• 한국재료학회지
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• 제3권4호
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• pp.403-409
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• 1993

본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 $NH_3$가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry $O_2$ oxidation)및 $NH_3$산화($NH_3$ added in dry $O_2$oxidation)를 택하였고 $N_2$및 $NH_3N_2$분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, $NH_3$산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 $NH_3$산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 $NH_3$산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% $NH_3N_2$분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. $NH_3$산화방식에서 7.5%$NH_3N_3$분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.57-58
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• 1992

The NH$_3$oxidation, which forms thermal oxide layer on silicon substrate with pure $O_2$gas added with small amounts of NH$_3$gas, has good interface sates due to activated gettering effect during oxidation. The superiority of interfae state in NH$_3$ oxidation method is not affected by preprocess but by gettering during oxidation. The dramatec reduction fo interface state is conformed with observing OSF when NH$_3$ oxide is annealed in NH$_3$ atmosphere.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.82-87
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• 1998

$O_2$기체에 $NH_3/O_2$기체를 첨가하여 실리콘 표면에 산화막을 형성하는 $NH_3/O_2$산화법 에 의한 산화공정시 반응석영관 외부에 방출하는 기체는 $N_2,O_2$및 $H_2O$이며 극소량의 $CO_2$, NO 및 $NO_2$가 검출되었다. 두 종류의 산화제($O_2$ 및 $H_2O$)가 산화에 기여하며 성장률은 $NH_3$및 $O_2$ 의 부분압과 온도에 의해 결정되며, 그 기울기는 건식 및 습식 산화법의 중간에 평행 하게 위치함을 확인하였다. Auger Electron Spectroscopy(AES) 측정결과 $NH_3/O_2$ 산화막은 정확한 $SiO_2$의 화학량론을 가지며 $SiO_2/Si$계면에 발생하는 결합을 억제하며 고정전하의 발 생을 최소화함을 알 수 있었다. $NH_3/O_2$ 산화막(470$\AA$)의 항복전압을 57.5Volt이며, C-V특성 곡선을 축정한 결과 플랫밴드 전압은 0.29Volt이며 곡선의 형태는 이상곡선과 일치하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.363-366
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• 1988

A new $NH_{3}-O_{2}$ oxidation method was estimated by the electrical properties of the fabricated n-MOS transistor. For the C-V characteristic curves the Qox are almost equal to Qss and no hysteresis phenomena are observed. The Id-Vds characteristics show that $NH_{3}-O_{2}$ oxidation method is superior to Dry oxidation.

• 공업화학
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• 제24권6호
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• pp.645-649
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• 2013

본 연구에서는, 화력발전소 및 소각로 후단에서 발생되는 $NH_3$를 제어하기 위한 $W/TiO_2$ 촉매의 $NH_3$ 산화 반응 특성 연구를 수행하였다. 그 결과, $W/TiO_2$ 촉매의 텅스텐 최적함량은 10 wt% 임을 도출하였으며, 그 이상의 텅스텐을 담지 할 경우 비표면적의 감소로 인한 효율저하를 확인하였다. 또한, $NH_3$ 주입농도가 420 ppm 이상으로 주입될 경우 중 저온의 온도구간에서 효율저하를 나타냈으며, 수분이 존재할 경우 경쟁흡착으로 인한 효율저하가 발생하였고 산소농도가 증가할수록 $NH_3$의 전환율은 우수해지지만 $N_2$의 선택도가 낮아짐을 확인하였다.

• 한국대기환경학회지
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• 제22권1호
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• pp.25-33
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• 2006

The objective of this research is to improve the adsorption capacity of adsorbent made from MSWI (Municipal Solid Waste Incinerator) fly ash by surface oxidation. Used oxidation agents were $HNO_{3}$, $H_{2}SO_{4}$ and $(NH_{4})_{2}S_{2}O_{8}$. These agents can modify the surface property of an adsorbent such as specific surface area, pore volume, and functional group. The surface structure was studied by BET method with $N_{2}$ adsorption. The acid value and base value were determined by Boehm's method. The adsorption properties were investigated with benzene and MEK (Methylethylketone). According to the results, the specific surface area of the adsorbent was increased from 309.2 $m^{2}$/g to 553.2 $m^{2}$/g by $HNO_{3}$ oxidation. But $H_{2}SO_{4}$ and $(NH_{4})_{2}S_{2}O_{8}$ oxidation was decreased slightly. After Oxidation, surface acid value increased, but base value decreased. FAA-N shows the highest acid value. The content of oxygen increased greatly and oxygen group was created on the adsorbent surface. The surface oxidation improved the adsorbing capacity for MEK. The amount of adsorbing MEK was increased from 189 $m^{2}$/g to 639 $m^{2}$/g by $HNO_{3}$ oxidation.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1329-1334
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• 1988

$NH_3-O_2$의 열반응에 의해 산화막을 성장시키는 새로운 방법을 소개하고, 기존의 건식산화방법을 이용한 $SiO_2$박막의 특성을 비교 설명하였다. $NH_3$의 유량에 따라서 박막의 성장비가 증가하고, 성장된 막의 구성성분이 건식산화때와 같음을 확인하였다. C-V특성곡선에서도 $Q_{OX}$와 $Q_{SS}$가 거의같았고 히스테리시스현상도 없었다. 또한 n-MOS트랜지스터를 제작하고 측정한 결과 $I_D$-$V_{DS}$특성곡선이 건식산화와 비교하여 우수함을 확인했다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.360-362
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• 1988

The new oxidation method was presented to grow the oxide layer by thermal reaction of $NH_{3}$ and $O_{2}$. The growth rate increased according as increase of partial pressure of $NH_{3}$. Optical transparent of the grown film was 12% compared with 17% of thermal oxidation when the wave number was $1,100cm^{-1}$. The oxide layer with good quaility was obtained.

• 한국연소학회지
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• 제12권4호
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• pp.39-46
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• 2007

The technique of $NH_3$ SCR (selective catalytic reduction) assisted by plasma oxidation has been applied to a 2,000 cc diesel engine. The present combined $deNO_x$ process consists of two steps. The first step is that about 50% of emitted NO from the engine is oxidized to $NO_2$ in a plasma oxidation process. The second step is that NO and $NO_2$ are simultaneously reduced to $N_2$ in the $NH_3$ SCR process. The engine test results showed that the $deNO_x$ rates of the present combined process are higher than those of conventional SCR process by 20%. Such a high performance of the combined process is noticeable especially, when the exhaust temperature are relatively low, i.e., $170-220^{\circ}C$. To provide a feasibility of the present technique the effects of operating conditions, such as an electrical input energy, an exhaust gas temperature, an initial NO concentration, and the amount of hydrocarbon addition, were discussed.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.165-166
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• 1994

The depth profiles of the as-grown and the annealed NH$_3$ oxide film in NH$_3$(7.5%)/$N_2$ ambient at 45$0^{\circ}C$ are analized . This annealing in the ambient of mixed gases removes the small quantities of N component from the NH$_3$ oxide film. In AES analysis, the NH$_3$ oxidation shows the exact stoichiometry of SiO$_2$ and a sharp slop at SiO$_2$/Si interface.