• 대한핵의학회지
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• 제31권3호
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• pp.356-364
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• 1997

분화된 갑상선암의 수술후 경과 관찰에서 암조직의 잔류, 전이, 혹은 재발로 생각하여 치료적 용량의 방사성 옥소를 투여한 30명의 환자를 대상으로 I-131 진단적 스캔과(5mCi 이하), Tc-99m MIBI 스캔, 갑상선호르몬 투여중의 티로글로블린(Tg(on)), 갑상선 호르몬 투여중단 후의 티로글로블린(Tg(off))및 I-131 치료적 용량 스캔을 시행하여 다음의 결과를 얻었다. 1) I-131 진단적 스캔의 양성율이 Tc-99m MIBI 스캔보다 13% 더 논게 나왔다. 2) Tg(on) 혹은 Tc-99m MIBI 스캔의 양성율에 비해 Tg(off) 혹은 I-131 진단적 스캔의 양성율이 Tg(off)의 양성 기준치와 상관없이 Tg(on)이 1.5ng/ml, 5ng/ml시 각각 14%, 18% 더 높았다. 3) Tg(on)의 예민도는 1.5ng/ml, 5ng/ml을 양성기준치로 할 경우 각각 68%, 50%로 나와 양성 기준치를 1.5ng/ml로 할 경우 더 높은 예민도를 보였으며 Tg(off)의 예민도는 양성 기준치를 10ng/m1, 40ng/ml로 할 경우 각각 77%, 59%를 보였다. 4) Tc-99m MIBI 스캔에 양성이면서 I-131 진단적 스캔에 위음성을 보였던 경우도 4예에 해당하였다. 결론적으로, Tc-99m MIBI 스캔은 갑상선 호르몬을 중단하지 않은채 Tg(on)과 함께 측정한다면 갑상선암의 재발을 스크리닝 하면서, Tg(off) 및 I-131 진단적 스캔을 보완할 수 있는 유용한 검사로 생각된다.

• 항공우주기술
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• 제10권1호
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• pp.13-19
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• 2011

수정된 NASA SP-8072 분포 음원 방법 (Method 2)를 이용하여 KSLV-I의 발사 음향 하중을 예측하고, 이 결과를 비행 시험시의 측정 결과와 비교하였다. 2차 비행 시험시에 케이블 마스트의 4개소에서 발사 음향 하중을 측정하였고, 인터스테이지의 텔레메트리 데이터도 입수하여 비교하였다. 예측된 음향 하중 스펙트럼은 측정 스펙트럼과 유사한 피크 주파수 및 형태를 가지며 약 7dB의 안전 여유를 가지고 예측됨을 알 수 있었다.

• 분석과학
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• 제37권1호
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• pp.12-24
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• 2024

In this study, laser-induced breakdown spectroscopy (LIBS) was used to estimate the degree of rice polishing. As-threshed rice seeds were dehusked and polished for different times, and the resulting grains were analyzed using LIBS. Various atomic, ionic, and molecular emissions were identified in the LIBS spectra. Their correlation with the amount of polished-off matter was investigated. Na I and Rb I emission line intensities showed linear sensitivity in the widest range of polished-off-matter amount. Thus, univariate models based on those lines were developed to predict the weight percent of polished-off matter and showed 3-5 % accuracy performances. Partial least squares-regression (PLS-R) was also applied to develop a multivariate model using Si I, Mg I, Ca I, Na I, K I, and Rb I emission lines. It outperformed the univariate models in prediction accuracy (2 %). Our results suggest that LIBS can be a reliable tool for authenticating the degree of rice polishing, which is closed related to nutrition, shelf life, appearance, and commercial value of rice products.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.149-150
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• 2007

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)구조는 기억소자의 전하보유 능력을 향상시키기 위해 도입된 게이트 절연막이다. 본 연구에서는 ELA(Excimer Laser Annealing)방법으로 비정질 실리콘을 결정화 시켜서 그 위에 NVM(Nonvolatile Memory)소자를 만들어 전기적 특성을 측정하여 결과를 나타내었다. 실험 결과 같은 크기의 $V_D$에서 $V_G$를 조절함으로써 $I_D$의 크기를 조절할 수 있었다. $V_G-I_D$ Graph에서는 $I_{on}$과 $I_{off}$, 그리고 Threshold Voltage를 알 수 있었다. $I_{on}/I_{off}$ Ratio는 $10^3-10^4$이다. $V_G-I_D$ Graph에서는 게이트에 인가하는 Bias의 양을 통해서 Threshold Voltage의 크기를 조절할 수 있었다. 이는 Trap되는 Charge의 양을 임의로 조절할 수 있다는 것을 의미하며, 이러한 Programming과 Erasing의 특성을 이용하여 기억소자로서의 역할을 수행하게 된다.

• 한국통신학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1391-1400
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• 1992

본 논문에서는 CCITT에서 ATM 망의 사용 감시 알고리즘에 대한 정확도의 평가 기준으로 고려하고 있는 type-I/II 에러의 평가방법을 제안하였다. 그리고, ON/OFF 트래픽 모델에 대한 LB(leaky bucket)방식의 type-I/II 에러 분석을 통하여 평균 셀률과 최대 셀률을 감시 제어하기 위한 LB파라 미터의 결정방법을 고찰하였다. LB파라미터인 계수기의 감소율 a와 한계치 M은 type-I 에러를 만족하는 a-M 특성곡선을 구한후, 이 중에서 type-II 에러를 만족하면서 반응시간이 최소가 되는 (a, M)의 쌍으로 결정할 수 있음을 제시하였다. 이때, ON/OFF 트래픽에 대한 LB방식의 a-M 특성곡선은 트래픽의 버스트성에 의해 결정되어 짐을 알 수 있었다. 그리고, 성능분석 결과로부터 LB 방식은 최대 셀률에는 비교적 좋은 제어 성능을 가지지만, 평균 셀률 제어에 있어서는 정확도와 반응시간과의 상반관계로 인해 문제가 있음을 알 수 있었다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권5호
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• pp.1654-1659
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• 2014

Tunneling field-effect transistors (TFETs) are very applicable to low standby-power application by their virtues of low off-current ($I_{off}$) and small subthreshold swing (S). However, low on-current ($I_{on}$) of silicon-based TFETs has been pointed out as a drawback. To improve $I_{on}$ of TFET, a gate-all-around (GAA) TFET based on III-V compound semiconductor with InAs/InGaAs/InP multiple-heterojunction structure is proposed and investigated. Its performances have been evaluated with the gallium (Ga) composition (x) for $In_{1-x}Ga_xAs$ in the channel region. According to the simulation results for $I_{on}$, $I_{off}$, S, and on/off current ratio ($I_{on}/I_{off}$), the device adopting $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ channel showed the optimum direct-current (DC) performance, as a result of controlling the Ga fraction. By introducing an n-type InGaAs thin layer near the source end, improved DC characteristics and radio-frequency (RF) performances were obtained due to boosted band-to-band (BTB) tunneling efficiency.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.105-106
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• 2005

The impact ionization MOS (I-MOS) transistor with 50nm channel length is presented by using 2-D device simulator ISE-TCAD. The subthreshold slope cannot be steeper than kT/q since the subthreshold conduction is due to diffusion current. As MOSFETs are scaled down, this problem becomes significant and the subthreshold slope degrades which leads an increase in the off-current and off-state power dissipation. The I-MOS is based on a gated p-i-n structure and the subthreshold conduction is induced by impact ionization. The simulation results show that the subthreshold slope is 11.7 mV/dec and this indicates the I-MOS improves the switching speed and off-state characteristics.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1996년도 한국자동제어학술회의논문집(국내학술편); 포항공과대학교, 포항; 24-26 Oct. 1996
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• pp.164-167
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• 1996

This paper presents an off-line P.I.D parameter estimation method during normal operation in power plant. The process parameters are estimated using the recursive least square method. The controller parameters are estimated on the basis of desired characteristics of the dynamic model of the closed-loop control.

• 한국항공우주학회지
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• 제38권2호
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• pp.160-168
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• 2010

공명 주파수의 음파로 가진된 비예혼합 분류화염에서 가진 강도에 대한 영향을 실험적으로 조사하였다. 이를 위해 Mie 산란광 단면법, PLIF, PIV 등 광학적 가시화 방법이 사용되었다. 가진된 분류화염의 부상경로는 연료유량 및 가진 강도에 따라 크게 세 가지 영역으로 구분되는데, 비교적 큰 가진 강도에서 부상될 때 화염기저가 마치 난류화염처럼 부상되는 영역I과 작은 가진 강도에서 쉽게 부상되는 영역II 그리고 이 두 영역들 사이에서 부상된 화염기저가 부분 예혼합의 분젠화염과 같은 형태로 과도기적 영역이 존재함을 알았다. 본 연구에서는 영역I과 II로 구분되는 부상경로 차이에 대한 이해를 높이고자 가진 위상에 따른 노즐과 화염기저간의 유동 혼합과 속도 분포 특성을 아세톤 PLIF와 PIV 시스템을 사용하여 조사하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제2회(2013년)
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• pp.234-237
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• 2013

본 논문에서는 실리콘 나노선 구조를 갖는 모스펫 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, MOSFETs)과 쇼트키 장벽 트랜지스터 (Schottky-Barrier(SB) MOSFETs, SB-MOSFETs)의 전기적인 특성을 양자역학적 시뮬레이션 계산을 통해 비교하였다. 쇼트키 장벽 높이 (Schottky Barrier, ${\phi}_{SBH}$)에 따른 SB-MOSFETs의 터널링 특성을 분석하고, 소스/드레인 (S/D) 길이가 변함에 따라 달라지는 S/D 저항을 계산하여, ${\phi}_{SBH}$가 0eV인 SB-MOSFETs의 On과 Off $I_D$ 비율 ($I_{ON}/I_{OFF}$)이 MOSFETs보다 개선될 수 있음을 보였다.