Acknowledgement
Supported by : 청정기반기술연구소
References
- K. B. Jung, H. Cho, Y. B. Hahn, E. S. Lambers, S. Onishi, D. Johnson, A. T. Hurst, J. R. Childress, Y. D. Park, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys., 85, 4788 (1999) https://doi.org/10.1063/1.370482
- W. Y. Lee and K. H. Shin, MRAM (magnetic random access memory) 기술현황 및 연구 동향, KlEEME, 13, 12 (2000)
- W. J. Gallagher, S. S. P. Parlan, Y. Lu, X. P. Bian, A. Marly, K. P. Roche, R. A. Altman, S. A. Righton, C. Jahnes, T. M. Shas, and G. Xiao, J. Appl. Phys., 81 (1997)
- J. S. Moodera and L. R. Kinder, J. Appl. Phys., 79 (1996)
- J. E. E. Baglin, M. H. Tabacniks, R. Fontana, A. J. Kellock and T. T. Bardin, Mater. Sci. Forum, 248, 87 (1997)
- S. D. Kim, J. J. Lee, S. H. Lim, S. H. Han, and H. J. Kim, J. Appl. Phys., 85, 5992 (1999) https://doi.org/10.1063/1.370014
- S. Tehrani, J. M. Slaughter, E. Chen, M. Durlam, J. Shi, and M. DeHerrera, IEEE Trans. Magn., 35, 2814 (1999) https://doi.org/10.1109/20.800991
- D. J. Resnick, S. Pendharkar, K. Kyler, G. Kerszykowski, S. Clemens, H. Tompkins, M. Durlam, and S. Tehrani, Microelectron. Eng., 53, 367 (2000) https://doi.org/10.1016/S0167-9317(00)00335-X
- N. Matsui, K. Mashimo, A. Egami, A. Konishi, O. Okada, and T. Tsukada, Vacuum, 66, 479 (2002) https://doi.org/10.1016/S0042-207X(02)00119-7
- J. Karttuen, J. Kiiham, and S. Franssilab, SPlE 2000, 4714, 90 (2000)