• 한국해안해양공학회지
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• 제5권4호
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• pp.318-328
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• 1993

Kuril 열도의 남부에 위치한 Shikotan 섬 지역에 대하여 1990-1992년간에 걸쳐 일련의 장파관측이 수행되었다. 5개 만과 Shikotan 유입부 등의 7개소에 저면 압력 측정장치를 설치하였으며, 해안에 3개의 정밀압력계가 위치하도록 하였다. 관측의 목적은 지진파랑의 관측, 해안지형의 공진특성 평가 및 부진동 생성 메카니즘의 조사에 두었다. 2시간 이상의 주기를 갖는 파동에 있어서는 의력에 의한 장파가, 30-120분 주기에서는 자유장파가 지배적이었으며, 30분 이하의 주기에서는 만의 부진동이 가장 지배적인 장파형태로 나타났다. Krabovaya만의 30분 주기 Helmholtz 모드와 Malokurilskaya만의 18.5분 주기모드가 Shikotan 내역에서 가장 중요한 파동형태이다. 대기 교란경로와 Shikotan섬 연해의 부진동 생성간에 상당한 상관관계가 있으며, 특히 대기압의 급상승은 각각 다른 부진동 주기를 갖는 여러만에 동시에 부진동을 일으킨다. 대기 스펙트럼은 매우 안정적인 것으로 나타났으며, $\omega$$^{-226}$ 지수식으로 나타낼 수 있는 것으로 사료된다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권1호
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• pp.27-31
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• 2008

전자 부품의 소형화 요구에 따라서 기존 기판의 상부에 실장 되는 저항 소자를 감소하기 위한 방안으로 후막 저항 페이스트를 인쇄하여 저항체를 형성 한 후에 내장하는 수동소자 내장기술이 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 카본 블랙과 에폭시 수지를 혼합하여 $0.35{\sim}4k{\Omega}/sq$으로 넓은 저항 범위를 가지는 저온 열경화형 후막 저항 페이스트를 제작하였으며, Ni-Cr alloy와 $SiO_2$ 분말을 첨가하여 온도에 따른 저항 변화인 TCR(Temperature Coefficient Resistivity) 값을 $100ppm/^{\circ}C$으로 개선하였다. 최종적으로 제작된 저항 페이스트를 이용하여 내장 저항 기판을 제작하였으며 온도에 변화에 따른 안정적인 저항 특성과 신뢰성을 확보 할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제12권3호
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• pp.109-116
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• 2002

평면변압기의 설계방법 확립과 응용가능성을 파악하기 위해 입/출력전압이 70V/8.2V인 8W급 플라이-백 평면변압기를 설계하였다. 스위칭 주파수 120kHz에서 인덕턴스는 1650 $\mu$H로서 이론치의 약 85%~87%인 인덕턴스 효율을 나타내었고, 도전체의 교류저항은 주파수가 증가할수록 증가하여 스위칭파수 120 kHz에서 1차/2차 코일의 교류저항이 각각 3.9 $\Omega$, 0.16 $\Omega$이었고, 성능지수는 각각 158, 75로 나타났으며, 결합인자 k값은 스위칭 주파수 120 kHz에서 0.96~0.97 범위의 값을 나타내었다. 또한 자성체의 평면부분의 두께가 1.4mm까지는 인덕턴스가 평면두께가 증가할수록 큰 폭으로 증가하였고, 1.4mm이상의 두께에서는 거의 일정한 값을 나타내어 자성체의 임계 평면두께는 1.4mm로 나타났다. 그리고 70V의 입력 전압에 대하여 안정한 구형파의 출력 파형을 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.503-508
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• 1999

We have investigated the physical and diffusion barrier property of Ti-Si-N film for Cu metallization. The ternary compound was deposited by using reactive rf magnetron sputtering of a TiSi$_2$target in an Ar/$N_2$gas mixture. Resistivities of the films were in range of 358$\mu$$\Omega$-cm, to 307941$\mu$$\Omega$-cm, and tended to increase with increasing the $N_2$/Ar flow rate ratio. The crystallization of the Ti-Si-N compound started to occur at 100$0^{\circ}C$ with the phases of TiN and Si$_3$N$_4$identified by using XRD(X-ray Diffractometer). The degree of the crystallization was influenced by the $N_2$/Ar flow ratio. The diffusion barrier property of Ti-Si-N film for Cu metallization was determined by AES, XRD and etch pit by secco etching, revealing the failure temperature of 90$0^{\circ}C$ in 43~45at% of nitrogen content. In addition, the very thin compound (10nm) with 43~45at% nitrogen content remained stable up to $700^{\circ}C$. Furthermore, thermal treatment in vacuum at $600^{\circ}C$ improved the barrier property of the Ti-Si-N film deposited at the $N_2$(Ar+$N_2$) ratio of 0.05. The addition of Ti interlayer between Ti-Si-N films caused the drastic decrease of the resistivity with slight degradation of diffusion barrier properties of the compound.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.981-983
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• 1999

In this paper, the electrical characteristics of $\lambda$ vibration-mode piezoelectric transformer for applying to CCFL driving inverter was investigated. Piezoelectric transformer was made of PZT - PMN - 0.5wt% $Nb_{2}O_{5}$ composition. As a results of the electrical characteristics of piezoelectric transformer, when applied voltage was $35[V_{rms}]$ in $100[k{\Omega}]$ load resistance, output voltage was about $710[V_{rms}]$ and output power was more than 2[W]. As output power increased, step-up ratio and temperature was very stable until output power was 2.5[W]. Also, Efficiency was maximum in $70[k{\Omega}]$ load resistance, and about 89[%]. Also, when CCFL was used as load, the maintaining voltage was $700[V_{rms}]$ and the luminescence was $2000[cd/m^2]$ in applying $25[V_{rms}]$ to piezoelectric transformer. Conclusively, piezoelectric transformer fabricated in this paper can be applied to piezoelectric inverter for CCFL driving.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제20권3호
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• pp.574-578
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• 2010

Archaebacteria Sulfolobus acidocaldarius contains the highly thermophilic cytochrome P450 enzyme (CYP119). CYP119 possesses stable enzymatic activity at up to $85^{\circ}C$. However, this enzyme is still considered as an orphan P450 without known physiological function with endogenous or xenobiotic substrates. We characterized the regioselectivity of lauric acid by CYP119 using the auxiliary redox partner proteins putidaredoxin (Pd) and putidaredoxin reductase (PdR). Purified CYP119 protein showed a tight binding affinity to lauric acid ($K_d=1.1{\pm}0.1{\mu}M$) and dominantly hydroxylated (${\omega}-1$) position of lauric acid. We determined the steady-state kinetic parameters; $k_{cat}$ was 10.8 $min^{-1}$ and $K_m$, was 12 ${\mu}M$. The increased ratio to $\omega$-hydroxylated production of lauric acid catalyzed by CYP119 was observed with increase in the reaction temperature. These studies suggested that the regioselectivity of CYP119 provide the critical clue for the physiological enzyme function in this thermophilic archaebacteria. In addition, regioselectivity control of CYP119 without altering its thermostability can lead to the development of novel CYP119-based catalysts through protein engineering.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.333-338
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• 2008

본 논문에서는 유효한 DC 전압을 얻기 위해 요구되는 최소입력전압이 충분히 낮으면서도 소비전력이 기존의 정류기 보다 낮은 새로운 NMOS 전류미러형 브리지 정류기를 제안하였다. 설계된 정류기는 13.56 MHz의 HF (for ISO 18000-3)부터 915 MHz의 UHF (for ISO 18000-6) 및 2.45 GHz의 마이크로파 대역 (for ISO 18000-4)까지의 전 주파수 범위에 대해 RFID Transponder에 내장된 마이크로 칩을 구동하기에 충분히 높고 잘 정류된 직류전압을 공급할 수 있다. 제안된 NMOS 정류기의 출력특성은 고주파 등가회로를 이용하여 해석하였으며, 동작 주파수 종가에 따른 게이트 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 회로적 방법을 이론적으로 제시하였다. 이러한 방법을 사용하여 설계된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 3V 피크-투-피크 입력전압과 $45\;K{\Omega}$ 부하저항에서 $100\;{\mu}W$의 소비전력 특성과 2.13V의 DC 출력전압이 구해졌다. 제안된 NMOS 전류미러형 브리지 정류기는 기존의 정류기에 비해 UHF 및 마이크로파 대역에서도 안정적으로 동작하며, 보다 우수한 특성들을 보였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권2호
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• pp.149-154
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• 1996

ZnO and Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel dip-coating method and electrical and optical properties of films were investigated. Using the zinc acetate dihydrate and acetylaceton(AcAc) as a chelating agent stable ZnO sol was synthesized with HCl catalyst. Adding aluminium chloride to the ZnO sol Al-doped ZnO sol could be also synthesized. As Al contents increase the crystallinity of ZnO thin film was retarded by increased compressive stress in the film resulted from the difference of ionic radius between Zn2+ and Al3+ The thickness of ZnO and Al-doped ZnO thin film was in the range of 2100~2350$\AA$. The resistivity of ZnO thin films was measured by Van der Pauw method. ZnO and Al-doped ZnO thin films with annealing temperature and Al content had the resistivity of 0.78~1.65$\Omega$cm and ZnO and Al-doped ZnO thin film post-annealed at 40$0^{\circ}C$ in vacuum(5$\times$10-5 torr) showed the resistivity of 2.28$\times$10-2$\Omega$cm. And the trans-mittance of ZnO and Al-doped ZnO thin film is in the range of 91-97% in visible range.

• 한국재료학회지
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• 제9권11호
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• pp.1148-1152
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• 1999

본 연구에서는 기존에 알려진 구리 전구체와 새롭게 개발된 전구체인 hfac (hexafluoroacetylacetonate) Cu(I) DMB (3,3-dimethyl-1-butene)를 비교 평가해보았다. (Hfac)Cu(I) (DMB)의 증가압은 $40^{\circ}C$에서 3 torr 정도로 기존에 잘 알려진 (hfac)Cu(I) vinyltrimethylsilane (VTMS) 보다 10배 정도 높은 것으로 나타났으며 그럼에도 불구하고 상당히 안정하여 $65^{\circ}C$에서 일주일 이상 가열하여도 변하지 않았다. 이 전구체로 100-$280^{\circ}C$에서 구리 박막을 증착할 수 있었으며 150-$250^{\circ}C$온도 범위에서 2.0$\mu\Omega$-cm의 순수한 구리 박막을 얻었다. 구리 박막의 증착 속도는 기존의 전구체보다 7~8배 정도 높은 것으로 나타났다.

• 전기화학회지
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• 제3권4호
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• pp.241-245
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• 2000

비정질 $MnO_2\;nH_2O$ 전극재료를 사용한 pseudo-capacitor를 설계 제작하여 특성을 평가하였다. 100mV/s의 cyclic voltammogram으로부터 측정한 결과, 이 전극재료의 안정한 potential window는 1V이고 비용량은 250F/g이었다. TDMA(Time Division Multiplex Algorithm) pulse 시험에서 TDMA 시스템 (2 parallel-pseudo-capacitor systems) 은 0.22V의 ohmic voltage drop과 0.38V의 capacitor voltage drop을 보여주었다. 이 TDMA system의 total voltage drop이 0.60V이므로 TDMA 위성통신 휴대전화의 요건인 1V maximum voltage drop을 충족하였다. 또한, 이 system의 ESR과 비용량은 각각 $55m{\Omega}$과 105mF이었다. 따라서 이 TDMA system이 위성통신 휴대전화를 위한 load-leveling 캐패시터로 응용 가능함을 확인하였다.