Characteristic of Transistor Using Ti-SALICIDE Process and Its Application to Oscillator I,C(I) (티타늄 살리사이드 공정을 이용한 트랜지스터의 특성 및 오실레이터 I.C에의 적용(I))
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.28A no.11
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- pp.910-914
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- 1991