• 한국세라믹학회지
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• 제38권12호
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• pp.1180-1186
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• 2001

고진공 저항 가열식 증발 증착기를 이용하여 약 1$mu extrm{m}$ 두께의 W $O_3$-Sn $O_2$박막 가스센서를 제작하였다. 50$0^{\circ}C$에서 4시간동안 공기중 열처리한 다음, 제조된 박막의 결정성과 미세구조를 관찰하였다. 100 ppm의 산화성 가스인 N $O_2$와 환원성 가스인 CO 가스에 대한 가스 감응 특성을 측정한 결과, N $O_2$가스에 대한 감도( $R_{gas}$/ $R_{air}$)는 기판온도 25$0^{\circ}C$에서 W $O_3$박막이 약 1000으로서 가장 높았으며, CO 가스 감도는 기판온도 15$0^{\circ}C$~25$0^{\circ}C$ 범위에서 약 0.25로 가장 양호하였다.하였다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.1-7
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• 2002

Diffusion and dispersion of injected $CO_2$gas into the $N_2$ gas flow are complex. In the packed column with porous particles the axial dispersion and the extra-particle mass transport as well as the intra-particle mass transport are involved. The pulse spreads by stationary diffusion during the period of arrested flow. Hence, the effect of axial dispersion, and of entrance and exit, as well as that of intraparticle convection should be eliminated during the period. The effective diffusivity was determined experimentally by using the gas chromatography, which is to arrest the gas flow during the period after injecting the pulse. This experiment method hasn't been used often in the field. Effective diffusivities are raised with temperature increasing, and it is quite satisfied com-pared to literature values. In this study, the calculated data of gaseous chemical for extinguish fires could be helpful to appreciate several physical phenomenons. Also, it could be expected that, the calculated data of this study might be very useful for development of excellent gaseous chemical for extinguish fires and improvement of its efficiency.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권7호
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• pp.394-399
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• 2016

The silicon dioxide ($SiO_2$) was deposited using various gas as oxygen and nitrous oxide ($N_2O$) in nowadays. In order to improve electrical characteristics and the interface state density ($D_{it}$) in low temperature, It was deposited with carbon dioxide ($CO_2$) and silane ($SiH_4$) gas by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD). Each $D_{it}$ of $SiO_2$ using $CO_2$ and $N_2O$ gas was $1.30{\times}10^{10}cm^{-2}{\cdot}eV^{-1}$ and $3.31{\times}10^{10}cm^{-2}{\cdot}eV^{-1}$. It showed $SiO_2$ using $CO_2$ gas was about 2.55 times better than $N_2O$ gas. After 10 years when the thin film was applied to metal/insulator/semiconductor(MIS)-nonvolatile memory(NVM), MIS NVM using $SiO_2$($CO_2$) on tunneling layer had window memory of 2.16 V with 60% retention at bias voltage from +16 V to -19 V. However, MIS NVM applied $SiO_2$($N_2O$) to tunneling layer had 2.48 V with 61% retention at bias voltage from +20 V to -24 V. The results show $SiO_2$ using $CO_2$ decrease the $D_{it}$ and it improves the operating voltage.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권10호
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• pp.759-762
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• 2010

In this investigation, the effects of $N_2/(Ar+N_2)$ gas partial pressure on the structural, electrical, and thermal properties of AlN dielectric layers prepared on aluminum substrates using RF-magnetron sputtering method were analyzed. Among the films, the AlN dielectric film deposited under $N_2/(Ar+N_2)$ gas partial pressure of 75% exhibit the highest AlN (002) preferred orientation, which was grain size of about 15.32 nm and very dense structure. We suggest the possibilities of it's application as a dielectric layer for metal PCB because the AlN films prepared at optimized gas partial pressure can improving the insulating property, the thermal conductivity, and thermal diffusivity of the films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.339-340
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• 2006

AC spark discharge voltage of SF6/CO2and SF6/N2 containing various mixed rate in volume percent (1, 5 and 10%) of SF6 in non-uniform fields are investigated. The needle to plane electrode gap spacing was 5 and 10 mm, and the gas pressure was varied within the range of 0.1~0.7 MPa. We have observed a N-characteristic typical for the electronegative gases even in gas mixtures of 1% SF6 with CO2 and N2 as buffer gases. Especially, the materials of the needle electrode affect the insulation properties of the gas mixtures drastically. On the contrary to the case of needle electrodes made by mild steel or high carbon steel, the N-characteristics are hardly perceived in the case of stainless steel needle in this experiment.

• 에너지공학
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• 제6권2호
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• pp.203-211
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• 1997

본 연구에서는 지구 온난화 연소폐가스를 모델로 한 $CO_2$-$N_2$혼합 기체의 화학흡수법에 의한 기체 분리 실험을 행하였다. 반회분식 기포부상 반응 장치를 이용하여 최적흡수액의 조건을 탐색하였고, 충진 흡수탑을 이용하여 흡수 속도를 측정, 실험 결과를 이론적 예측값과 비교.분석하여 흡수현상에 대한 적절한 해석을 하고자 하였다. 본 실험에 사용한 흡수제는 Monoethanolamine(MEA)이었고, 대상 기체는 화력발전소의 연소배가스의 주요성분이 $N_2$79%, $CO_2$15%, $O_2$4%인바, $N_2$: $CO_2$가 몰비 85:15의 비율인 모델가스를 혼합기체로 사용하였다. 실험조건하에서 $CO_2$loading과 $CO_2$제거율을 측정하였고, 흡수속도를 구하기 위하여 Enhancement factor를 도입하고 Film 모델과 Higbie 모델을 적용하였다. 흡수액의 최적농도는 4-5 M인 것으로 나타났으며. Higbie model에 의한 흡수속도 예측은 실측치와 잘 일치하여 연소폐가스 중의 고농도 $CO_2$가스의 흡수에 적용이 가능한 것으로 나타났다.

• 멤브레인
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• 제28권2호
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• pp.105-112
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• 2018

본 연구는 GO (graphene oxide)를 활용한 기체 분리막 연구를 위해 기체투과도가 우수한 PTMSP [poly(1-trimethylsilyl-1-propyne)]에 GO를 첨가하여 PTMSP-GO 고분자 복합막을 제조하고, $N_2$, $CH_4$, $CO_2$에 대한 투과특성을 연구하였다. PTMSP-GO 복합막의 기체투과는 $N_2$ < $CH_4$ < $CO_2$ 순으로 높은 기체투과도 값을 가졌다. $N_2$, $CH_4$, $CO_2$의 기체투과 경향은 GO 함량 0~10 wt% 범위에서 함량이 증감함에 따라 기체투과도가 감소하다가 10~30 wt% 범위에서 증가하는 현상을 보였다. 적은 GO 함량범위에서는 복합막 내에서 GO가 barrier로 작용하여 확산성 감소로 기체투과도가 감소하였고, 일정 함량범위 이상에서는 계면에 생기는 void로 인해 기체투과도가 증가하였다. 그리고 $CO_2$는 GO의 -COOH에 친화성을 가지고 있어 선택도($CO_2/N_2$)와 선택도($CO_2/CH_4$)는 GO 함량이 증가하면서 점차 증가하는데 선택도($CO_2/N_2$)는 PTMSP-GO 10 wt%에서 10.6로 가장 높은 선택도를 보였고, 선택도($CO_2/CH_4$)는 PTMSP-GO 20 wt%에서 3.4로 가장 높은 선택도를 보였다. 그러나 일정 함량 이상에서 선택도($CO_2/N_2$)와 선택도($CO_2/CH_4$) 모두 감소하였는데 GO 함량이 많아지면서 GO 충진물 간의 응집현상이 심해지고, GO 응집물로 인하여 $CO_2$에 대한 용해도 효과가 낮아져 선택도가 감소되었다. PTMSP-GO 20 wt% 복합막은 PTMSP 단일막보다 증가된 $CO_2$ 투과도와 선택도($CO_2/CH_4$)를 보이면서 기체투과 특성이 향상되었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권9호
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• pp.423-429
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• 2002

RuOx thin films were fabricated by the method of liquid delivery MOCVD using Ru(C$_{8}$ $H_{13}$ $O_2$)$_3$ as the precursor and their thermal effects and conductivity were investigated. Ru films deposited at 25$0^{\circ}C$ were annealed at $650^{\circ}C$ for 1min with Ar, $N_2$ or N $H_3$ ambient. The changes of the micro-structure, the surface morphology and the electrical resistivity of the Ru films after annealing were studied. Ar gas was more effective than $N_2$ and N $H_3$ gases as an ambient gas for the post annealing of the Ru films, because of smaller resistivity and denser grains. The X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy results indicate that the Ru $O_2$ phase and the silicidation are not observed regardless of the ambient gases. The minimum resistivity of the Ru film is found to have the value of 26.35 $\mu$Ω-cm in Ar ambient. Voids were formed at Ru/TiN interface of the Ru layer after annea1ing in $N_2$ ambient. The $N_2$ gas generated due to the oxidation of the TiN layer accumulated at the Ru/TiN interface, forming bubbles; consequently, the stacked film may peel off the Ru/TiN interface.e.

• 한국약용작물학회지
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• 제9권4호
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• pp.275-279
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• 2001

품질관련 성분 중 총질소, 총아미노산, 엽록소 및 비타민 C는 $CO_2$ gas 3시간 혐기처리가 타처리에 비해 함량이 약간 많았으며, 탄닌은 공기 처리가 카페인은 진공처리에서 함량이 약간 많은 경향이었다. 유리당은 $CO_2$ gas 처리가 2,050mg/100g으로 타처리에 비해 ${31{\sim}449mg/100g}$정도 많았다. 혐기처리시 GABA와 alanine이 축적되는데, GABA함량은 ${N_2\;CO_2}$ gas 처리가 무처리 (350mg/100g)에 비해 215mg/100g과 264mg/100g으로 $6{\sim}8$배 많았다. 제다품질은 무처리 80.4점에 비해 $N_2$, $CO_2$ gas 처리 각각 80.0, 80.3점으로 차이가 거의 없었으나, 공기 및 진공처리는 각각 78.3, 78.9점으로 약간 품질이 저하되는 경향이었다. $N_2$나 $CO_2$ gas처리 후 제다된 녹차는 기능성분인 GABA함량이 무처리에 비해 $6{\sim}8$배 많고, 제다 품질도 양호하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.19-23
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• 1979

$S_nO_2$ and $Z_nO$ based semiconductor combustible gas sensors have been fabricated and measured their charactcnstics. Adding about 0.5 wt % $P_dCf_2$ to the mixture of $S_n0_2$ and $Z_nO$ improved the sensitivity. The devices were fired for one hoar in air in the tewerature range of $400^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. Their electrical conductivity was changed by t he change of atmosphenc pressure around then.