마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 광기록 매체인 GST 박막과 보호층인 $ZnS-SiO_2$ 박막 또는 $Al_2O_3$ 박막을 c-Si 기판위에 증착한 뒤 in-situ 타원계를 사용하여 상변화 광기록층인 GST 시료의 타원상수 온도의존성을 실시간으로 측정한 결과 $300^{\circ}C$ 이상의 온도에서 GST의 고온 타원상수는 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 큰 차이를 보여주었다. 가열 환경 및 보호층의 종류에 따라 GST의 고온 타원상수가 달라지는 원인인 $1{\sim}2$시간의 긴 승온시간을 줄이기 위해 Phase-change Random Access Memory(PRAM) 기록기를 사용하였고 수십 ns 이내의 짧은 시간 내에 순간적으로 GST 시료를 가열 및 냉각하였다. GST층이 손상되지 않고 결정화 및 고온 열처리가 되는 PRAM 기록기의 기록모드와 레이저출력 최적조건을 찾았으며 다층박막 구조에서 조사되는 레이저 에너지가 광기록층인 GST에 흡수되는 양과 이웃하는 층으로 전파되는 양을 열확산방정식으로 나타내고 이를 수치해석적으로 풀어 레이저출력과 GST 박막의 최고 온도와의 관계를 구하였다. 지름이 1um 정도인 레이저스폿을 대략 $0.7{\times}1.0mm^2$의 면적내에 촘촘히 기록한 다음 고온 열처리된 GST 시료의 분광타원데이터를 500 um의 빔 크기를 가지는 마이크로스폿 분광타원계를 사용하여 구하고 그 복소굴절률을 결정하였다. In-site 타원계를 사용할 때에 가열 환경 보호층 물질의 영향을 크게 받은 GST의 고온 복소굴절률은 PRAM 기록기를 사용하였을 때에는 가열환경이나 보호층의 종류에 무관하게 안정된 값을 보여주었다 Atomic Force Microscope(AFM)과 Scanning Electron Microscopy(SEM)을 통해 관찰한 GST 다층박막시료의 고온 열처리 전후 표면미시거칠기 변화도 PRAM 기록기를 사용할 때에는 in-situ 타원계를 사용할 때보다 1/10 정도의 크기를 보여주어 PRAM 기록기와 분광타원계를 사용하여 결정한 GST의 고온광학물성의 신뢰성을 확인하여 주었다.
Laminate composites composed of $0.95Pb(Zr_{0.52}Ti_{0.48})O_3-0.05Pb(Mn_{1/3}Sb_{2/3})O_3$ piezoelectric ceramic and Fe-Si-B based magnetostrictive amorphous alloy are fabricated, and the effect of control of the areal dimensions and the thickness of the piezoelectric layer on the magnetoelectric(ME) properties of the laminate composites is studied. As the aspect ratio of the piezoelectric layer and the magnetostrictive layer increases, the maximum value of the ME voltage coefficient(${\alpha}_{ME}$) increases and the intensity of the DC magnetic field at which the maximum ${\alpha}_{ME}$ value appears decreases. Moreover, as the thickness of the piezoelectric layer decreases, ${\alpha}_{ME}$ tends to increase. The ME composites exhibit ${\alpha}_{ME}$ values higher than $1Vcm^{-1}Oe^{-1}$ even at the non-resonance frequency of 1 kHz. This study shows that, apart from the inherent characteristics of the piezoelectric composition, small thicknesses and high aspect ratios of the piezoelectric layer are important dimensional determinants for achieving high ME performance of the piezoelectric-magnetostrictive laminate composite.
Transparent conductive thin films have found many application in many active and passive electronic and opto-electronic devices as like flat Panel display electrode and window heat mirror, etc. Low resistivity and high transmittance of this films can be obtained by controlling deposition parameters, which are oxygen partial Pressure, substrate temperature and dopant concentration. In this study, We prepared non-stoichiometric and Sb-doped thin films of tin dioxide by reactive DC magnetron sputtering technology. The lowest resistivity of about $3.0{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$ and 80% transmittance in the visible light region have heed obtained at optimal deposition condition.
Kim, Joo-Ho;Lee, Yong-Woon;Hwang, Wook-Yeon;Shima, Takayuki;Chung, Chong-Sam
정보저장시스템학회논문집
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제3권3호
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pp.123-125
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2007
We report the readout stability improvement results of super-resolution near field structure (Super-RENS) writeonce read-many (WORM) disk at a blue laser optical system. (Laser wavelength 405nm, numerical aperture 0.85) By using diffusion barrier structure (GeSbTe sandwiched by GeN) and high transition temperature recording material ($BaTiO_3$), material diffusion of phase change layer and recording mark degradation were greatly improved during high power (Pr=2.0mW) readout process up to $1{\times}10^5$ times.
Ring/dot-type step-down piezoelectric transformer was manufactured by using Pb[(Mn$\sub$1/3/Sb$\sub$2/3)$\sub$0.05/Zr$\sub$0.475/Ti$\sub$0.475/]O$_3$ ceramics, which have excellent high-power piezoelectric properties. The characteristics of step-down piezoelectric transformer as a function of load resistance at output terminal was examined. Voltage gain was greatly dependent on drive frequency and load resistance, and showed maximum voltage gain at the resonance frequency. The output voltage was linearly increased as the input voltage increased. Voltage gain of the step-down piezoelectric transformer with respect to input voltage was very stable when the load resistance was in the range of 50-500 $\Omega$ .
For use in ultrasonic actuators, we investigated the structural and piezoelectric properties of $(1\;-\;x)Pb(Zr_{0.515}Ti_{0.485})O_3$ - $xPb(Sb_{1/2}Nb_{1/2})O_3$ + 0.5 wt% $MnO_2$ [(1 - x)PZT - xPSN + $MnO_2$] ceramics with a variation of x (x = 0.02, 0.04, 0.06, 0.08). All the ceramics, which were sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 h, showed a typical perovskite structure, implying that they were well synthesized. A homogeneous micro structure was also developed for the specimens, and their average grain size was slightly decreased to $1.3{\mu}m$ by increasing x to 0.8. Moreover, a second phase with a pyrochlore structure appeared when x was above 0.06, which resulted in the deterioration of their piezoelectric properties. However, the 0.96PZT-0.04PSN+$MnO_2$ ceramics, which corresponds with a morphotropic phase boundary (MPB) composition in the (1 - x)PZT - xPSN + $MnO_2$ system, exhibited good piezoelectric properties: a piezoelectric constant ($d_{33}$) of 325 pC/N, an electromechanical coupling factor ($k_p$) of 70.8%, and a mechanical quality factor ($Q_m$) of 1779. The specimens with a relatively high curie temperature ($T_c$) of $305^{\circ}C$ also showed a significantly high dielectric constant (${\varepsilon}_r$) value of 1109. Therefore, the 0.96PZT - 0.04PSN + $MnO_2$ ceramics are suitable for use in ultrasonic vibrators.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권4호
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pp.181-184
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2017
Multilayer ceramics in which piezoelectric layers of $0.90Pb(Zr_{0.48}Ti_{0.52})O_3-0.05Pb(Mn_{1/3}Sb_{2/3})O_3-0.05Pb(Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ (0.90PZT-0.05PMS-0.05PZN) stack alternately with silver electrode layers were prepared by an advanced low-temperature co-fired ceramic (LTCC) method. The electrical properties and bonding strength of the multilayers were associated with the interface morphologies between the piezoelectric and silver-electrode layers. Usually, the inner silver electrodes are fabricated by sintering silver paste in multi-layer stacks. To improve the interface bonding strength, piezoelectric powders of 0.90PZT-0.05PMS-0.05PZN with an average particle size of $23{\mu}m$ were added to silver paste to form a gradient interface. SEM observation indicated clear interfaces in multilayer ceramics without powder addition. With the increase of piezoelectric powder addition in the silver paste, gradient interfaces were successfully obtained. The multilayer ceramics with gradient interfaces present greater bonding strength as well as excellent piezoelectric properties for 30~40 wt% of added powder. On the other hand, over addition greatly increased the resistance of the inner silver electrodes, leading to a piezoelectric behavior like that of bulk ceramics in multilayers.
Xiquegou 연-아연 광상은 중국 동북지역에선 가장 규모가 큰 연-아연 광화대 중의 하나인 Qingchengzi orefield에 위치한다. 이 광상의 주변지질은 시생대의 그래뉼라이트(granulite)와 이를 관입한 고원생대의 미그마타이트질 화강암과 고-중원생대의 소딕(sodic) 화강암을 부정합으로 피복한 고원생대의 Liaohe 층군 및 이들을 관입한 중생대의 섬록암과 몬조나이틱 화강암으로 구성된다. 이 광상은 고원생대의 Liaohe 층군내 Dashiqiao 층의 unit 3(돌로마이트질 대리암과 편암)내에 발달된 단층대를 따라 산출되는 맥상 광체로 트라이아스기의 마그마-열수형 광상에 해당된다. Xiquegou 연-아연 광상에서 석영, 인회석, 방해석, 황철석, 유비철석, 자류철석, 백철석, 섬아연석, 황동석, 황석석, 방연석, 사면동석, 에렉트럼, 휘은석, 자연은 및 농홍은석 등이 산출되며 모암변질로는 규화작용, 황철석화작용, 돌로마이트화작용, 녹니석화작용 및 견운모화작용 등이 관찰된다. 이 광상의 산출 광물조합 및 정출순서를 기초로, 돌로마이트는 1)모암인 돌로마이트(D0) 및 2)연-아연 광화작용에 따른 모암변질 산물인 돌로마이트(D1)로 두 유형이 확인된다. 이들 돌로마이트의 화학조성은 각각 Ca1.03-1.01Mg0.95-0.83 Fe0.12-0.02Mn0.02-0.00(CO3)2(D0) 및 Ca1.16-1.00Mg0.79-0.44Fe0.53-0.13Mn0.03-0.00As0.01-0.00(CO3)2(D1)로써 이론적인 돌로마이트의 화학조성보다 미량원소들의 함량이 높다. 특히, FeO, PbO, Sb2O5 및 As2O5 원소들은 모암변질 산물인 돌로마이트(D1)에서 높은 함량을 갖는다. 또한 이 광상의 모암에서 산출되는 돌로마이트(D0)는 Ferroan 돌로마이트에 해당되며 모암변질 산물인 돌로마이트(D1)는 철백운석 및 Ferroan 돌로마이트에 해당된다. 모암변질 산물인 녹니석의 화학조성은 (Mg1.65-1.08Fe2.94-2.50Mn0.01-0.00Zn0.01-0.00Ni0.01-0.00Cr0.02-0.00V0.01-0.00Hf0.01-0.00Pb0.01-0.00Cu0.01-0.00As0.03-0.00Ca0.02-0.01Al1.68-1.61)5.77-5.73(Si2.84-2.76Al1.24-1.16)4.00O10(OH)8로써 이론적인 녹니석과 유사하며 Fe-rich 녹니석에 해당된다. 또한 이 녹니석의 화학조성 변화는 주로 팔면체적 Fe2+ <-> Mg2+ (Mn2+) 치환과 일부 팬자이틱 또는 Tschermark 치환(Al3+,VI+Al3+,IV <-> (Fe2+ 또는 Mg2+)VI+(Si4+)IV)메카니즘에 의해 일어났음을 알 수 있다.
Fapohunda, S. O.;Ezekiel, C. N.;Alabi, O. A.;Omole, A.;Chioma, S. O.
Mycobiology
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제36권4호
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pp.255-259
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2008
The effect of aflatoxin-contaminated corn on albino mice was investigated using the sperm morphology assay. Blood parameter levels including; total white blood cells (WBC), total red blood cells (RBC), packed cell volume (PCV), serum bilirubin (SB) and fasting blood sugar (FBS) were also determined in the tested mice. Test mice were exposed to aflatoxin-contaminated corn (contamination level of 100 ppb) for $1{\sim}4$ weeks while aflatoxin-free corn and cyclophosphamide were used as negative and positive controls, respectively. Sperm cells showed varieties of morphological abnormality when assessed after 5 weeks. The percentage frequencies of the negative and positive controls were 18.8% and 48.87%, respectively, while the percentage abnormalities for the 1, 2, 3 and 4 weeks exposures were 41.38%, 48.17%, 57.13% and 61.67%, respectively. PCV, WBC, total bilirubin and glucose level values of mice in all concentrations were higher and statistically significant as compared to the negative control values using Dunnett's test. Therefore, abnormal sperm cell induction is concentrationdependent such that continuous consumption of aflatoxin-contaminated corn is capable of negatively affecting spermatogenesis by inducing or increasing the frequency of morphologically abnormal sperm cells produced.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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