층상 구조인 유기-무기 혼성 화합물인 ($C_6H_5CH_2NH_3)_2CuCl_4$ 와($NH_3C_6/H_4C_2H_4_6/H_4NH_3)CuCl_4$를 직접 합성하였다. X-선 회절 데이터와 유기분자의 길이로부터 층간 삽입된 유기화합물인 아민의 배열을 결정하였다. 무기화합물 층은 정육면체 구석을 공유하고 있는 염화구리의 $CuCl_4^{2-}$ 층으로 구성되어 있다. ($C_6/H_5/CH_2NH_3)_2CuCl_4$의 경우는 양성자화 된 유기화합물 아민이 $CuCl_4^{2-}$ 층 안에 이중 층 구조로 삽입되어 있고, ($NH_3C_6/H_4C_2H_4C_6H_4NH_3)CuCl_4$의 경우는 단일 층 구조로 삽입되어있다.
$NH_4Cl$을 염소화제로 사용하여 시약 PbS와 Pb함유 자연광물인 방연광의 염소화 반응에 대해 조사하였다. 방연광의 적정 염소화 반응조건은 반응온도 $425^{\circ}C$, 방연광에 대한 $NH_4Cl$의 무게비 4.0, 반응시간 2시간이었다. 이 조건하에서 방연광중의 PbS는 $NH_4Cl$에 의해 효과적으로 $PbCl_2$로 염소화되었으며 그 전화율은 90%였다. 방연광의 염소화 반응에서 염소화제로 사용한 $NH_4Cl$은 $NH_3$와 HCl로 효과적으로 분리되었으며 양론적으로 90%의 $NH_3$를 회수할 수 있었다.
전기분해에 의한 암모니아의 제거 특성을 조사하기 위한 실험을 수행하였다. 양극판은 티타늄에 이산화이리듐을 전착한 $IrO_2/Ti$ 극판으로 하였으며, 음극판은 스테인리스 스틸판을 사용하였다. 전류밀도, 체류시간, 전극간격 및 $Cl^-/NH_4{^+}-N$ 비 등의 운전조건에 대한 암모니아 제거 특성을 조사하여 전기분해의 최적 운전조건을 결정하였다. 판형태의 양극판과 망형태의 양극판을 사용하여 동일 전류밀도에서 암모니아의 처리효과는 비슷한 것으로 나타났으나, 유효 극판면적이 적은 망형태의 극판을 사용함으로써 전력비를 감소할 수 있었다. 암모니아성 질소에 대한 염소첨가비 $20.0kgCl^-/kgNH_4{^+}-N$에서 약 73 %의 제거율을 보였으며, 암모니아를 완전히 제거하는데 $27.6kgCl^-/kgNH_4{^+}-N$이 필요하였다. 암모니아의 제거는 전류밀도, 체류시간 및 $Cl^-/NH_4{^+}-N$ 비에 따라 높았으며, 전극간격은 좁을수록 효과적인 것으로 나타났다. 운전인자와 암모니아 제거율과의 관계는 아래와 같이 나타났다. $$NH_4{^+}-N_{re}(%)=14.5364(Current\;density)^{0.7093}{\times}(HRT)^{1.0060}{\times}(Gap)^{-0.9926}{\times}(Cl^-/NH_4{^+}-N)^{1.0024}$$ COD와 알칼리도를 첨가한 경우 암모니아 제거는 더 높게 나타났으며, 운전인자와의 관계식은 아래와 같이 나타났다. $$NH_4{^+}-N_{re}(%)=9.8408(Current\;density)^{0.6232}{\times}(HRT)^{1.0534}$$ 유기물질과 질소를 동시에 전기분해할 경우 두 물질간은 경쟁관계에 있으며, 암모니아 제거가 지배적인 것으로 나타났다. 암모니아 제거는 유기물질 및 알칼리도를 주입함으로써 높게 나타났다.
비료를 유도용액으로 사용하는 정삼투를 하수처리수(2차 침전지 유출수)의 재이용에 적용하여 유도용액의 성능을 평가하였다. 일반적으로 많이 사용되고 있는 비료 중에서 삼투압, 용해도 및 pH 등을 고려하여 $NH_4H_2PO_4$, KCl, $KNO_3$, $NH_4Cl$, $(NH_4)_2HPO_4$, $NH_4NO_3$, $NH_4HCO_3$ 및 $KHCO_3$을 유도용액 후보군으로 선정하고, 수투과선속 및 역용질선속을 측정하여 유도용액의 성능을 평가하였다. 평균 수투과선속은 KCl > $NH_4Cl$ > $NH_4NO_3$ > $KNO_3$ > $KHCO_3$ > $NH_4HCO_3$ > $NH_4H_2PO_4$ > $(NH_4)_2HPO_4$의 순서로 나타났으며, KCl을 유도용액으로 사용하였을 때, 평균 수투과선속은 13.49 LMH이었다. 하수처리장 2차 침전지 유출수의 삼투압은 탈이온수의 삼투압에 비해 큰 차이가 없었다. 역용질선속은 $NH_4H_2PO_4$ < $NH_4Cl$ < $(NH_4)_2HPO_4$ < $KNO_3$ < $NH_4HCO_3$ < $NH_4NO_3$의 순서로 나타났으며, $NH_4H_2PO_4$를 유도용액으로 사용하였을 때, 역용질선속은 $4.96{\times}10^{-3}mmol/m^2{\cdot}sec$이었다.
We have manufactured CdS and Cd(Cu)S thin films by chemical bath deposition(CBD) process, and examined the effects of $NH_4Cl$ and TEA. The addition of $NH_4Cl$ remarkably enhanced the film thickness of CdS, however, TEA slightly decreased the film thickness. The thickness of CdS film prepared from the aqueous solution of 0.003 M $CdSO_4$ 0.00008 M $CuSO_4$, 1.3M NH3, 0.03 M $SC(NH_2)_2$ and 0.0009 M $NH_4Cl$ was 210 nm and resistivity of that was $1.2{\times}10^3{\Omega}cm$.
용리 양이온의 바뀜에 따른 양이온착물에 대한 용리거동을 조사하였다. 높은 농도의 KCl, NaCl 및 $NH_4C$l수용액을 용리제로 사용하였을 때 친수성착물의 용리부피는 $NH_4^+ > Na^+ > K^+$의 순으로 증가하였지만 낮은 농도에서 친수성착물의 용리부피는 $Na^+ > NH_4^+ > K^+의 순으로 증가하였다. 반면에 전 농도 범위의 KCl, NaCl 및 NH_4Cl수용액을 용리제로 사용하였을 때 소수성착물의 용리부피는 NH_4^+ > Na^+ > K^+의 순서로 증가하였다. 그리고 용리음이온이 바뀜에 따른 양이온착물에 대한 용리거동을 조사하였다. 친수성착물은 할로겐화 이온중의 Cl-과 강하게 회합하였지만 소수성착물은 I-과 더 강하게 회합하였다. SO_4^2$-는 비교적 수화가 강하게 일어나므로 친수성 착물과 회합이 강하였고 소수성착물과는 회합이 약하였다.
The Tantalum nitride has attracted wide at attention as issues related to the toxicity of Cd-related materials. But in the titration process of Ta$Cl_5$ solution with $NH_4$OH, $NH_4$Cl, as a by product, was remained in the prepared Tantalum precursor. The tantalum precursor with $NH_4$Cl was nitrided by ammonolysis. The red color tone of $Ta_3N_5$ was reduced by the residual $NH_4$Cl reduce. Therefore, amorphous Tantalum precursor was prepared by filtering process with as hydrous ethanol to remove the $NH_4$Cl. In the case of using Tantalum precursor without $NH_4$Cl, we successfully synthesized the Tantalum nitride with good red color. The value of red color tone was improved from $a^*$=36.8 to $a^*$=53.0. The synthesized powder was characterized by XRD, SEM, the Nitrogen / Oxygen Determinator, TG-DTA, and the CIE $L^*a^*b^*$ colorimeter.
원재료로서 Si, NH$_4$Cl, NaN$_3$, NaCl을 사용하고 SHS법을 이용하여 $\alpha$-Si$_3$N$_4$ 분말을 제조하였다. NH$_4$Cl과 NaN$_3$는 첨가제로서, NaCl은 희석제로서 사용되었고 반응기내 최초 $N_2$ 압력은 60 atm이었다. $\alpha$-Si$_3$N$_4$분말을 제조함에 있어, 첨가제의 종류와 조성, 희석제의 첨가량에 따른 반응성 및 생성물의 특성을 조사하였는데, 우선 $\alpha$-Si$_3$N$_4$ 분말의 제조를 위한 최적의 반응계를 조사하였고, 최적의 반응계에서 최적의 조성을 확립하였다. 최적의 반응계는 Si-$N_2$-additive(NH$_4$C+NaN$_3$)-diluent(NaCl)이었고, 이때 최적의 조성은 38wt%Si+22.5wt%NH$_4$Cl+27.5wt%NaN$_3$+l2wt%NaCl이었다. 이 조건에서 생성된 최고 $\alpha$-Si$_3$N$_4$의 분율은 96.5wt%이었으며 생성된 분말의 입형은 길이가 약 10 $mu extrm{m}$이고 직경이 약 1 $\mu\textrm{m}$인 일방향으로 길게 성장한 부정형의 fiber 형태였다.
Kim, Choong-Soo;Cho, Jin-Woong;Lee, Sok-Young;Park, Kwan-Soo
한국작물학회지
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제44권1호
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pp.4-10
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1999
This study was conducted to determine the effects of NaCl stress on nitrogen, ${NH_4}^+$, and ${NO_3}^-$ content of 4 barley cultivar seedlings that were cultured for 10 and 30 days with different NaCl levels (0, 50, 100, and 150 mM) contain-ing 1/4 Hoagland solutions. The sodium ion content in the shoot of barley seedlings sharply increased with an increase of NaCl concentration. After 30 days of NaCl treatment, the sodium content of the shoot at 150 mM NaCl was 27 times higher than in non-saline conditions. The sodium content in the root linearly increased with increasing NaCl concentration. Nitrogen content in the shoot linearly increased with increasing NaCl concentration, but nitrogen content in the root declined above the point where the $Na^+$ content was 3.0 mM/g $Na^+$ in the barley seedling. ${NO_3}^-$ content also decreased with increasing NaCl concentration. ${NH_4}^+$ content in the shoot decreased with NaCl condition, but its content in the root increased with NaCl condition. A positive correlation between ${NO_3}^-$ and ${NH_4}^+$ content was found in the shoot, but their relationship was negative in the root.
The preparation of AlN powder by SHS in the system of $Al-AlN-NH_4Cl$ was investigated in this study. In the preparation of AlN powder, the effect of gas pressure and the composition such as Al, AlF, and additive in mixture on the reactivity were investigated. At 60 atm of the initial inert gas pressure in reactor, the optimum composition for the preparation of pure AlN was 35 wt%Al+5 wt% $NH_4Cl+60wt%$AlN. The AlN powder synthesized in this condition was a single phase AlN with a whisker morphology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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