A (5 wt.%)Mn-(1 wt.%)$V_{2}O_{5}/TiO_{2}$ catalyst were prepared by co-precipitation method and used for low-temperature selective catalytic reduction (SCR) of $NO_x$ with ammonia in the presence of oxygen. The properties of the catalysts were studied by X-ray diffraction (XRD), temperature programmed reduction (TPR) and scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM-EDS). The experimental results showed that (5 wt.%)Mn-(1 wt.%)$V_{2}O_{5}/TiO_{2}$ catalyst yielded 81% NO conversion at temperature as low as $150^{\circ}C$ and a space velocity of $2,400\;h^{-1}$. Crystalline phase of $Mn_{2}O_3$ was present at ${\ge}\;15%$ Mn on $V_{2}O_{5}/TiO_{2}$. XRD confirmed the presence of manganese oxide ($Mn_{2}O_{3}$) at $2{\theta}=32.978^{\circ}(222)$. The XRD patterns presented of (5 wt.%)Mn-(1 wt.%)$V_{2}O_{5}/TiO_{2}$ did not show intense or sharp peaks for manganese oxides and vanadia oxides. The TPR profiles of (5 wt.%)Mn-(1 wt.%)$V_{2}O_{5}/TiO_{2}$ catalyst showed main reduction peat of a maximum at $595^{\circ}C$.
Magnetic field induced structural transition has been systematically investigated for $La_{1-x}Ba_xMnO_3$ with the fine control of carrier doping $(0.15{\leq}x{\leq}0.20)$. Application of a magnetic field results in the suppression of the rhombohedral-orthorhombic transition temperature $(T_s)$ and the increase of insulator-metal transition temperature $(T_{MI})$. Near x = 0.17, where $T_S$ is similar to $T_{MI}$ at zero magnetic field, we found that the $T_S$ smoothly decreased with magnetic field even though it intersected the $T_{MI}$ near 3 T. Also, the magnetostructural phase diagram obtained from the temperature sweep and from the magnetic field sweep is not significantly modified. By comparing the magnetostructural transition in $La_{1-x}Sr_xMnO_3$, we have suggested that the large disorder originated from ionic size differences between La and Ba may weaken the sensitivity of the kinetic energy of $e_g$ electrons on the degree of lattice distortion in $La_{1-x}Ba_xMnO_3$.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권6호
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pp.13-16
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2003
Mn-doped $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film phosphors have been grown using a pulsed laser deposition technique under various growth conditions. The structural characterization carr~ed out on a series of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) films grown on MgO(l00) substrates usmg Zn-rich ceramic targets. Oxygen pressure was varied from 50 to 200 mTorr and Zn/Ga ratio was the function of oxygen pressure. XRD patterns showed that the lattice constants of the $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin film decrease with the substitution of sulfur and selenium for the oxygen in the $ZnGa_2O_4$. Measurements of photoluminescence (PL) properties of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films have indicated that MgO(100) is one of the most promised substrates for the growth of high quality $ZnGa_2O_{4-x}M_{x}$:$Mn^{2+}$ (M=S, Se) thin films. In particular, the incorporation of Sulfur or Selenium into $ZnGa_2O_4$ lattice could induce a remarkable increase in the intensity of PL. The increasing of green emission intensity was observed with $ZnGa_2O_{3.925}Se_{0.075}:$Mn^{2+}$ and $ZnGa_2O_{3.925}S_{0.05}$:$Mn^{2+}$ films, whose brightness was increased by a factor of 3.1 and 1.4 in comparison with that of $ZnGa_{2}O_{4}$:$Mn^{2+}$ films, respectively. These phosphors may promise for application to the flat panel displays.
새로운 형광체로 역스피넬 구조를 갖는 $Mg_{2-x}MN_xSnO_4$ 조성을 선정하여 고상반응에 의하여 제조하였다. $Mg_2SnO_4:Mn$의 광발광 특성이 147nm 파장의 진공 자외선 여기하에 측정되었다. Mn의 첨가에 의하여 $Mg_2SnO_4$ 형광체는 500nm 파장에 발광 중심을 가지며 매우 높은 발광강도를 나타내었다. 이것은 스피넬 구조의 산소 사면체 배위에 위치하는 Mg 자리를 치환하여 들어가는 $Mn^{2+}$ 이온의 $^4T_1$ 상태로부터 $^6A_1$ 상태로의 에너지 전이에 의한 발광으로 해석되었다. 진공 자외선 여기하에 최대의 발광강도를 나타내는 Mn 활성제의 농도는 0.25mol%이었고, 잔광시간은 10ms 이하인 것으로 조사되었다.
Nanosized $Mn_xFe_2O_4$ powders were prepared in ethylene glycol solution under mild temperature and pressure conditions by precipitation from metal nitrates with aqueous potassium hydroxide. The average size and distribution of the synthesized $Mn_xFe_2O_4$ powders was about 20 nm and broad, respectively. The phase of synthesized particles was crystalline reacted at 200${\circ}C$ for 6h. The magnetic properties of the synthesized $Mn_xFe_2O_4$ powders were about 35-60 (emu/g) with superparamagnetic character.
Since the first reports of CMR(colossal magnetoresistance) effects in some single crystal R-P Phase Ln$_{1-x}$ Sr$_{2-x}$Mn$_{2}$O$_{7}$ 1996. many researches have been carried out to find optimum compositions and processing conditions in this system. In this study, layered perovskite R-P Phase Ln$_{1-x}$ Sr$_{2-x}$Mn$_{2}$O$_{7}$ (x=0.4, Ln=-La, Eu, Gd, Nd, Pr, Sm) phases were synthesized by solid state reaction and their structures were refined by Rietveld method. Electrical and magnetic properties were measured drown to 20K and compare with those of R-P Phase Ln$_{1-x}$ Sr$_{2-x}$Mn$_{2}$O$_{7}$ Phases.es.es.es.es.es.
The magnetic properties of Mg-Mn ferrites were investigated in the composition range of $Mg_{a}Mn_{b}Fe_{c}O_{4\pm\delta}$ (a+b+c=3) with the addition of $Al_{2}O_{3}$. In $MgO-MnO-Fe_{2}O_{3}$ ternary system, the spinel single phase existed within the composition range of MgO-50 mol%, MnO-70 mol% and $Fe_{2}O_{3}-60\;mol%$. The saturation magnetic flux density increased with the increase of $Fe_{2}O_{3}$ content and showed the maximum at the stoichiometric composition of $(Mg,Mn)Fe_{2}O_{4}$. In $Mg_{x}Mn_{1-x}Fe_{2}O_{4}(x=0.2~0.8)$ system, the saturation magnetic flux density showed the maximum at $Mg_{0.2}Mn_{0.8}Fe_{2}O_{4}$. The addition of $Al_{2}O_{3}$ resulted in the decrease of saturation magnetic flux density but increased the electrical resistivity.
고전압 용 양극산화물 $LiNi_{0.5}Mn_{1.5}O_4$는 고온에서 합성 시, 입자 내에 산소결함에 의한 불순물상을 만들게 된다. 불순물상은 불완전한 스피넬 구조를 형성하며 리튬이온의 삽입$\cdot$탈리를 방해하여 전극의 성능을 감소시킨다. 본 연구에서는 고온 열처리 시 생성되는 이러한 불순물상의 거동을 파악하기 위해 크롬을 치환한 $LiNi_{0.5-x}Mn_{1.5}Cr_xO_4(0{\leq}x{\leq}0.05)$를 졸$\cdot$겔법을 이용하여 합성하여 고온 열분석을 실시하였다. 열분석 결과 크롬이 치환되지 않은 양극활물질은 산소결함에 의한 $2\%$의 무게 감소를 보였으나, 크롬이 치환된 경우 무게 감소분이 줄어들어 불순물 생성이 억제됨을 알 수 있었다. XRD 분석에서도 크롬이 치환된 경우 불순물 상이 억제됨을 나타내었으며 불순물상의 감소로 인해 크롬을 첨가한 양극활물질 $LiNi_{0.5-x}Mn_{1.5}Cr_xO_4$를 사용한 경우 충·방전 실험 시 가역 용량과 싸이클 안정성이 향상됨을 볼 수 있었다.
백색 LED 기술이 발달함에 따라 적색 형광체는 산업 및 학계에서 점차 중요성이 커지고 있으며, 시장에서 수요는 꾸준히 증가했다. 적색 형광체는 고효율 및 고연색의 LED 조명에 사용된다. 그러나 $Eu^{2+}$ 활성제를 사용한 적색 형광체는 4f-5d 전이로 발생하는 녹색 또는 황색 스펙트럼 영역에서의 강한 재흡수로 인해 백색 LED 칩에서 색상 변경 및 발광 강도의 저하를 유발했다. 이러한 단점이 없고 연색성 지수(CRI)를 더 향상할 수 있는 $Mn^{4+}$ 도핑된 형광체가 현재 매우 중요하다. 그러나 $Mn^{4+}$ 도핑된 형광체는 $^2E_g{\rightarrow}^4A_2$ 전이로 인하여 발광 파장이 모체에 따라 결정된다는 단점이 있다. 본 연구는 동일구조의 $SrGe_4O_9$와 $BaGe_4O_9$ 모체를 합성하여 $Sr_{1-x}B_axGe_4O_9:Mn^{4+}{_{0.005}}$ (x = 0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1)를 얻었다. 이로 인해 LED 기술의 다양한 색상 조정이 가능해졌다.
4-point focused floating Bone furnace를 이용하여 multiferroic $HoMnO_3$ 단결정을 제조하였으며, 직접합성법으로 $HoMn_{1-x}\;^57Fe_xO_3$ (x=0, 0.01, 0.02, 0.05) 분말 시료를 제조하여 그 결정학적 및 자기적 성질을 연구하였다. 결정구조는 hexagonal 구조로, (110) 방향이 자화용이축 임을 알 수 있었고, 온도 변화에 따른 강유전 상수(dielectric constant $\epsilon$)는 c축과 평행한 방향에서 특이성(anomaly)을 갖는 것으로 나타났다. 이 때 특이성이 나타나는 온도 구간은, c축 방향으로 인가된 자기장 세기에 따라 민감하게 변화함이 관측되고 있어, multiferroic 소자로의 응용 가능성을 제시하고 있다. 한편 Mn 자리에 $^{57}Fe$를 미량 치환한 분말 시료에 대하여 $M\ddot{o}ssbauer$ 분광학적 연구를 수행하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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