• 한국농림기상학회지
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• 제14권3호
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• pp.108-118
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• 2012

본 연구는 기후변화 하에서 우리나라 기후와 산림토양에 적합한 수종을 개발하기 위해서, 상부 개방형 온실(Open Top Chamber)을 이용하여, $CO_2$ 농도를 대기보다 1.4배와 1.8배 증가시킨 상태에서, 질소 농도에 따른 백합나무의 생리적 반응을 조사하고자 실시하였다. 백합나무 유묘의 건중량은 모든 $CO_2$ 농도 하에서, 질소 시비량의 증가와 함께 증가하였다. 그러나 $CO_2$ 농도 증가에 따른 백합나무 건중량 변화는 질소 시비 농도에 따라 다른 결과를 보였다. 총 엽록소와 카로테노이드 함량은 모든 질소 시비구에서 $CO_2$ 농도 증가와 함께 증가하였으나, 질소 시비에 대한 효과는 $CO_2$ 농도에 따라 차이가 있었다. 백합나무의 광합성 특성은 $CO_2$ 측정 농도, $CO_2$ 처리 농도 및 질소 시비 농도에 따라 차이를 보였으며, 기공전도도와 증산속도는 $CO_2$ 처리에 의해 증가하였다. 백합나무의 탄소고정효율은 $CO_2$ 농도 증가와 함께 증가하는 경향을 보였으나, 질소 시비구에서는 $CO_2$ 농도 증가에 의해 오히려 감소하였다. 백합나무의 잎, 줄기, 뿌리에 축적된 질소와 탄소 함량은 $CO_2$ 증가와 질소 시비와 함께 증가하였다. 결론적으로 $CO_2$ 농도가 높은 상태에서 백합나무의 생리적 특성과 탄소 흡수 능력은 질소 시비에 의해서 개선되거나 증가하였지만, $CO_2$ 농도에 따라 크게 영향을 받았다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제35권2호
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• pp.140-145
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• 2024

High temperature co-electrolysis of H₂O-CO₂ mixtures using solid oxide cells has attracted attention as promising CO₂ utilization technology for production of syngas (H₂/CO), feedstock for E-fuel synthesis. For direct supply to E-fuel production such as hydrocarbon and methanol, the outlet gas ratio (H₂/CO/CO₂) of co-electrolysis should be controlled. In this work, current voltage characteristic test and product gas analysis were carried out under various reaction conditions which could attain proper syngas ratio.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.908-913
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• 2000

CoSi$_2$/p+/n diodes(bilayer diodes) were fabricated by using epitaxial CoSi$_2$grown from Co/Ti bilayer as a diffusion source. The I-V characteristics of p+/n diodes were measured and compared with those of diode made from Co monolayer (monolayer diode). Monolayer diodes showed typical p+n junction characteristics with the leakage current of as low as 10$^{-12}$ A and forward current 6-orders higher than the leakage current, when drive-in annealed at 90$0^{\circ}C$ for 20 sec.. On the other hand, bilayer diodes showed the Schottky-like behaviors with forward currents rather higher than those of monolyer diodes, but with too high leakage currents, when drive-in annealed at $700^{\circ}C$ or higher. However, when the annealing temperature was lowered to $700^{\circ}C$ and annealing time was increased to 60 sec., the leakage current was reduced to 10$^{-11}$ A and thus sho3wed typical diode characteristics. The high leakage currents for diodes annealed at $700^{\circ}C$ or higher was attributed to Shannon contacts formed due to unremoved Co-Ti-Si precipitates. But when annealed at 50$0^{\circ}C$, B ions diffused in the direction of the surface layer, and thus the leakage currents were reduced by removing Shannon contacts.

• 한국재료학회지
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• 제13권5호
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• pp.279-284
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• 2003

The $CoSi_2$ process is widely employed in a salicide as well as an ohmic layer process. In this experiment, we investigated the characteristics of $CoSi_2$ films by combinations of I-type (TiN 100$\AA$/Co 150$\AA$), II-type(TiN 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 50$\AA$), III-type(Ti 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 50$\AA$), and IV-type(Ti 100$\AA$/Co 150$\AA$/Ti 100$\AA$). Sheet resistances of $CoSi_2$ show the lowest resistance with 2.9 $\Omega$/sq. in a TiN/Co condition and much higher resistances in conditions simultaneously applying Ti capping layers and Ti interlayers. Though we couldn't observe a $CoSi_2$roughness dependence on the film stacks from RMS values, Ti capping layers turned into 78∼94$\AA$ thick TiN layers of (200) preferred orientation at $N_2$ambient. In addition, Ti interlayers helped to form the epitaxial $CoSi_2$with (200) preferred orientation and ternary compounds of Co-Ti-Si. We propose that film structures of II-type and III-type may be appropriate in the salicide process and the ohmic layer process from the viewpoint of Co diffusion kinetics and the CoSi$_2$epitaxy.

• 한국결정학회지
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• 제18권1_2호
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• pp.21-25
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• 2007

Dipyridyl 리간드 L'(N,N'-bis-(1-pyridin-4-yl-ethylidene)-naphthalene-1,5-diamine)을 함유한 $CH_2Cl_2$ 용액을 $Co(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$을 함유한 MeOH 용액 위에 깔았을 때, 배위 고분자가 아닌, 분자성 코발트 화합물 [$CoL_2(MeOH)(NO_3)_2$] (1)이 형성되었다. 화합물 1의 X-ray 구조 분석 결과, 이 화합물은 pyridyl-amine 리간드 L(N1-(4-Imino-1-methyl-but-2-enylidene)-naphthalene-1,5-diamine)을 함유하고 있었다. 반응 중에 리간드 L'이 리간드 L로 가수분해되었다는 것을 화합물 1의 구조가 강하게 암시하고 있다.

• Environmental Engineering Research
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• 제23권2호
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• pp.216-222
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• 2018

The growth characteristics of Spirulina platensis were investigated using four photo-bioreactors with $CO_2$-mixed air flows. Each reactor was operated under a specific condition: 3% $CO_2$ at 50 mL/min, 3% $CO_2$ at 150 mL/min, 6% $CO_2$ at 50 mL/min, and 6% CO2 at 150 mL/min. The 3% $CO_2$ at 150 mL/min condition produced the highest algal growth rate, while the 6% $CO_2$ at 150 mL/min conditioned produced the lowest. The algal growth performance was suitably assessed by the linear growth curve rather than the exponential growth. The medium pH decreased from 9.5 to 8.7-8.8 (3% $CO_2$) and 8.4-8.5 (6% $CO_2$), of which trends were predicted only by the pH-carbonate equilibrium and the reaction kinetics between dissolved $CO_2$ and $HCO_3{^-}$. Based on the stoichiometry between the nutrient amounts and cell elements, it was predicted that depleted nitrogen (N) at the early stage of the cultivation would reduce the algal growth rates due to nutrient starvation. In this study, use of the photobioreactors capable of good light energy distribution, proper ranges of $CO_2$ in bubbles and medium pH facilitated production of high amounts of algal biomass despite N limitation.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1581-1584
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• 2008

버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 $n^+/p^+$ 중첩 및 실리사이드/폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이오드 형성은 $CoSi_2$의 열적 응집 현상에 의한 $CoSi_2$ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 $n^+/p^+$ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, $CoSi_2$ 형성 전 질소 이온을 $p^+$ 영역에 주입 시켜 $CoSi_2$의 응집현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권1호
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• pp.82-87
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• 2008

Methane의 부분산화에 의하여 일산화탄소를 발생시키고 이를 이용하여 온실가스로 알려져 있는 $N_2O$를 분해시키기 위한 이중 촉매 반응시스템의 반응 특성을 살펴보았다. 일산화탄소를 발생시키기 위한 제1 반응기의 조건은 Co-Rh-Al (1/0.2/1) 촉매를 사용할 때 $500^{\circ}C$의 온도에서 methane과 산소의 비율이 5:1이고 GHSV $8,000h^{-1}$ 일때 가장 적합하였다. 제1 반응기에서 methane을 부분산화시켜 얻은 혼합 가스를 사용하는 이중 반응시스템에서 제2 반응기에 촉매로 Co-Rh-Al(1/0.2/1)과 Co-Rh-Zr-Al(1/0.2/0.3/1)을 사용한 경우 Co-Rh-Al(1/0.2/1) 촉매를 사용한 single bed system 보다 $250^{\circ}C$ 이하의 저온에서 우수한 분해성능을 나타내었다. 두 경우 모두 $250^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 $N_2O$가 100% 분해되었다. 또한, 제2 반응기에서 $N_2O$ 분해성능은 NO의 존재 유무에 관계없이 산소의 농도가 증가할수록 감소함을 보여주었다. 다만 NO가 존재할 경우 산소의 농도가 10,000 ppm 이하일 때 100% 분해율을 보이며 그 이상일 경우 급격히 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.242-245
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• 1997

Co single layer and Co/Ti used to form a CoSi$_2$ contact. We fabricated the n+/p diodes with this CoSi$_2$ contact as diffusion source of As. The diodes wish CoSi$_2$ formed by Co/ri bilayer had more Bo7d electrical characteristics than CoSi$_2$ formed by Co single layer. This shows that the flatness of interface which is a parameters to affect the diodes\` electrical characteristics. And the electrical characteristics of diodes are more good when the second thermal activation processing temperature was low as much as 50$0^{\circ}C$ than the temperature high over than 80$0^{\circ}C$, it was thought as that the silicide was degradated at high temperature.

• 멤브레인
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• 제11권3호
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• pp.116-123
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• 2001

Polyimide-silica 하이브리드막을 제조하고 silica 함량이 막의 구조적 특성과 기체의 투과특성에 미치는 영향을 연구하였다. 하이브리드막은 N,N`-dimethyl acetamide(DMAc) 용매 속에서 1,2,4,5-benzenetetracarboxylicdianhydride(PMDA)와 4,4`-diaminodiphenyl oxide(ODA) 및 tetraethyoxysilane(TEOS)를 출발물질로 하여 졸-겔 공정으로 제조하였다. 제조한 막은 FT-IR, EDX, TGA 및 SEM에 의하여 구조적 특성을 분석하고, $25^{\circ}C$에서 ${N_2}, {O_2}, {H_2}, {CO_2} 및 ${CH_4}$ 기체에 대한 투과특성을 조사하였다. 하이브리드막은 높은 열적 안정성을 나타내었으며, polymide matrix에 silica입자가 균일하게 분포되어 있었고 silica 함량이 증가할수록 silica 입자의 크기가 증가하였다. 기체의 투과도계수는 silica 함량이 증가할수록 증가하였으나, 확산계수는 silica 함량에 무관하게 거의 일정하였다. 따라서 하이브리드막에 의한 투과도계수의 증가는 용해도계수가 증가하기 때문으로 생각되었다. 이들 기체에 대한 투과도계사구 증가함에도 불구하고, ${H_2}/{N_2}, ${H_2}/{O_2}와 ${H_2}/{CO_2}의 선택도가 증가하였다.