• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.377-377
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• 2010

The $AgInS_2$ epilayers with chalcopyrite structure grown by using a hot-wall epitaxy (HWE) method have been confirmed to be a high quality crystal. After the as-grown $AgInS_2$/GaAS was annealed in Ag-, S-, and In-atmosphere, the origin of point defects of the $AgInS_2$/GaAs has been investigated by using the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of $V_{Ag}$, $V_s$, $Ag_{int}$, and $S_{int}$ obtained from PL measurement were classified to donors or acceptors type

• 자원리싸이클링
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• 제21권6호
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• pp.74-81
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• 2012

온도에 따른 Pourbaix Diagram 을 열역학 계산에 의해 구성하여 수용액 상 은의 회수반응에 미치는 온도의 영향을 파악하였다. 온도의 상승에 따라 물의 안정성은 pH 변화에 대해 더 크게 영향을 받으며 ${Ag^+}_{(aq)}$의 안정영역은 감소하는 것으로 나타났다. 온도가 하강함에 따라 $Ag_{(aq)}$를 $Ag_{(s)}$ 및 $Ag_2O_{3(s)}$ 형태로 회수하고 온도 상승 시에는 $Ag_{(aq)}$를 $Ag_2O_{(s)}$ 및 $Ag_2O_{2(s)}$의 형태로 회수하는 것이 화학반응상 보다 유리할 것으로 고찰되었다. $pH{\leq}2$ 이하의 강산성 영역에서는 온도 상승에 따른 은 회수 효율성이 감소하고 pH가 2 이상인 조건에서는 온도 증가에 따라 은의 회수 효율성이 증대될 것으로 파악되었다. 또한, 은을 원소 상태로 회수하는 방안은 산화은 형태로 회수하는 방안에 비해 온도변화에 대해 더욱 민감하게 영향을 받는 것으로 고려되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.461.1-461.1
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• 2014

본 연구진에서는 기존에 Ag2S 양자점을 흡광층으로 활용하여 양자점 감응형 태양전지(QDSC)를 제작, 그 성능과 특징을 분석하여 발표한 바 있다. 기존 연구에서 제작된 Ag2S QDSC는 11 mA/cm2의 비교적 높은 광전류와 260 mV의 비교적 낮은 전압으로 인해 1.2%의 광전환효율 성능을 나타내는 것으로 보고되었다. 추후 연구로 진행된 본 결과에서는, 기존에 Single absorber로 사용된 Ag2S의 한계를 보완하기 위해 CdS를 도입하여 co-sensitization을 활용하였다. CdS는 약 2.3 eV의 밴드갭 에너지를 갖는 물질로, 1.1 eV의 밴드갭을 갖는 Ag2S에 비해 흡광 영역은 좁지만 그만큼 전자-정공 재결합을 억제할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, 전도층으로 사용한 n-type 물질인 ZnO 나노선과의 밴드구조가 매우 적합하게 조화되어, ZnO/CdS/Ag2S 순서로 이종구조를 접합시켰을 때 세 물질의 Conduction band level과 Valence band level이 순차적으로 연결되는 cascade-shaped 밴드구조를 이루게 된다. 빛을 받아 Ag2S와 CdS에서 생성된 전자는 이 cascade 모양의 conduction band를 따라 순차적으로 ZnO로 잘 전달되게 되어, 효율 향상에 큰 도움을 주었다. 이런 장점들로 인해, CdS-Ag2S co-sensitized QDSC는 Ag2S QDSC에 비해 2배나 향상된 효율인 2.4%를 기록하였으며, 이는 IPCE spectrum 측정 등으로 근거가 뒷받침되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권1호
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• pp.1-9
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• 2005

AgGaS₂ 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaS₂ 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs(100))의 온도를 각각 590℃, 440℃로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. AgGaS₂의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 E/sub g/(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 E/sub g/(T) = 2.7284 eV - (8.695×10/sup -4/ eV/K)T²/(T + 332 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag, Ga, S 분위기에서 각각 열처리하여 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 점 결함의 기원을 알아보았다. PL 측정으로 부터 얻어진 V/sub Ag/, V/sub s/, Ag/sub int/, 그리고 S/sub int/는 주개와 받개로 분류되어졌다. AgGaS₂ 단결정 박막을 Ag 분위기에서 열처리하면 n형으로 변환됨을 알 수 있었다. 또한, Ga 분위기에서 열처리하면 열처리 이전의 PL 스펙트럼을 보이고 있어서. AgGaS₂ 단결정 박막에서 Ga은 안정된 결합의 형태로 있기 때문에 자연 결함의 형성에는 관련이 없음을 알았다.

• 약학회지
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• 제45권6호
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• pp.708-714
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• 2001

Many studies have provided evidences that hepatitis B surface antigen (HBsAg) including preS region could be an ideal candidate for a new hepatitis B virus (HBV) vaccine with higher efficacy. We established CHO cell lines, IY-CHO-2 and IY-CHO-11 expressing high levels of HBsAg containing preS2 and S protein by stable transfection method. These cell lines expressed the correct size (about 1 kb in length) of HBsAg mRNA as expected. The purified protein from the culture supernatants of the clones showed the same sizes as those expressed in native hepatitis B virus (24 kDa, 27 kDa, 34 kDa and 36 kDa). Antibody productivity of CHO-derived HBsAg protein at lower dose challenge was higher than the protein containing S region alone expressed in yeast system. These results indicate that CHO-derived HBsAg protein containing preS2 and S region can be effectively used for a better immune response as a HBV vaccine.

• 한국해양학회지:바다
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• 제7권2호
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• pp.87-93
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• 2002

해양퇴적물 오염평가에 널리 쓰이는 단각류 Leptocheirus plumulosus를 이용하여 오염된 퇴적물에서 Ag을 축적하는데 있어서 각 매질(퇴적물, 공극수, 먹이)의 상대적 기여도를 조사하였다. 또한 퇴적물 중 중금속의 생물 이용도와 독성을 조절하는 인자로 잘 알려진 황화물(AVS)이 공극수 중 용존 Ag 농도와 생물내 흡수에 미치는 영향을 평가하였다. 연안 퇴적물을 임의로 4개의 농도구배(0.1${\sim}$3.3 ${\mu}$mol Ag/g)로 오염시킨 후, AVS농도를 40 또는 <0.5 ${\mu}$mol/g로 조절하여 실험생물을 35일 동안 노출시켰다. 실험생물이 배양되는 동안 Ag으로 오염된 것과 오염되지 않은 $TetraMin^{(R)}$을 보조 먹이로 공급하여 생물 체내 Ag축적 농도 차이를 비교하였다. 그 결과, L. plumulosus의 체내 Ag농도는 퇴적물 내 Ag의 농도와 양의 상관관계를 갖고 증가하였다($r^{2}$=0.87, p<0.001). 퇴적물 중 AVS의 함량은 공극수 중 용존 Ag의 농도를 조절하는 중요한 인자로 확인되었으나, AVS 농도는 L. plumulosus의 Ag축적에 거의 영향을 주지 않았다. Ag으로 오염된 먹이가 제공된 L. plumulosus는 오염되지 않은 먹이가 제공된 L. plumulosus보다 최고 1.8배 정도 높게 Ag을 체내에 축적하였다. 즉, Ag으로 오염된 퇴적물에서 L. plumulosus의 Ag축적은 공극수나 해수 중의 용존 Ag의 흡수보다는 퇴적물이나 먹이의 섭식을 통한 흡수가 주요 노출경로라는것을 시사한다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제31권2호
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• pp.101-106
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• 2001

Alginate-chitosan (anion-cationic polymeric complex) was prepared to control the release rate of silver sulfadiazine (AgSD). Na-alginate (2%) solution containing AgSD was gelled in $CaCl_2$ solution. The gel beads formed were immediately encapsulated with chitosan (CS). The gel matrix and membrane were then reinforced with chondroitin-6-sulfate (Ch6S). Release rate of AgSD from the gel matrix was investigated by placing alginate beads in the sac of cellulose membrane simmered in HEPES-buffer solution. The concentration of AgSD released was analyzed by UV at 264 nm. Incorporation capacity of AgSD in Ca-alginate gel was more than 90%. Alginate-Ch6S-CS could control the release rate of AgSD. The amount of AgSD release was dependent on the AgSD loading dose. Incorporation of tripolyphosphate (polyanionic crosslinker) onto the alginate-Ch6S-CS bead increased the release rate of AgSD. Collagen-coating had no influence on the AgSD release rate. Alginate-Ch6S-CS beads with a sufficiently high AgSD encapsulation were capable of controlling the release of the drug over 10 days. In summary, alginate-Ch6S-CS beads could be used as a sustained delivery for AgSD and provide local targeting with low silver toxicity and patient discomfort.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.101-102
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• 2006

A stoichiometric mixture of evaporating materials for $AgGaS_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films. $AgGaS_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-Insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $590^{\circ}C$ and $440^{\circ}C$, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaS_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=2.7284 eV-(8.695{\times}10^{-4} eV/K)T^2/(T+332 K)$. After the as-grown $AgGaS_2$ single crystal thin films was annealed in Ag-, S-, and Ga-atmospheres, the origin of point defects of $AgGaS_2$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권2호
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• pp.483-488
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• 2012

We successfully decorated multi-wall carbon nanotubes (MWNTs) with silver by reacting Ag-NPs with thiolfunctionalized MWNT-SH. Ag alkylcarbamate complex was used as an Ag precursor. Uniform Ag-NPs (5-10 nm) were effectively prepared by microwaving within 60 s using 1-amino-4-methylpiperazine (AMP), which acts as a reaction medium, reducing agent, and stabilizer. The MWNTs were functionalized with 2-aminoethanethiol. Exploiting the chemical affinity between thiol and Ag-NPs, Ag-MWNT nanohybrids were obtained by spontaneous chemical adsorption of MWNT-SH to Ag through Ag-S bonds. The Ag-S-MWNTs were characterized by TGA, XRD, and TEM to confirm that Ag-NPs were uniformly decorated onto the MWNTs. The Ag-S-MWNTs were then employed as conducting filler in epoxy resin to fabricate electrically conducting polymer composites. The electrical properties of the composites were measured and compared with that containing MWNT-SH. The electrical conductivity of composites containing 0.4 wt % Ag-S-MWNT was four orders of magnitude higher than those containing same content of MWNT-SH, confirming Ag-S-MWNT as an effective conducting filler.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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• pp.92-96
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• 2002

Hot wall epitaxy 방법을 이용하여 chalcopyrite 구조를 가진 고품질의 $AgInS_{2}$ 박막을 성장 하였다. 광전류 스펙트럼을 측정한 결과， 30K에서 300K까지는 단지 A 와 B 두개의 봉우리가 관측되었고 반면에 10K에서는 A,B,C 세 개의 봉우리가 관측되었다. 이때 이들 봉우리들은 band-to-band 전이에 기인하는 것으로 관측되었다. 광전류 측정으로부터 $AgInS_{2}$의 가전자대 갈라짐이 측정되었고 이로부터 10k에서 결정장에 의한 갈라짐 $D_{cr}$과 스핀궤도에 의한 갈라짐 $D_{so}$은 각각 0.150eV와 0.009eV로 관측되었다. 또한 에너지 밴드갭의 온도 의존성 $E_{g}(T)$에 대하여 연구하였고 성장된 $AgInS_{2}$ 박막의 에너지 밴드갭은 1.868eV 임을 알았다.