을 보이고, HCN(n,n)을 2n-hypercube에 임베딩하는 비용이 O(n)임을 보인다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.3
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• pp.242-247
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• 1998

Hydrogenated amorphous carbon nitride[a-C:H(N)] films were deposited on p-type Si(100) at room temperature with bias voltage of 200 V by DC saddle-field plasma-enhanced chemical vapor deposition. Effects of the ratio of $N_2$ to $CH_4$($N_2/CH_4$), in the range of 0 and 4 on such properties as optical properties, microstucture, relative fraction of nitrogen and carbon, etc. of the films have been investigated. The thickness of the a-C:H(N) film was abruptly decreased with the addition of nitrogen, but at $N_2/CH_4$>0.5, the thickness of the film gradually decreased with the increase of the $N_2/CH_4$. The ratio of N to C(N/C) of the films was saturated at 0.25 with the increase of $N_2CH_4$. N-H, C≡N bonds of the films increased but C-H bond decreased with the increase of $N_2CH_4$.Optical band gap energy of the film decreased from 2.53 eV at the ratio of $N_2CH_4$=4.

• Solar Energy
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• v.11 no.3
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• pp.74-83
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• 1991

In this study, the (p)ZnTe/(n)Si solar cell and (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si poly-junction thin film are fabricated by vaccum deposition method at the substrate temperature of $200{\pm}1^{\circ}C$ and then their electrical properties are investigated and compared each other. The test results from the (p)ZnTe/(n)Si solar cell the (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si poly-junction thin fiim under the irradiation of solar energy $100[mW/cm^2]$ are as follows; Short circuit current$[mA/cm^2]$ (p)ZnTe/(n)Si:28 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:6.5 Open circuit voltage[mV] (p)ZnTe/(n)Si:450 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:250 Fill factor (p)ZnTe/(n)Si:0.65 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:0.27 Efficiency[%] (p)ZnTe/(n)Si:8.19 (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si:2.3 The thin film characteristics can be improved by annealing. But the (p)ZnTe/(n)Si solar cell are deteriorated at temperatures above $470^{\circ}C$ for annealing time longer than 15[min] and the (n)CdS-(p)ZnTe/(n)Si thin film are deteriorated at temperature about $580^{\circ}C$ for longer than 15[min]. It is found that the sheet resistance decreases with the increase of annealing temperature.