Abstract
In this paper, we have investigated electrical characteristics by action temperature of double gate structure that have main gate and side gate. Could know current-voltage characteristic is superior in ultra low temperature (77 K) as well as in room temperature (300 K). Also, conditions of most suitable for get superior DG MOSFET's dynamic characteristics are main gate length of 50nm and side gate length of 70nm and could know that should be approved more than voltage 2V. Also, this DG MOSFET usefully use may as digital device because on-off characteristic is superior.
본 논문에서는 메인게이트와 사이드게이트를 갖는 더블게이트 구조의 동작 온도에 따른 전기적 특성들을 조사하였다. 실온(300K)에서 뿐만 아니라 극저온(77K)에서도 전류-전압특성이 우수함을 알 수 있었다. 또한 우수한 DG MOSFET의 동적 특성들을 얻기 위한 최적의 조건들은 메인게이트 길이가 50nm이고 사이드게이트 길이가 70nm, 그리고 드레인 전압이 2V이상 인가되어야 함을 알 수 있었다. 실온에서 문턱전압은 약0.358V, 77K에서는 약 0.513V를 얻을 수 있었다. 또한 온-오프 특성이 우수하여 디지털 소자로서 유용하게 사용될 수 있을 것이다.
