• 제목/요약/키워드: $\Omega$ Type

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참조응력을 이용한 316LN 스테인리스강의 크리프 해석 (Creep Analysis of Type 316LN Stainless Steel Using Reference Stress)

  • 김우곤;류우석
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제26권10호
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    • pp.2122-2129
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    • 2002
  • Creep damage using a reference stress(RS) was analyzed for type 316LN stainless steel. The generalized K-R equation was reconstructed into the RS equation using a critical stress value $\sigma$. The RS equation was derived from the critical stress in failure time $t_f$ instead of material damage parameter $\omega$, which indicates the critical condition of collapse or approach to gross instability of materials during creep. For obtaining the reference stress, a series of creep tests and tensile tests were conducted with at 55$0^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. The stress-time data obtained from creep tests were applied to the RS equations to characterize the creep damage of type 316LN stainless steel. The value of creep constant r with stress levels was about 18 at 55$0^{\circ}C$ and 21 at $600^{\circ}C$. This value was almost similar with r = 24 in the K-R equation, which was obtained by using damage parameter $\omega$. Relationship plots of creep failure strain and life fraction $(t_f /t_r)$ were also obtained with different λ values. The RS equation was therefore more convenient than the generalized K-R equation, because the measuring process to quantify the damage parameter $\omega$ such as voids or micro cracks in crept materials was omitted. The RS method can be easily used by designers and plant operator as a creep design tool.

이형반응기 미생물연료전지의 전기적 특성에 미치는 외부저항의 영향 (Effect of External Resistance on Electrical Properties of Two-Chamber type Microbial Fuel Cells)

  • 이명은;조세연;정재우;송영채;우정희;유규선;이채영
    • 대한환경공학회지
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    • 제33권3호
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    • pp.167-173
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    • 2011
  • Ferricyanide를 환원제로 사용하는 이형반응기 미생물연료전지 시스템에서 전류밀도, 전력밀도, 쿨롱효율 등의 전기적 특성에 미치는 외부저항의 영향을 규명하고자 하였다. 음극반응기에 미생물을 접종하고 일정한 시간이 경과하면 안정적인 전기가 생산되었으며 $50{\Omega}$의 외부저항에서 0.13~0.16 V 범위의 전압이 발생되었다. 외부저항이 증가함에 따라 전류밀도는 감소하였으며 전력밀도는 일정한 값까지는 급격하게 증가하다가 서서히 감소하는 것으로 나타났다. 외부저항을 단계적으로 감소시키는 반복실험을 수행한 결과, 일정한 범위의 전류밀도까지는 측정값들의 편차가 크지 않았으나 높은 전류밀도 영역에서는 기질소모로 발생하는 농도손실의 영향으로 측정값의 변동성이 매우 크게 나타났다. 전력밀도 및 쿨롱효율은 MFC 시스템의 내부저항($134{\Omega}$)과 가까운 $100{\Omega}$의 외부저항에서 각각 $175.8mW/m^2$과 46.1%의 최대값을 가지는 것으로 나타났다.

ON STRONG EXPONENTIAL LIMIT SHADOWING PROPERTY

  • Darabi, Ali
    • 대한수학회논문집
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    • 제37권4호
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    • pp.1249-1258
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    • 2022
  • In this study, we show that the strong exponential limit shadowing property (SELmSP, for short), which has been recently introduced, exists on a neighborhood of a hyperbolic set of a diffeomorphism. We also prove that Ω-stable diffeomorphisms and 𝓛-hyperbolic homeomorphisms have this type of shadowing property. By giving examples, it is shown that this type of shadowing is different from the other shadowings, and the chain transitivity and chain mixing are not necessary for it. Furthermore, we extend this type of shadowing property to positively expansive maps with the shadowing property.

UWB 평면 패치안테나의 지향성이득의 향상 방법 (Directivity Gain Improvement Method for UWB Coplanar Patch Antenna)

  • 주창복
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제49권6호
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    • pp.63-70
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    • 2012
  • UWB 주파수대역의 안테나로써 CPW 급전의 U-자형 평면 패치 안테나모델의 지향성이득 향상 방법을 검토하였다. 지향성 이득 향상을 위해 CPW 급전의 U-자형 패치 안테나 모델에 개구슬롯 반사면을 부가하여 마이크로스트립 구조로 재구성하였다. 재구성한 안테나는 특성 임피던스 $50.08{\Omega}$에 대해 반사계수는 -6.5dB(VSWR < 3.3)이하이며 지향성이득은 7.8 dBi ~ 9.6 dBi, 전후방비는 17.8dB ~ 28.7dB 그리고 ${\theta}=0^{\circ}$의 주방사 방향에 대해 -3dB 방사각의 범위가 ${\pm}30^{\circ}$의 방사지향성의 패턴을 나타내 보였다.

Reactive Magnetron Sputtering 법을 이용한 SnO 투명산화물반도체 합성 및 특성분석

  • 이승희;김정주;허영우;이준형
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.265.1-265.1
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    • 2016
  • 여러 application에 적용하기 위하여 p-type SnO 박막과 전극 간의 접촉 저항을 분석이 필요하였다. 이를 Transmission Line Method(TLM) 패턴 소자를 제작한 후 전기적 특성을 분석함으로써 알 수 있었다. $Si/SiO_2$ 기판에 Reactive Magnetron Sputtering법을 이용하여 c축 우선 배향된 SnO를 100nm 증착하고 photolithography 공정을 통해 전극을 패턴화하여 100nm 두께로 증착하였다. 전극 간 거리는 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, $1024{\mu}m$로 각각 2배씩 증가하는 패턴이고 폭 W는 $300{\mu}m$ 이다. p-type SnO 의 경우, work function이 4.8eV이기 때문에 전극과 ohmic contact이 되기 위해서는 4.8eV보다 높은 work function 값을 가지는 전극이 필요하였다. 이 조건과 맞는 후보로 Ni(5.15eV), ITO(5.3eV)를 설정한 후 소자를 제작하였다. 제작된 소자는 열처리 하지 않은 소자와 Rapid Thermal Annealing(RTA) 장비에서 $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$에서 각각 1분씩 열처리한 소자의 특성을 분석하였다. 열처리 하지 않은 소자의 경우 Ni 전극의 specific contact resistance는 $3.42E-2{\Omega}$의 값을 나타내었고, ITO의 경우 $3.62E-2{\Omega}$값을 나타내었다.

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$ALU^+$를 이용한 결정질 태양전지 후면 전극 Screen Printing 횟수에 따른 특성 (A study on the $ALU^+$ crystalline solar cell characteristics affected by counts of rear side screen printings)

  • 최재우;김현엽;이준신
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.123.1-123.1
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    • 2011
  • 기존의 p-type 태양전지 공정과 유사한 공정으로 제작되는 n-type $ALU^+$태양전지는 후면에 Al을 screen printing하여 emitter층을 형성한 구조이다. screen printing은 공정의 단순화와 제조 단가의 저비용으로 인해, metalization 공정에서 많이 쓰이고 있다. 본 연구에서는 양산 가능한 n-type $ALU^+$태양전지 제작을 위해, 후면 Al emitter 층을 single, dobule, triple로 변경하며 Al의 양을 가변하였고, 그에 따른 특성의 변화를 연구하였다. screen printing 횟수가 변경된 후면 Al emitter 층의 특성은 DIV와 LIV 측정을 통해 분석하였다. 실험 결과 Al을 single printing 하였을 때보다, double, triple printing을 통하여 Al의 양을 증가하였을 때, DIV 데이터에서 직렬저항(Rs)가 $24.44{\Omega}/cm^2$에서 $0.31{\Omega}/cm^2$으로 감소하였고, 단락전류(Jsc)는 1.26mA/$cm^2$에서 37.7mA/$cm^2$으로 약 300% 증가한 것을 확인할 수 있었다. 프린팅 횟수에 따른 LIV 데이터의 Fill Factor를 분석하게 되면, double printing이 64.35%로 54.75%의 triple printing보다 약 1.17배 더 향상된 것으로 확인하였다. 이러한 결과를 바탕으로 후면 Al emitter 형성시에 Al의 양이 적절하지 못한 이유로, Al emitter가 제대로 형성되지 못하거나 과하게 형성되면, 태양전지 내부에 누설 저항의 변화와 누설 전류의 증가로 인해, 단락전류(Jsc)와 Fill Factor 감소의 주요 원인이 된다는 것을 확인할 수 있었다.

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$SnO_2-Si $ 이중접합 태양전지의 특성개선 (The Improvement in Properties of $SnO_2-Si $ Heterojunction Solar Cells)

  • 이#한;송정섭
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제17권6호
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    • pp.65-71
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    • 1980
  • SRO2-Si 이종접합 태양전지소자틀 진공증착에 의하여 제작하여 SRO2를 Si기판위에 증착후 실기중에서의 열처리(소둔)가 태양전지소자의 특성 특히 단락전류와 개방단자전압에 미치는 영향을 실험적으로 검토하여 이 열처리온도에 최적치가 있음을 알았다. 이 최적온도는 Si기액의 고유저항에 따라 차이가 있으며 고유저항이 비슷한 경우는 N형과 P형 Si 기판에 따르는 큰 차이는 없으나 같은 P형 Si기판인 경우에는 고유저항이 낮은 쪽의 최적온도가 높은 것으로 나타났다.

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육각형 압전변압기의 제조 및 전기적 출력 특성 (Fabrication and Electrical Characteristics of a hexagon-type piezoelectric transformer)

  • 이종필;홍진웅
    • 조명전기설비학회논문지
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    • 제17권5호
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    • pp.149-153
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    • 2003
  • 본 연구에서는 풀력측 전극비를 보다 증가시킬 목적으로 새로운 형상인 육각형 압전변압기를 제작하여 전극 패턴을 설계하고, 전기적 출력 특성을 검토하였다. 이 때 육각형 압전변압기의 한변의 길이가 각각 14[mm]와 17.5[mm]로 하였으며, 압전변압기에 적용된 세라믹의 성분계는 PZT-PMN-PSN이었으며, 기계적 품질계수가 1200, 전기기계결합계수는 55%, 압전정수 $d_{33}$은 320${\times}$$10^{-l2}$C/N, 손실계수는 0.3%이었다. 부하저항의 증가에 따라 승압비는 증가하였으며, 육각형 압전변압기의 한 변의 길이가 증가함에 따라서도 증가하는 경향을 보였다. 최대 효율은 10∼20[M$\Omega$]근처에서 약 93%가 얻어졌다.다.다.

저전력, 고주파, 고효율 자성박막 변압기 설계 및 제작에 대한 연구 (Design and Fabrication of Low-Power, High-Frequency, High-Performance Magnetic Thin Film Transformer)

  • 윤의중;정명희
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제50권11호
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    • pp.555-561
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    • 2001
  • In this paper, the low power (1.5 W) solenoid-type magnetic thin-film transformers utilizing a $Ni_{81}Fe_{19)$ core material were designed and fabricated for 5 MHz-drive DC-DC converter application. The $20\mum$ thick copper films were used as the coils. The transformers fabricated in this work have the sizes of $3.08 mm\times25.5 mm\; and\; 6.15 mm\times12.75 mm.$ The optimum design of solenoid-type magnetic thin film transformers was performed utilizing the conventional equations, a Maxwell computer simulator (Ansoft HFSS V7.0 for PC), and parameters obtained from the magnetic properties of NiFe magnetic core materials. frequency characteristics of inductance, dc resistance (R), coupling factor (k) and gain of developed transformers were measured using HP4194A impedance and gain-phase analyzer. The fabricated transformers with the size of $6.15 mm\time12.75 mm$ exhibit the inductance of $0.83 \muH$, the dc resistance of $2.3\Omega$$\Omega$, the k of 0.91 and the gain of -1 dB at 5 MHz, which show the comparable results to those reported in the recent literatures. The measured high-frequency characteristics for the fabricated transformers agreed well with those obtained by theoretical calculations .

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수직형 MEMS 프로브 팁의 신뢰성 설계 및 전기적 특성평가 (Reliable design and electrical characteristics of vertical MEMS probe tip)

  • 이승훈;추성일;김진혁;한동철;문성욱
    • 한국신뢰성학회지:신뢰성응용연구
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    • 제7권1호
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    • pp.23-29
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    • 2007
  • Probe card is a test component which is to classify the known good die with electrical contact before the packaging in the ATE (automatic testing equipment). Conventional probe tip was mostly needle type, it has been difficult to meet with conventional type, because of decreasing chip size, pad to pad pitch and pads size increasingly. For that reason, probe cards using MEMS (micro electro mechanical system) technology have been developed for various semiconductor chips. In this paper, Area Array type MEMS Probe tip was designed,, fabricated, and characterized its mechanical and electrical properties. The authors found that good electrical characteristics under $1{\Omega}$ were acquired with gold (Au) and aluminium (Al) pad contact test over 0.5gf and 4gf respectively. And, contact resistance variation under $0.1{\Omega}$ were achieved with 100,000 times of repetition test. And, insertion loss (IS) for high frequency operation was ascertained over 300MHz at -3dB loss.

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