Characteristics of Silicon Oxide Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition Using Alternating Exposures of SiH2Cl2 and O3 (SiH2Cl2 와 O3을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성)
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- Korean Journal of Materials Research
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- v.14 no.2
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- pp.90-93
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- 2004