• 자원리싸이클링
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• 제11권2호
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• pp.3-13
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• 2002

본 연구에서는 시안 성분을 제거함에 있어 처리수의 재활용이 가능한 과산화수소에 의한 시안분해 특성을 규명하기 위한 실험을 수행하였다. 수용액중의 과산화수소의 자가분해반응은 pH와 금속촉매(Cu) 유무에 크게 좌우된다. pH 10 이하에서는 자가분해반응은 미미하여 90%이상의 과산화수소가 잔류하지만 pH 12에서는 90경과시 잔류 과산화수소가 9%이하로 낮아졌다. 금속촉매 첨가(5 g Cu/L)한 경우 pH 12에서도 40분 경과후 대부분의 과산화수소가 분해되었다. 유리시안의 휘발성은 용액의 pH에 크게 좌우된다. 동일한 240분 경과시 pH 8이하에서 대부분의 시안이 휘발하는데 반하여 pH 10이상에서는 10%미만이 휘발하였다. 비촉매반응에 의한 과산화수소의 시안분해실험에서는 $H_2$$O_2$/CN 몰비 4까지 과다하게 증가하여도 8%가량의 시안이 잔류하였다. 그러나 구리촉매반응에 의한 과산화수소의 시안분해 실험에서는 과산화수소 및 구리 첨가량이 증가함에 따라 분해속도가 증가하였다. 그러나 일정량 이상 첨가시 과산화수소의 자체분해 반응에 의해 $H_2$$O_2$의 시안분해 효율이 감소하며 과산화수소와 구리의 적정투입량은$ H_2$$O_2$/CN 몰비 2, Cu 몰비 0.05로서 이때의 분해속도는 22 mM/min, $H_2O$$_2$효율은 57%이었다. 또한 이러한 적정조건에서 70분 반응시 완전제거가 가능하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제28권6호
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• pp.386-392
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• 1995

The RF planar magnetron sputtering technique was used to fabricate uniform ZnO/$SiO_2$/Si thin films at high growth rate. A detailed crystallographic character of these thin films has been carried oct using XRD, XRC, and SEM. These thin films have the configuration of c-axis orientation perpendicular to $SiO_2$/ Si substrate. The dependence of the thickness of ZnO/$SiO_2$/Si films on applied RF power parameters was also investigated. The crystallinity of films was improved as the substrate temperature was high, RF input power increased, and Ar/$O_2$ ratio decreased. Also, most of ZnO films fabricated on $SiO_2$/Si were suitable for SAW filter since a standard deviation of XRC (002) peak was less than $6^{\circ}$. The presence of the $SiO_2$ layer has a beneficial effect on the crystalline quality of the grown ZnO films.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1236-1238
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• 1994

TiAlN thin films were prepared by a multi target r.f magnetron sputtering system under different conditions. We have investigated the resistivity and T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) characteristics of TiAlN films deposited on $Al_2O_3$ and glass substrates by sputtering in an $Ar:N_2$ gas mixture. We used Al and Ti metal as Target Material and $Ar:N_2$ gas as working gas. We varied the partial pressure ratio of $N_2/Ar$ from 0.2/7 to 1.0/6.2 (SCCM). And the R.F power of Ti and Al Target also were varied as 160/240, 200/200 and 240/160(W). In this experiment, we can get the precision thin film resistor with a very low T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) below 25 ppm ${\Omega}/^{\circ}C$.

• 센서학회지
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• 제9권1호
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• pp.83-89
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• 2000

TFELD의 절연층으로 사용하기 위해 ITO 유리위에 BST박막을 rf 마그네트론 스퍼터링법으로 증착시켰다. $O_2/(Ar+O_2)$의 혼합비는 10%, 기판온도는 상온에서 $500^{\circ}C$까지 변화를 주었고, 분위기압은 5 mTorr에서 30 mTorr까지 변화시켰다. 다양한 증착조건에서 성장된 BST박막의 전기적, 광학적, 구조적 및 화학량론적인 특성을 조사하였다. BST박막성장의 최적조건은 기판온도 $400^{\circ}C$, 분위기압 30 mTorr에서 구할 수 있었다. 주파수 1 kHz에서 비유전율은 254였고, 누설전류밀도는 5 MV/cm의 전계에서 $3.3{\times}10^{-7}\;A/cm^2$이하로 나타났으며, 가시광영역에서 광투과율은 82%였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제36권11호
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• pp.1211-1216
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• 1999

TiO2 thin films were prepared by reactive magnetron sputtering on glass substrate and subjected into investigation about their hydrophilic properties. Varing Ar/O2 ration and post annealing at 50$0^{\circ}C$ for 12h anatase and rutile phases of TiO2 films were obtained. Hydrophilic properties were evaluated by determination of contact angle of water droplet on TiO2 surface. On as-annealed TiO2 films water droplet spreaded widely with ~0$^{\circ}$contact angle. Sonication(60 Hz, 28kHz 40kHz) and following dark room treatments turned these hydrophilic TiO2 films into hydrophobic state. All of hydrophobic films were converted recersibly into their original state after UV illumination. Hydrophobic states of anatase films were saturated after sonication and remain same during dark room treatment. But it was found that the conversion into hydrophobic state of rutile films progressed. further after sonication. Therefore it was concluded that Ti3+/Ti+4 ratio is the key to determine hydrophilicity of TiO2 surface so that different surface structure of polymorphs could lead to unique characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.283-283
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• 2007

Titanium nitride thin films were deposited on $SiO_2$/Si substrate by rf-reactive magnetron sputtering. The structural and electrical properties of the films were investigated with various $N_2/(Ar+N_2)$ flow ratios (nitrogen/argon flow ratio). The resistivity as well as temperature coefficient of resistance (TCR) of the films strongly depends on phase structure. For the films deposited at nitrogen/argon flow ratio of below 5%, the resistivity increased with increasing nitrogen/argon flow ratios. However, the resistivity of the film deposited at nitrogen/argon flow ratio of 7% decreased drastically; it is even smaller than that of metal titanium nitride. A near-zero TCR value of approximately 9 ppm/K was observed for films deposited at nitrogen/argon flow ratio of 3%.

• 한국세라믹학회지
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• 제51권3호
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• pp.190-196
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• 2014

Flexible $TiO_2$ films were deposited as dielectric materials for high-energy-density capacitors on polyethylene terephthalate (PET) substrates using a roll-to-roll sputtering method. Both the growth behavior and electrical properties of the flexible $TiO_2$ films were dependent on the sputtering pressure and $O_2$/Ar gas ratio during the sputtering process. All $TiO_2$ films had an amorphous structure regardless of the sputtering conditions due to the low substrate temperature. Microstructural characteristics such as the surface morphology and roughness of the films degraded with an increase in the sputtering pressure and $O_2$ gas concentration. The $TiO_2$ films deposited at a low pressure showed better electrical properties than those of films deposited at a high pressure. The $TiO_2$ films prepared at 10 mTorr exhibited a dielectric constant of approximately 90 at 1 kHz and a leakage current density of $5{\sim}6{\times}10^{-7}A/cm^2$ at 3 MV/cm.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2007년도 추계 종합학술대회 논문집
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• pp.804-806
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• 2007

ZnO박막을 c-축 방향으로 실리콘(Si 100)기판 위에 rf 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착 하였고, 증착변수가 박막의 결정학적, 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 기판온도 $200^{\circ}C$, rf전력이 150W, 산소:아르곤 가스의 비율이 50%:50%, 그리고 증착압력이 10mTorr의 조건에서 증착된 박막이 강한 c-축 성장과 우수한 결정성을 나타내었다. 증착변수의 변화에 의한 ZnO 박막의 전기비저항은 크게 영향을 받고 있었는데, 산소비율이 증가할수록, 기판온도가 감소할수록, 비저항이 증가하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.798-807
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• 2002

ZnO thin films on Si wafer were deposited by RF magnetron reactive sputter with various RF power, chamber pressure, argon/oxygen gas ratios ana substrate temperatures. Crystallinities, surface morphologies, and electrical properties of the films were investigated by XRD, AFM, RBS, and electrometer(keithley 617). ZnO films showed a strong c-axis preferred orientation. Surface roughness and resistivity were changed by the argon/oxygen gas ratio. The minimum surface roughness of 12${\AA}$ and maximum resistivity of $10^8\Omega cm$ were achieved at Ar/O$O_2$=0/100.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제40권6호
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• pp.687-693
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• 2002

폴리이써설폰 막(polyethersulfone membrane, PES)을 Ar, $NH_3$ 플라즈마로 표면 처리하고, 처리 전후의 변화를 관찰하였다. Ar 플라즈마로 처리하였을 때 O/C의 비율이 증가하며 친수성기의 도입이 확인되었고 $NH_3$ 플라즈마로 처리하였을 때 아민, 아미노기가 도입되었다. 또한 폴리이써설폰 막의 흡습성이 유지될 경우, 플라즈마 처리에 의해 표면에 형성된 극성 작용기들과 $CO_2$와의 내부반응이 증가하였다. 이로 인해 $N_2$에 비하여 $CO_2$의 용해 선택성이 증가하였고 투과도와 선택도가 동시에 향상되는 효과를 나타내었다. 플라즈마 처리된 폴리이써설폰 막에서 $CO_2$의 투과도와 ${\gamma}$(actual separation factor)에 대한 최적조건은 Ar 플라즈마 처리의 경우 10 W-2 min에서 각각 $13.19{\times}10^{-10}cm^3(STP)cm/cm^2{\cdot}s{\cdot}cmHg$와 20.12이며, $NH_3$ 플라즈마 처리의 경우 50 W-2 min에서 $15.40{\times}10^{-10}cm^3(STP)cm/cm^2{\cdot}s{\cdot}cmHg$와 20.06를 얻었다.