• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.157-157
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• 2011

박막형태로 제작이 가능한 비정질 실리콘은 결정질 실리콘에 비하여 AM-1 (Air Mass 1:100mW/cm2)조건하에서 10-3 S/cm 정도의 높은 광전기전도도와 가시광선 영역($4000{\sim}7000{\AA}$)에서 약 10배의 높은 광흡수계수를 가지며, $300^{\circ}C$ 이하의 낮은 기판온도에서 다양한 기판위에 대면적으로 제작이 가능할 뿐만 아니라 제작공정이 단순하여 제작비용이 저렴하다는 이점이 있다. 본 실험에서 제작된 모든 박막은 PECVD로 증착하였으며 구조는 p-i-n superstrate형 구조를 사용하였고, 각 박막의 두께는 p-a-Si:H/i-a-SiGe:H/n-a-Si:H ($300{\AA}/2000{\AA}/600{\AA}$)으로 고정하였다. a-Si:H (hydrogenated amorphous silicon) 태양전지의 광 흡수층인 i-layer에서의 germane 가스 유량 변화(0, 20, 40. 60, 80, 100 sccm)에 대한 흡수율의 차이를 UV/Vis/Nir spectrophotometer (ultraviolet/visible/near infrared spectrophotometer)를 통해 확인하고, 그에 따른 a-Si:H 박막 태양전지를 제작하여 solar simulator를 사용하여 AM 1.5 G의 환경 조건에서 태양전지 특성을 평가하였다. 그 결과 germane 가스 유량이 증가함에 따라 파장에 대한 absorptance (a.u.)값이 증가함을 알 수 있었으며, 흡수되는 파장영역의 범위가 장파장으로 확대됨을 확인할 수 있었다. 또한 germane 가스 유량이 60 sccm 일때 a-SiGe:H 박막 태양전지 변환효율이 3.80%로 최대값을 가졌다. 실험에서 germane 가스 유량이 증가할수록 흡수율이 높아져 태양전지특성이 향상될 거라 예상 했지만, 100 sccm보다 60 sccm일 때가 단락전류밀도 값과 변환효율이 높다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 각 layer사이에 계면상의 문제가 있을 거라 예상되며 직렬저항측정을 통해 확인할 수 있다.

• 한국가금학회지
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• 제36권1호
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• pp.15-21
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• 2009

본 시험은 양질의 미국산 DDGS를 산란계 사료에 첨가하여 산란계의 생산성, 계란의 품질 및 난황 지질의 총지방 함량과 지방산 조성에 미치는 영양적 가치를 평가하고자 하였다. 또한, 가파르게 상승하고 있는 옥수수와 대두박을 대체할 원료 사료로써의 DDGS의 경제성을 검토하기 위해 실시하였다. 23주령의 Hy-line Brown 계통의 산란계 216수에 DDGS를 각각 0%, 10%, 20%를 첨가한 3가지의 동에너지 (TMEn 2,780 kcal/kg)-동단백질(17%) 사료를 10주간 급이하였다. 실험 설계는 3처리 6반복, 반복당 12수씩을 완전 임의배치하였다. 사료 섭취량, 산란율 및 난생산 사료 요구율 등의 산란 생산성은 모든 처리구 사이에 유의한 차이가 없었다(P>0.05). 실험 사료 급여 후 5주째와 10주째에 측정한 난각색, 난백고 및 Haugh unit는 DDGS 첨가에 의한 영향을 받지 않았다. 난각 무게, 난각 두께, 난각 강도와 같은 난각질에서는 5주째에는 영향을 받지 않았으나, 10주째에는 DDGS 20%구에서 유의하게 감소하였다(P<0.05). 난황색도의 경우 5주째와 10주째 공히 DDGS 0%구에 비해서 DDGS 20%구에서 유의하게 증가하였다(P<0.05). 난황 비율은 DDGS 20%구에서 DDGS 0%구에 비하여 유의하게 감소하였다(P<0.05). 난황의 총 지방 함량은 처리구 사이에 차이가 없었다. 난황의 일가불포화 지방산 함량은 DDGS 첨가에 의하여 감소하였으며, 다가불포화 지방산 함량은 DDGS 20%구에서 유의하게 증가하였다(P<0.05). DDGS 첨가는 난황 지방산의 불포화도에 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 각 처리구별 시험 사료의 kg당 단가는 DDGS 사용량이 증가할수록 저렴하게 나왔다. 계란 1 kg의 생산 비용도 DDGS 10%, DDGS 20%, DDGS 0% 순서로 저렴하게 나타나고 있어서, DDGS가 옥수수-대두박을 대체할 수 있는 경제성이 충분하다고 판단된다. 결론적으로 산란계 사료에서 DDGS를 20%까지 사용 할 경우 생산성의 큰 변화없이 경제성이 대조구보다는 우수하지만, DDGS를 10% 정도 첨가하여 사용하는 것이 더 경제적이라고 사료된다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.1018-1021
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• 2006

Powdered metal parts and components may be carburized successfully in a vacuum furnace by combining carburizing technology $VacCarb^{TM}$ with a hi-tech control system. This approach is different from traditional carburizing methods, because vacuum carburizing is a non-equilibrium process. It is not possible to set the carbon potential as in a traditional carburizing atmosphere and control its composition in order to obtain a desired carburized case. This paper presents test results that demonstrate that vacuum carburizing system $VacCarb^{TM}$ carburized P.M. materials faster than traditional steel with acceptable results. In the experiments conducted, PM samples with the lowest density and open porosity showed a dramatic increase in the surface carbon content up to 2.5%C and a 3 times deeper case. Currently the boost-diffusion technique is applied to control the surface carbon content and distribution in the case. In the first boost step, the flow of the carburizing gas has to be sufficient to saturate the austenite, while avoiding soot deposition and formation of massive carbides. To accomplish this goal, the proper gas flow rate has to be calculated. In the case of P.M. parts, more carbon can be absorbed by the part's surface because of the additional internal surface area created by pores present in the carburized case. This amount will depend on the density of the part, the densification grade of the surface layer and the stage of the surface. "as machined" or "as sintered". It is believed that enhanced gas diffusion after initial evacuation of the P.M. parts leads to faster carburization from within the pores, especially when pores are open . surface "as sintered" and interconnected . low density. A serious problem with vacuum carburizing is delivery of the carbon in a uniform manner to the work pieces. This led to the development of the different methods of carburizing gas circulation such as the pulse/pump method or the pulse/pause technique applied in SECO/WARWICK's $VacCarb^{TM}$ Technology. In both cases, each pressure change may deliver fresh carburizing atmosphere into the pores and leads to faster carburization from within the pores. Since today's control of vacuum carburizing is based largely on empirical results, presented experiments may lead to better understanding and improved control of the process.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.200-200
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• 2010

In recent times, metal oxide semiconductors thin films transistor (TFT), such as zinc and indium based oxide TFTs, have attracted considerable attention because of their several advantageous electrical and optical properties. There are many deposition methods for fabrication of ZnO-based materials such as chemical vapor deposition, RF/DC sputtering and pulsed laser deposition. However, these vacuum process require expensive equipment and result in high manufacturing costs. Also, the methods is difficult to fabricate various multicomponent oxide semiconductor. Recently, several groups report solution processed metal oxide TFTs for low cost and non vacuum process. In this study, we have newly developed solution-processed TFTs based on Ti-related multi-component transparent oxide, i. e., InTiO as the active layer. We propose new multicomponent oxide, Titanium indium oxide(TiInO), to fabricate the high performance TFT through the sol-gel method. We investigated the influence of relative compositions of Ti on the electrical properties. Indium nitrate hydrate [$In(NO^3).xH_2O$] and Titanium isobutoxide [$C_{16}H_{36}O_4Ti$] were dissolved in acetylacetone. Then monoethanolamine (MEA) and acetic acid ($CH_3COOH$) were added to the solution. The molar concentration of indium was kept as 0.1 mol concentration and the amount of Ti was varied according to weighting percent (0, 5, 10%). The complex solutions become clear and homogeneous after stirring for 24 hours. Heavily boron (p+) doped Si wafer with 100nm thermally grown $SiO_2$ serve as the gate and gate dielectric of the TFT, respectively. TiInO thin films were deposited using the sol-gel solution by the spin-coating method. After coating, the films annealed in a tube furnace at $500^{\circ}C$ for 1hour under oxygen ambient. The 5% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.15cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 4.73 V, an on/off current ratio grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.49 V/dec. The 10% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.03\;cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 1.87 V, an on/off current ration grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.67 V/dec.

• KSBB Journal
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• 제15권2호
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• pp.150-155
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• 2000

본 연구는 Streptomyces sp. BH-405의 배양액으로부터 유기용매로 추출하여 지질과 산화에 대한 항산화 효과를 실험하였다. Streptomyces sp. BH-405의 배양액을 ethylether로 추출한 후 silica gel column(100$\times$10 cm) chromatography로 분획한 획분을 POV로 측정한 결과 fraction 3에서 향산화 활성이 가장 높았다. 항산화 활성이 높은 fraction 3 획분을 다시 preparative TLC와 column chromatography로 더욱 정제하여 band 2를 얻었다. Band 2의 항산화 효과를 알아보기 위해 기존의 항산화제와 비교한 결과 이-$\alpha$-tocopherol, BHA보다 산화억제 효과가 높았으며 DPPH에 의한 수소 공여능은 실험결과가 우수하였다. 한편 band 2는 쥐 간의 microsome에 있어서 유리기의 소거기능이 있었고 NADPH 및 Fenton 시액에 위한 효소적 과산화 지질의 생성을 억제하였다. 그리고 mitochondria와 리놀산의 과산화 유도계에서도 지질의 과산화 과정에 생성하는 유리기의 형성을 차단하였다. 결론적으로 Streptomyces sp. BH-405의 배양액에서 얻은 획분인 band 2는 산화를 억제하는 활성이 있었다.

• 청정기술
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• 제24권4호
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• pp.269-274
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• 2018

본 연구에서는 물티슈 제조공정에 대한 전과정평가를 수행하였다. 물티슈 제조공정은 약액을 조제하여 부직포 원단에 투여하고 포장하는 단계로 이루어진다. 특정 업체의 실제 공정을 대상으로 투입 산출물 데이터를 수집하였고, 환경부와 해외 LCI DB를 활용하여 상 하위 흐름을 연결하여 이 공정에 대한 잠재적인 환경영향을 산출하였다. 특성화 결과, 오존층파괴 3.46.E-06 kg $CFC_{11}$, 산성화 5.11.E-01 kg $SO_2$, 자원고갈 $3.52.E+00\;1yr^{-1}$, 지구온난화 1.04.E+02 kg $CO_2$, 부영양화 2.31.E-02 kg ${PO_4}^{3-}$, 광화학산화물생성 2.22.E-02 kg $C_2H_4$, 인간독성 1.55.E+00 kg 1,4 DCB, 생태독성 5.82.E-04 kg 1,4 DCB로 나타났다. 일반적으로 제조공정의 환경영향을 줄이기 위해 공정을 개선하거나 환경영향이 적은 원자재와 포장재로 변경하는 등의 방법이 있다. LCA 결과, 공정에 사용되는 에너지가 주요이슈로 도출되었기 때문에 에너지 효율을 개선한 공정시스템 설계나 환경영향이 낮은 에너지원으로 변경하는 등의 방안이 필요하다. LCA의 특성상 이 연구결과는 사용된 LCI DB 종류에 따라 달라질 수 있고 모든 물티슈 제조공정을 대표할 수 없다.

• 한국진공학회지
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• 제7권3호
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• pp.195-200
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• 1998

본 연구에서는 강유전체 박막의 게이트 산화물로 사용한 $Pt/SrBi_2Ta_2O_9(SBT)/CeO_2/Si(MFS)$와 Pt/SBT/Si(MFS) 구조의 결정 구조 및 전기적 성질 의 차이를 연구하였다. XRD 및 SEM 측정 결과 SBT/$CeO_2$/Si박막은 약5nm정도의 $SiO_2$층 이 형성되었고 비교적 평탄한 계면의 미세구조를 가지는 반면, SBT/Si는 각각 약6nm와 7nm정도의 $SiO_2$층과 비정질 중간상층이 형성되었음을 알 수 있다. 즉 CeO2 박막을 완충층 으로 사용함으로써 SBT박막과 Si기판의 상호 반응을 적절히 억제할 수 있음을 확인하였다. Pt/SBT/$CeO_2/Pt/SiO_2$/와 Pt/SBT/Pt/$SiO_2$/Si구조에서 Polarization-Electric field(P-E) 특 성을 비교해 본 결과 CeO2박막의 첨가에 따라 잔류분극값은 감소하였고 항전계값은 증가하 였다. MFIS구조에서 memory window값은 항전계값과 직접적 관련이 있으므로 이러한 항 전계값의 증가는 MFIS구조에서의 memory window값이 증가할 수 있음을 나타낸다. Pt-SBT(140nm)/$CeO_2$(25nm)/Si구조에서 Capacitance-Voltage(C-V) 측정 결과로부터 동작 전압 4-6V에서 memory wondows가 1-2V정도로 나타났다. SBT박막의 두께가 증가할수록 memory window값은 증가하였는데 memory wondows가 1-2V정도로 나타났다. SBT박막의 두께가 증가할수록 memory window값은 증가하였는데 이는 SBT박막에 걸리는 전압강하가 증가하기 때문인 것으로 생각되어진다. Pt/SBT/$CeO_2$/Si의 누설전류는 10-8A/cm2정도였고 Pt/SBT/Si 구조에서는 약10-6A/cm2정도로 약간 높은 값을 나타내었다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제54권11호
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• pp.3975-3984
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• 2022

Distributed control system architecture is adopted for I&C systems of Prototype Fast Breeder Reactor, where the geographically distributed control systems are connected to centralized servers & display stations via switched Ethernet networks. TCP/IP communication plays a significant role in the successful operations of this architecture. The communication tasks at control nodes are taken care by TCP/IP offload modules; local area switched network is realized using layer-2/3 switches, which are finally connected to network interfaces of centralized servers & display stations. Safety, security, reliability, and fault tolerance of control systems used for safety-related applications of nuclear power plants is ensured by indigenous design and qualification as per guidelines laid down by regulatory authorities. In the case of commercially available components, appropriate suitability analysis is required for getting the operation clearances from regulatory authorities. This paper details the proposed approach for the suitability analysis of TCP/IP communication nodes, including control systems at the field, network switches, and servers/display stations. Development of test platform using commercially available tools and diagnostics software engineered for control nodes/display stations are described. Each TCP link behavior with impaired packets and multiple traffic loads is described, followed by benchmarking of the network switch's routing characteristics and security features.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권2호
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• pp.37-43
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• 1999

대용량, 고속 정보처리가 요구되는 시스템의 모듈은 데이터 처리의 고속성 및 회로의 고집적이 가능한 MCM의 형태로 구현되어 ATM, GPS 및 PCS 등의 분야에 광범위하게 응용되고 있다. 3개의 칩으로 구성되고 2.48 Gbps의 데이터 처리용량을 가지는 ATM Switching 모듈을 기판 Size 48$\times$48mm2, Cu/PhotoBCB를 이용한 10 Multi-Layer 그리고 491 Pin PBGA 형태의 MCM을 개발하였다. MCM 개발을 위해 요구되는 기술로는 고속신호 특성구현을 위해 Interconnect Characterization을 통한 기판/ 패키지의 설계 파라미터 추출, 고밀도 MCM 에서의 방열처리 그리고 MCM 개발의 가장 난점중의 하나인 시험성 확보를 들 수 있다. ATM Switching MCM 개발을 위해 MCM-D 기판에서의 Interconnect Characterization을 통한 신호지연, 비아특성, 신호간섭(Cross-talk) 파라미터 등을 추출하였다. 고집적 구조에서 15.6Watt의 방열처리를 위해 열 해석을 진행하고 기판에 열 비아 1.108개를 형성하고 패키지 전체에 $85^{\circ}C$ 이하 유지조건의 방열처리를 하였다. 마지막으로 시험성 확보를 위해 미세 간격 프로빙을 통한 기판 검증 및 복잡한 패키지/어셈블리 공정검증을 위해 Boundary Scan Test(BST)를 적용하여 효과적이고 비용 절감형의 제품을 개발하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권9호
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• pp.851-856
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• 2002

산화몰리브덴($MoO_3$)이 첨가된 산화크롬 용사코팅층을 제조하여 산화몰리브덴의 첨가에 따른 고온(450$^{\circ}C$)에서의 플라즈마 용사코팅층에 마찰, 마멸특성을 조사하였다. 마찰, 마멸 특성에 대한 실험을 위하여 왕복동 마멸시험장치를 사용하였다. TEM을 이용하여 코팅층의 미세 구조와 각 상들의 조성을 살펴보았다. 분석 결과에 의하면 산화몰리브덴이 입계로 분산되어 있어 코팅층의 경도와 밀도의 증가가 발생하였다. 마멸시험후 마멸면의 물리적 변화와 화학적 조성의 변화를 SEM와 XPS를 통하여 살펴보았다. 산화몰리브덴이 첨가된 코팅층에서 마찰계수의 감소를 관찰할 수 있었다. 산화몰리브덴이 첨가된 코팅의 마멸된 표면에 마찰, 마멸에 유리한 보호막의 형성이 광범위하게 일어남을 알 수 있었다. 이러한 보호막에 몰리브덴이 산화몰리브덴의 형태로 존재하는 것을 XPS 분석을 통하여 알 수 있었다. 보호막에 산화몰리브덴의 존재가 마찰계수를 감소시키는 것으로 생각된다.