평균입경 25$\mu m$의 Si조대분말에 소결조제의 조성과 양을 변화시켜 질화반응 질화규소 (RBSN)세라믹스를 제조할 때 나타나는 치밀화 거동, 미세구조의 발달 및 기계적 특성에 대하여 고찰하였다. 6wt% $Y_2O_3$ + 1wt% $Al_2O_3$(6YlA)의 소결조제를 첨가한 경우에는 치밀화를 이루지 못하였으나, 6wt% $Y_2O_3+3\;wt%\;Al_2O_3+2\;wt%\;SiO_2(6Y3A2S)$와 9wt% $Y_2O_3$+1.5wt% $A1_2O_3$+ 3w% $SiO_2$(9Yl.5A3S)의 소결조제를 첨가하여 이론밀도에 가까운 치밀화를 이루었다. $1900^{\circ}C$에서 소결한 6Y3A2S시편의 경우, 960MPa의 높은 파괴강도값과 $6.5MPa.m^{1/2}$의 파괴인성값을 얻었다.
Cosmetic industries have recently developed sun-block products, which are composed of W/O or O/W emulsion system. It was very difficult for waterproofing product to show the stability in W/O emulsion with $TiO_{2}$. To enhance the stability of W/O emulsion, it needs to be combined with the water and oil soluble components as the gelling agents. The emulsifiers used in W/O were 3.0% of cetyl dimethicone copolyol, 2.0% of sorbitan sesquioleate as the basic emulsifiers, and 0.6% of quaternium-18 bentonite and 1.5% of dextrin palmitate as stabilizer were used. The content of titanium dioxide was optimized up to 8.0%. Titanium dioxide was used as the UV scattering powder coated with $Al_{2}O_{3}$(UV-sperse T40/TN). The sunscreen cream prepared with W/O emulsion system by using QB and DP showed higher stability than that of W/O emulsion system by using each QB and DP. W/O emulsion from Formula 3 for passing one year was very durable more than F1 and F2. Within W/O emulsion by observing F1, F2 and F3 for one year, F3 was more excellent than F2 and F3 when they were observed at RT, $4^{\circ}C$, $40^{\circ}C$, because F3 used the mixed QB and DP in W/O emulsion. The zeta potential for F1, F2, and F3 after one year were 21, 30 and 43, respectively. From these result F3 was found best stable emulsion. The in-vitro SPF value for F3 was 35 for the initial product at room temperature and also, the in-vitro SPF values of F3 was 32 for after one year. Finally, the mean in-vivo SPF value of 10 volunteers for F3 was 27.3 by the Korea cosmetic association made the rules of SPF.
In this experiment, A1$_2$O$_3$ thick films were prepared by electrophoretic method using A1$_2$O$_3$ fine Powder of which composition were FA-5-500 and FA-5-900. The growth behavior of A1$_2$O$_3$ thick films were characterized as preparation conditions, such as applied voltage, deposition time and adding conditions. As a result, A1$_2$O$_3$ thick films were successfully fabricated by electrophoretic method on molybdnum plate in which etanol and distilled used were used as a solvent. Deposition conditions for good uniformity of the A1$_2$O$_3$ thick films were applied voltage of 60volts, deposition time of 2 seconds, heat treatment at 1$700^{\circ}C$ for 5 minutes.
Effects of PbTiO3 addition on dielectric properties and extent of PbO loss in Nd-doped Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 system were investigated. As the proportion of dopping increased, the phase transition temperature shifted to low region, and the dielectric constant at room temperature decreased rapidly. But as the proportion of PbTiO3 increased, the phase transition temperature shifted to high retion, and the dielectric constant at room temperature increased. The substitution of Nd3+ for Pb2+ decreased the amount of PbO evaporation, therefore the sample sintered well in case of only 1 mole% adding excess PbO.
A proposed way to prepare $YBa_2Cu_3O_y$ wires or tapes is that Ag is used as substrate and melting point of $YBa_2Cu_3O_y$ is decreased to lower than the melting point of silver ($961\;^{\circ}C$). Therefore after the deposition of $YBa_2Cu_3O_y$ film on Ag substrate, the heat treatment can be carried out below the Ag melting point. Silver (Ag) and Lead oxide(PbO) were selected to be additives for $YBa_2Cu_3O_y$. Different Ag and PbO contents were added in $YBa_2Cu_3O_y$, the melting points of which were measured by DTA. In order to guarantee that the superconductivity of $YBa_2Cu_3O_y$ was not reduced after Ag and PbO added into $YBa_2Cu_3O_y$, their superconductivities were measured. It is proved that as additives, both Ag and PbO can reduce the melting point of $YBa_2Cu_3O_y$. For Ag doped $YBa_2Cu_3O_y$, $T_c$ is about 93K and ${\Delta}Tc$ is $2{\sim}3K$. For PbO doped $YBa_2Cu_3O_y$, $T_c$ is $88K{\sim}92K$ and ${\Delta}T_c$ is $11{\sim}12K$. When 10 wt% of Ag and 10 wt% PbO were added in $YBa_2Cu_3O_y$, the melting point of the mixture of $YBa_2Cu_3O_y$ (80 wt%), Ag (10 wt%) and PbO (l0 wt%) is $943^{\circ}C$. The transition temperatures ($T_c$) of the sample is 91.8 K.
Thin films of $Bi_4Ti_3O_{12}\;nBaTiO_3(n=1&2)$ were prepared using sols erived Ba-Bi-Ti complex alkoxides. The sols were spin-cast onto $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates and followed by pyrolysis for 1 hr at $620^{\circ}C,\;700^{\circ}C\;and\;750^{\circ}C$ In the thin films a pyrochlore phase seemed to be formed at a lower temperature and then tran-formed to the layered perovskite phase as the heating temperature increased. In the thin films pyrolyzed at formed to the layered perovskte phase as the heating temperature increased. In the films pyrolyzed at $750^{\circ}C$ the amount of $Bi_4Ti_3O_{12}{\cdot}BaTiO_3$ reached to 94% while $Bi_4Ti_3O_{12}{\cdot}BaTiO_3$ was 77% in composition. This result shows that the formation of the layered pervoskite phase becomes difficult as the amount of complexing $BaTiO_3$ increases. The microstructures and the electrical properties of the thin films were gen-erally improved with the incease of the heating temperature. However the presence of the pyrochlore phase could not be removed effectively. Our study showed that the electrical properties of $Bi_4Ti_3O_{12}{\cdot}BaTiO_3$ were pronouncedly improved with complexing with BaTiO3 when compared to those of $Bi_4Ti_3O_{12}$ while the presence of the pyrochlore phase was detrimental to the those of $Bi_4Ti_3O_{12}{\cdot}2BaTiO_3$.
Sintering characteristics and dielectric properties of low temperature sinterable Glass/Ceramic dielectric materials were investigated. The dielectric materials which were developed for microwave frequency applications consist of SiO2-TiO2-Bi2O3-RO system(RO:BaO-CaO-SrO) crystallizable glass and Al2O3 as a ceramic filler. Sintering experiments showed that no more densification occurred above 80$0^{\circ}C$ and bulk density and shrinkage depended on Al2O3 content only. Results of dielectric measurements showed that $\varepsilon$r Q$\times$f and $\tau$f of the material containing 30wt% Al2O3 were 17.3, 600 and +23 ppm respectively. Those values for 45 and 60wt% Al2O3 samples were 11.6, 1400, +0.7 ppm and 7.2, 2000, -8.5 ppm, repectively. The results clearly showed that the Glas/Ceramic materials of present experiment decreased in $\varepsilon$r and increased in $\times$f value and changed from positive to negative value in $\tau$f value with the increasement of Al2O3 content.
The layered lithium-manganese oxide ($Li_2MnO_3$) as a cathode material of lithium ion secondary batteries was prepared and characterized the physico-chemical and electrochemical properties. The morphological and structural changes of MnO(OH) and $Li_2MnO_3$ are closely connected to the changes of electrochemical properties. The crystallinity of $Li_2MnO_3$ is enhanced as the annealing temperature increase, but its capacity is reduced due to the easier structural changes of less crystalline $Li_2MnO_3$ than highly crystalline one. Moreover, the addition of buffer material such as MnO(OH) into cathode causes to reduce the morphological and structural changes of layered $Li_2MnO_3$ and increase the discharge capacity and cycleability.
본 논문에서는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계 및 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계의 반사율과 유전특성을 $TiO_2$의 양에 따라 조사하였다. 반사율은 $TiO_2$ 함량이 증가함에 따랴 감소하였다 여기서 $P_2O_5$-ZnO-BaO계는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 더 낮은 반사율을 나타내었으며, 유전상수는 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계가 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 높았다. 두 계 모두 유전상수는 $TiO_2$의 양에 따라 증가하는 특성을 보였다. 이 결과는 높은 반사율과 항복특성이 요구되는 PDP디스플레이의 후면 유전층에 적용할 수 있을 것으로 생각된다.
Pyroelectric properties, figure of merits, and the other properties of the Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 system, as expected to have excellent pyroelectric properties in the operating temperature range of pyroelectric type infrared sensor, were investigated. In the Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 system, suppression of the pyrochlore phase depended on sintering condition, as like sintering temperature, holding time, sintering atmosphere. The specimen, sintered by the same composition atmosphere powder at 105$0^{\circ}C$ for 1.5h, possessed the best physical property. It was found that the piezoelectric parameters were mainly depended on the amount of spontaneous polarization and then the 0.2PZN-0.8PFN showed the best pyro- and piezoelectric properties. In terms of the experimental method, two pyroelectric-testing methods, i.e. static and dynamic methods, had a same tendency. Also the result of pyroelectric testing by the static method indicated that the diffuse phase transitiion resulted in the temperature difference of phase transition between dielectric constant and pyroelectric coefficient.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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