Temperature Monitoring System of Power MOSFET for IPCM

지능형 전력제어모듈을 위한 온도 모니터링 시스템

  • 최낙권 (경남대학교 전자공학과) ;
  • 김기현 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
  • 김형우 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
  • 서길수 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
  • 김남균 (한국전기연구원 전력반도체그룹)
  • Published : 2006.01.01

Abstract

We suggest a novel temperature detection method utilized in temperature monitoring system. Suggested method detects temperature variation by using $R_{ds(on)}$ characteristics of MOSFET, while conventional methods are using extra devices such as a temperature sensor or an over-temperature detection transistor. For voltage detection between drain and source, 10 bits resolution ADC is needed. Therefore possible measurement signal range is about ten mV. If detected temperature's voltage exceed protection temperature's voltage then controller generates OT (Over Temperature) signal to stop MOSFET's trigger signal. Whole process of measurement is controlled by software. Experimental results show that the developed temperature monitoring system can provide the suitable temperature monitoring method and difference between detected and data sheet value of the suggested system is about $3\%$.

Keywords

References

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